宽工作电压范围单电源CMOS误差放大器

采用0.8μm标准数字CMOS工艺(VTN0=0.836V,VTP0=0.930V),设计并流片验证了具有宽工作电压范围(3～6V),可作SOC系统动态电源管理芯片内部误差放大器应用的单电源CMOS运算放大器。该误差放大器芯核同时具有适合低电压工作,并对工艺参数变化不敏感的优点。对于相同的负载情况,在3V的工作电压下,开环电压增益AD=83.1dB,单位增益带宽GB=2.4MHz,相位裕量Φ=85.2°,电源抑制比PSRR=154.0dB,转换速率Sr=2.2V/μs;在6V工作电压下,AD=85.1dB,GB=2.4MHz,Φ=85.4°,PSRR=145.3dB,Sr=3.4V/μs。     

深亚微米集成电路的快速时域仿真技术

随着深亚微米集成电路技术的发展，集成电路的规模越来越大，工作频率越来越高，并正朝着系统集成的方向发展，因而在模拟速度，模拟精度和可模拟的电路规模等各个方面对电路仿真技术提出了新的要求。近年来，各种新的电路仿真方法和仿真系统用相继脱颖百出，并将取代那些传统的，已经无法适应深亚微米技术发展的电路仿真器。     

关于水泥土墙墙顶水平位移控制值的探讨

文章简述基坑支护变形控制的意义，综合有关变形控制的经验值，探讨支护桩墙变形的构成，建立以抗拉强度控制水泥墙墙顶水平位移允许控制值的分析思路，以供基坑支护变形控制研究和工程应用参考。     

大倾角斜井辅助提升研讨

文章论述了煤矿大倾角斜井的综机设备、胶带机检修绞车等辅助提升现状,介绍了牵引车技术性能和开关磁阻电机基本结构与调速原理。对实例牵引车方案进行了比选和优缺点分析及首选推荐,研讨了安全问题及改进意见。     

电双稳薄膜阻抗转变机理研究

采用真空蒸发的方法交替沉积Ag和TCNQ分子制备了Ag TCNQ金属 有机络合物薄膜 ,并研究了多种外加电压激发下膜的电阻转变特性。发现在转变过程中存在着一种能量效应 ,即当外电压超过某一阈值后 ,完成转变的能量不变。对此现象的可能解释是薄膜内分子在一定的外部电场能量诱导下发生重排 ,致使电导率发生跃变     

两种具有电双稳态的全有机络合物

首次发现两种在室温下即具有电双稳态的全有机（有机-有机）络合物，分别称为MCA＋TCNQ和BBDN＋TCNQ。它们可在真空中制备成薄膜，在数伏电压的作用下，从高电阻至低电阻的跃迁时间小于100ns，因此可作为一次写入的存储器材料。根据我国目前最小刻线宽度的水平，可望在1．6cm2的SiO2平面上做出64Mb的存储器。     

多目标多约束的集成电路统计优化策略

对于集成电路设计、生产过程中的多目标、多约束统计优化问题,本文提出了“合格率足够高”的优化宗旨,并从概率论的基本原理出发,结合集成电路的特点,导出了一种合格率的近似表述方法,提出的变权重Monte Carlo法编程简便,效率高。采用这些优化策略设计的集成电路合格率优化系统取得了比较好的结果。     

预警监视系统数据融合能力评估体系研究

数据融合是预警监视系统核心功能之一,数据融合能力评估也是预警监视系统综合效能评估的重要组成部分．通过分析预警监视系统数据融合能力的表征因素,从便于工程评估实现的角度出发构建了一套预誓监视系统数据融合能力评估体系,并对其指标进行了分析．     

开关电源噪声分析及处理方法

针对开关电源噪声干扰的问题,提出了一种新颖的降低开关电源噪声的方法,使用削顶正弦波代替传统的脉冲驱动方式,有效降低了开关过程引起的EMI噪声.通过对开关噪声的分析,提出了噪声的数学模型,并使用Matlab将提出的方法与传统的方案进行对比,研究结果表明,该方法具有较好的电磁兼容性和较低的晶体管开关损耗.还设计了实际的驱动电路,实验证明该方法在噪声控制与损耗控制之间获得了良好的平衡,实现了电源系统的良好运行.