低能电子束曝光的散射研究

采用Mott弹性散射截面和Monte Carlo计算方法进行模拟,将Joy和Lou的Bethe修正公式作为解决能量损失问题的非弹性散射模型。描述电子束入射固体过程,确定散射角、方位角、自由程和散射点处能量等参数。利用能量不超过5keV的低能电子束,模拟在不同厚度的抗蚀剂中进行的刻蚀过程,得到了不同能量电子束在衬底表面光刻的最佳抗蚀剂厚度。     

一种基于MFRAT和ICP的掌纹主线提取和配准算法

为提高受旋转和平移影响的掌纹图像的识别精度,文中采用一种基于方向最近邻域(DNN)搜索的迭代最近点(ICP)图像配准算法,对掌纹主纹线特征图像进行配准,同时在掌纹主纹线特征图像配准过程中采用粗配准和精配准相融合的配准方式.实验结果表明,该方法具有较高的计算效率和较好的抗旋转平移能力.     

一种低旁瓣非均匀圆形活塞换能器的设计

针对水声换能器的指向性旁瓣级问题,该文提出了一种低旁瓣非均匀圆形活塞平面水声换能器。该换能器在均匀圆形活塞换能器的基础上,采取去双环分布方法去除均匀圆形活塞换能器部分压电相体积,改变换能器结构,实现了抑制旁瓣的效果。以均匀连续平面活塞阵为基础,该文推导了去双环圆形平面活塞阵指向性函数,并采用Matlab对该指向性函数求解,分析两个环的位置和宽度随换能器指向性最大旁瓣级的变化规律,根据优化结果确定了换能器的最优尺寸。通过有限元仿真分析表明,该去双环圆形活塞换能器指向性最大旁瓣级为-25.3 dB,与均匀圆形活塞换能器相比,最大旁瓣级降低了8.3 dB,实现了旁瓣抑制,有效降低了最大旁瓣级。     

基于ICP算法的掌纹图像配准研究

针对图像配准经典迭代最近点(ICP,iterative closest points)算法存在的收敛效率低、容易陷入局部收敛的问题,给出了一种基于掌纹图像识别的改进ICP算法。该算法结合经典ICP算法和掌纹识别算法的优势,同时准确地嵌入容器模板类来存储图像的像素坐标信息,并引入二元搜索树(k-d tree)来寻找最近点集合,最终得到一个基于香港理工大学公开掌纹图像库的图像配准程序系统。实验表明:通过该系统所得到的结果具有较好的鲁棒性和适用性。     

基于UWB的室内人员定位系统的应用

为进一步研究基于UWB的无线定位技术,实现室内、室外定位服务的无缝衔接,文中设计了一种基于UWB的室内定位系统平台。该平台包括定位基站、定位标签和定位引擎,定位引擎主要采用TOA算法。定位基站对下与定位标签通信,对上与定位引擎通信,实现对人员、设备的精确定位。经实际测试,在具有3处墙体、8个柱子及多个较高障碍物的复杂环境下,该平台运行稳定,可展示实时定位轨迹。实验结果表明:在静态和动态定位中,室内非视距环境中定位最大误差为20 cm,满足室内高精度定位技术研究需求,为实际应用奠定了良好的基础。     

一种制备硅通孔电镜测试样品的新方法

从硅通孔工艺质量检测角度出发,针对测试样品制备中存在的问题,提出了一种独特的电镜样品制备方法。该方法与聚焦离子束切割技术制作样品方法相比,降低了试样的拟作成本和制作时间。用于观察薄样横截面的电镜样品制备方法在其他领域也具有一定的参考价值。     

超冷原子在含时磁场共振条件下的几何相因子

利用Lewis-Riesenfeld不变量理论,研究了超冷原子在含时磁场共振条件下的几何相因子,并给出了几何相因子消失的条件。     

电子束光刻中的内部邻近效应校正技术研究

研究了基于图形几何尺寸修正的电子束光刻的内部邻近效应校正技术,利用累积分布函数预先进行内部最大矩形和顶点矩形的快速计算,并把它们存储在矩阵中。在校正过程中,根据初始矩形的尺寸,通过访问矩阵实现内部最大矩形和顶点矩形的快速替换。矩阵的预先建立,最大限度地减小了校正过程中的计算强度。模拟结果表明,通过内部最大矩形和顶点矩形的替换,能够快速地实现内部邻近效应校正,校正时间与被校正图形数目成线性关系增加。在与同类软件精度相同的情况下,提高了运算速度。     

基于Zigbee的无线家居控制系统的设计

针对Zigbee无线通信低成本、低功耗、低复杂度与近距离通信的特点,设计了一种无线家居控制系统。以TI公司的CC2430微控制芯片与IAR软件平台为基础,完成了该系统的总体设计方案、硬件电路的设计与软件编码实现的具体算法,开发了Zigbee协调器与Zigbee遥控开关,实现了对家居设备中灯、加湿器、空调与门铃等的无线遥控。测试结果表明该设计灵活可行,具有应用价值。     

电子束曝光中低能电子散射的模拟

介绍了Pendry弹性散射截面,描述了电子在固体中的散射过程,包括散射步长、散射角、方位角和散射点处能量的确定,并将Pendry截面和Monte Carlo计算方法应用到电子散射过程中。分别改变入射电子束能量、抗蚀剂厚度和衬底材料,模拟了能量不超过5keV的低能电子束在PMMA抗蚀剂中的散射轨迹。模拟结果表明,低能电子束曝光同样可应用于较高分辨率的表面成像技术工艺。通过对模拟结果和电子束曝光实验比较分析,可以进一步完善散射模型,为更深入开展电子束曝光技术的应用研究创造有利条件,同时也为开发低成本的低能电子束曝光系统提供了理论依据。