应变In0.20 Ga0.80As／GaAs单量子阱结构的光谱研究

报道了用光致发光光谱，吸收光谱和光电流谱研究具有相同组伊阱宽，不同覆盖层厚度的应变Ｉｎ０．２０Ｇａ０．８０Ａｓ／ＧａＡｓ单量子阱结构的实验结果，结果理论计算，观察到ＧａＡｓ覆盖层厚度对单量子阱结构的材料质量，应力驰豫和发光淬灭机制的影响，确定了各样品应变值和导带不连续因子Ｑｃ，并讨论了这种结构发光机制。     

Hg_（1－x）Cd_xTe的扫描光致发光研究

用傅里叶变换红外扫描光致发光方法研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ体单晶样品，该方法可直接得到ＨｇＣｄＴｅ晶片组分的二维平面分布，并可得到辐射复合在复合机制中所占比重的平面分布，以及晶体中非平衡载流子寿命的分布     

应变单量子阱InGaAs／GaAs的光谱研究

应变单量子阱ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ的光谱研究沈文忠，唐文国，沈学础（中国科学院上海技术物理研究所，红外物理国家重点实验室，上海２０００８３）近来，人们对ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ应变超晶格和量子阱结构产生了浓厚的兴趣是基于高速器件设计的需要。随着...     

a—Si_xC_(1-x):H的光致发光和光电导低温光诱导效应

报道在相同曝光条件下,a-Si_xC_(1-x):H薄膜的光致发光(PL)和光电导(PC)的低温光诱导效应。实验结果表明:PL和PC在曝光初期迅速下降,然后各自趋于稳定;PL光谱的形状及其峰值能量位置在曝光后没有变化;低温光诱导效应经室温退火即可消除。还讨论了光诱导效应机理,导出了与实验结果符合很好的光诱导效应动力学方程。     

注磷InSb的光学性质

本文用光学方法对注磷InSb进行了研究,所采用的实验技术包括:(1)光子能量低于能带间隙的光吸收;(2)电反射光谱。用于实验测量的InSb晶体用切克劳斯基方法生长,所有样品为N型,纯度较高,晶向为〈111〉。它们经过研磨、机械抛光和化学机械抛光,最后经过化学腐蚀,获得高质量的光学表面。注磷的能量为200keV,剂量为10~(12)～10~(14)cm~(-2),InSb的温度为室温。光吸收和电     

第一届全国固体光学性质学术讨论会在南京举行

由中国物理学会主办的《第一届全国固体光学性质学术讨论会》于1982年11月29日至12月3日在南京市举行。来自全国各地科研和教育部门的23个单位的80名代表出席了会议。会议开幕式由江苏省物理学会理事长、南京大学固体物理研究所所长冯端主持,上海市物理学会副理事长、中国科学院上海技术物理研究所所长汤定元致开幕词。     

氮含量对a-Si:H/a-SiN_x:H多层膜界面及光学性质的影响(英文)

We have studied TV content influence in two ranges of x(R1.,R2) by Raman, PL, IR spectra on PCVD a-Si:H/a-SiNx:H samples with constant sublayer thickness and cycle number but whole range of x respectively. Raman shows that the FWHM of TO-like peaks increases with x in range R1 and so does the bond angle fluctuation. PL exhibits that the band tail width increases and the NR activation energy as well as the PL efficiency decrease? with x in R1, because of the increase of lattice strain introduced by structural mismatch at interfaces. The above parameters change towards the opposite direction in R2 with a turn at x=0.9, This might be caused by the structure change of a-SiNx into Si3N4 and the greatly increasing of N-H bonds in R2, which enhances the softness of the matrix and relaxes the lattice strain.     

Fe掺杂Hg_(1-x)Cd_xTe材料的光谱与电学研究

利用红外光谱、光致发光光谱与Hall测量等手段，对Fe掺杂Hg1-xCdxTe体单晶样品进行实验，研究了Fe在Hg1-xCdxTe中的杂质行为，发现Fe掺杂在Hg1－xCdxTe中引入一个位于导带底下方约80meV的施主能级，并且发现掺杂HgCdTe中的Fe元素在低于180K温度下基本上不表现出电活性，但它能够起非辐射复合中心的作用，影响材料的非平衡载流子寿命，在积分光致发光强度的温度变化关系中明显地反映出来．     

热壁外延CdTe/(111)CdTe薄膜的光致发光光谱

研究了热壁外延CdTe/(111)CdTe薄膜77～200K的光致发光光谱。在77K首次观察到了CdTe的自由激子第一激发态的发光峰1.588eV。热壁外延CdTe薄膜具有很强的自由激子发光峰和微弱的缺陷发光,以及很好的横向均匀性,边缘发光峰的半宽度8.3meV是迄今报道中最窄的。光致发光光谱研究表明,热壁外延CdTe/(111)CdTe薄膜明显优于CdTe体材料。     

退火对a-Si_xC_(1-x):H薄膜光学性质的影响

研究了退火对α-Si_xC_(1-x):H薄膜红外吸收和光致发光性质的影响.实验结果表明:低温退火使与氢有关的红外吸收和积分发光强度增加;而高温退火使与氢有关的红外吸收和积分发光强度减弱;同时,随着退火温度升高,光致发光光谱的峰值能量位置移向低能.文中对退火引起红外吸收和光致发光性质的变化机理进行了讨论。