用离子束混合及快速热处理方法形成钽的硅化物

本文描述用离子束透过钽金属膜进行混合和快速热处理方法来形成钽的硅化物.用溅射方法在P型硅衬底上淀积一层金属钽,然后用砷离子束透过钽金属模进行混合,采用快速热处理后形成了平整的硅化钽薄层.使用厚度为500埃的钽金属膜,得到钽的硅化物薄层电阻为5.5Ω/□.研究了砷离子能量、剂量及钽膜厚度对钽的硅化物薄层电阻的影响.用透射电镜和台阶仪对所形成的硅化钽进行了分析和厚度测量.     

反应堆过程控制强化学习可靠性评估方法研究

人工智能技术的发展推动了强化学习(RL)算法在工业过程控制中的应用。在航空、航天和核能等行业中,不仅要求控制算法准确性高,还对控制算法的可靠性提出高要求。对RL领域的可靠性评估方法进行了研究,提出了反应堆过程控制RL可靠性评估方法。该方法通过分析模型的推理性能以评估RL模型的决策能力,并创新性地提出了针对传感⁃控制系统的对抗样本(AE)生成方法。通过AE测试评估RL模型的抗干扰能力。利用所提评估方法对反应堆过程控制RL模型进行了可靠性评估。试验结果表明,所提方法可以评估实际应用中RL模型的可靠性。该研究为人工智能技术在反应堆控制应用的可靠性评估工作以及RL领域对抗测试方法研究提供参考。     

一种测量光学玻璃应力的光谱方法

光学玻璃的应力使其出现双折射性质,严重影响成像质量和导致波面形变,因此需要进行精确定量的测量。为了满足高精度玻璃应力测量的需求,文章提出了一种测量应力的新方法:在光谱扫描法测量系统的基础上,加入半波片作为延迟量基准,根据插入被测玻璃前后延迟量的变化,精确、定量地得到被测玻璃的应力。实验测量了1块立方体玻璃不同区域的应力。分析表明,光谱扫描精度为0.25nm时,系统测量误差小于0.4nm。     

6H-SiC高压肖特基势垒二极管

在可商业获得的N型6H-SiC晶片上,通过化学气相淀积,进行同质外延生长,在此结构材料上,通过热蒸发,制作Ni/6H-SiC肖特基势垒二极管．测量并分析了肖特基二极管的电学特性,结果表明,肖特基二极管具有较好的整流特性：反向击穿电压约为450V,室温下,反向电压VR=-200V时,反向漏电流JL=5×10-4A*cm-2;理想因子为1.09,肖特基势垒高度为1.24—1.26eV,开启电压约为0.8V．     

6H-SiC高压肖特基势垒二极管

在可商业获得的 N型 6 H - Si C晶片上 ,通过化学气相淀积 ,进行同质外延生长 ,在此结构材料上 ,通过热蒸发 ,制作 Ni/6 H- Si C肖特基势垒二极管 .测量并分析了肖特基二极管的电学特性 ,结果表明 ,肖特基二极管具有较好的整流特性 :反向击穿电压约为 45 0 V,室温下 ,反向电压 VR=- 2 0 0 V时 ,反向漏电流 JL=5× 10 - 4 A· cm- 2 ;理想因子为 1.0 9,肖特基势垒高度为 1.2 4— 1.2 6 e V ,开启电压约为 0 .8V     

二阶系统有限时间控制方法综述

相比于传统且经典的比例–积分–微分控制(PID)控制, 带有指数参数的有限时间控制方法具有更好的控制性能, 因而引起广泛的关注和研究. 本文首先从方法设计和稳定性分析角度, 对现有主流有限时间控制方法进行整理和归纳, 将其分为17种有限时间状态反馈控制方法及6种有限时间输出反馈控制方法. 其次, 以一类具有普遍和基础性的二阶系统为例, 统一变量和参数, 给出了每种控制方法对应的控制器的显式结构. 然后, 通过原理分析和比较分析, 对每种控制方法的优点及不足之处进行了总结, 尤其是给出了终端滑模控制具有“控制奇异与收敛时间矛盾性”的结论, 以及指出了一些方法存在较大保守性的问题. 最后, 通过列表的方式展示了所有有限时间控制方法的优缺点及值得进一步深入研究的课题     

基于VerilogHDL的数字加法器的设计比较与优化

以加法器模块的不同实现方式为例,从模块易维护性、抗干扰性、运算速度和通用性等方面进行分析和比较,提出在用VerilogHDL硬件描述语言设计数字加法器模块时的指导原则。     

一种用于电子标签芯片的基准电压源电路

文章分析了射频电子标签芯片电源的特点,根据电源低电压和低成本要求,讨论了传统的带隙基准源和全CMOS的基准电压源电路方案,设计并实现了一种适合电子标签芯片应用的全CMOS的基准电压源电路。该电路采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺实现,电源电压范围为1~5 V,电源敏感度为1~3%/V,输出电压的温度特性为3~20.7 ppm/℃,符合射频电子标签的设计要求。     

基于CPLD＋DSP的红外条码图像采集及识别系统设计

论文介绍了以CCD作为图像传感器、以CPLD作为图像采集系统的控制核心、以DSP作为基本图像处理单元的红外条码图像自动采集及识别系统设计。系统完成了图像的快速采集、存储及数据处理。文章不仅对系统的硬件设计和软件设计进行了讨论,而且对应用的算法也进行了介绍。     

InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管

报道了用 LP- MOVPE技术在蓝宝石 ( α- Al2 O3)衬底上生长出以双掺 Zn和 Si的 In Ga N为有源区的绿光 In Ga N/Al Ga N双异质结结构 ,并研制成功发射波长为 52 0— 540 nm的绿光LED.