光电双基区晶体管(PDUBAT)的器件模型

本文在考虑了晶体管的小注入效应和大注入效应以及基区宽变效应等因素后,首次用近似和简化的数学表示式和相应的等效电路,描述了光电双基区晶体管(PDUBAT)负阻形成的机理并使负阻区和谷值区的理论计算和实验结果一致性很好.     

一种新型结构的光电负阻器件

提出了一种新型结构的硅光电负阻器件--光电双耦合区晶体管(photoelectric dual coupled area transistor,PDUCAT),它是由一个P+N结光电二极管和位于两侧的两个纵向NPN管构成的.由于两个NPN管到光电二极管的距离不同,使得它们对光生空穴电流的争抢能力随外加电压的变化产生差异,同时两个NPN管电流放大系数相差较大,最终导致器件负阻现象的出现.文中对PDUCAT进行了工艺模拟和器件模拟,围绕着负阻的形成机理和影响器件性能的主要参数进行了讨论,初步建立了器件模型.     

光电双基区晶体管的工作机理

通过分析光电双基区晶体管(PDUBAT)内部载流子的二维传输过程,获得它的物理模型,得出PDUBAT是个新型光控振荡器的结论,并依此模型给出了它的等效电路,利用SPICE程序得到的一系列计算结果与实验结果是一致的.结合这些计算结果,完整解释了PDUBAT产生耦合、负阻、振荡的物理过程.给出了起振电压(输出电流峰值电压)、振荡频率随光强变化的关系式,定性解释了相应的实验结果.     

基于DUBAT的新型压控振荡器研究

本文首次研制了一种基于双基区晶体管(DUBAT)的无电感新型压控振荡器(VCO).文中详细分析了其工作原理,并给出了它的等效电路,模拟结果与实验结果是一致的.由于DUBAT结构简单,工艺与双极集成电路工艺完全相容,从而为压控振荡器结合其它功能电路的大规模集成提供了一种新的实现方式.     

SOI结构P型SiGe沟道混合模式晶体管器件模型研究

在带有应变SiGe沟道的SOIMOSFET结构中 ,把栅和衬底相连构成了新型的混合模式晶体管 (SiGeSOIBMHMT) .在SIVACO软件的器件数值模拟基础上 ,对这种结构的P型沟道管工作过程作了分析 ,并建立了数学模型 .提出在低电压 (小于 0 7V)下 ,衬底电极的作用可近似等效成栅 ,然后依据电荷增量 (非平衡过剩载流子 )的方法 ,推导出该结构的I V特性方程 .该方程的计算结果与器件模拟结果相一致.     

SOI结构P型SiGe沟道混合模式晶体管器件模型研究

在带有应变SiGe沟道的SOI MOSFET结构中,把栅和衬底相连构成了新型的混合模式晶体管(SiGe SOI BMHMT).在SIVACO软件的器件数值模拟基础上,对这种结构的P型沟道管工作过程作了分析,并建立了数学模型.提出在低电压(小于0.7V)下,衬底电极的作用可近似等效成栅,然后依据电荷增量(非平衡过剩载流子)的方法,推导出该结构的I-V特性方程.该方程的计算结果与器件模拟结果相一致.     

一种新型结构的光电负阻器件

提出了一种新型结构的硅光电负阻器件———光电双耦合区晶体管(photoelectricdualcoupledareatransistor,PDUCAT) ,它是由一个P+ N结光电二极管和位于两侧的两个纵向NPN管构成的.由于两个NPN管到光电二极管的距离不同,使得它们对光生空穴电流的争抢能力随外加电压的变化产生差异,同时两个NPN管电流放大系数相差较大,最终导致器件负阻现象的出现.文中对PDUCAT进行了工艺模拟和器件模拟,围绕着负阻的形成机理和影响器件性能的主要参数进行了讨论,初步建立了器件模型.     

光电双基区晶体管的工作机理

通过分析光电双基区晶体管(PDUBAT)内部载流子的二维传输过程,获得它的物理模型,得出PDUBAT是个新型光控振荡器的结论,并依此模型给出了它的等效电路,利用SPICE程序得到的一系列计算结果与实验结果是一致的.结合这些计算结果,完整解释了PDUBAT产生耦合、负阻、振荡的物理过程.给出了起振电压(输出电流峰值电压)、振荡频率随光强变化的关系式,定性解释了相应的实验结果