SAW滤波器自动测试系统设计

针对声表面波(SAW)滤波器测试参数较多,仪器设置较复杂,且封装尺寸不断缩小,传统人工测试效率低,可靠性也不能满足要求等问题。该文利用国内定制的自动测试机,基于LabVIEW软件实现表面贴装器件(SMD)封装的SAW滤波器的自动测试系统。结果表明,该测试系统可实现SMD的自动上料、测试和记录数据,并自动分离不合格品,测试速度约1 000只/h,满足研发及小批量生产的需求。     

基于NIOS Ⅱ的多功能数字频率计的设计

介绍了一种基于可编程片上系统（System On Programmable Chip,以下简称SOPC）技术的多功能数字频率计的实现方案。通过在FPGA芯片中植入NIOS Ⅱ软核作为系统的控制核心,并利用FPGA中的可编程逻辑资源构成该嵌入式系统的外围数字控制电路,借助于Avalon总线,实现高速FIFO,触发控制电路,LCD显示控制电路,频率周期测量模块等。可测量方波、正弦波、三角波等不同波形的频率、周期和脉宽,且可测范围达0.1Hz-100MHz。     

低温漂薄膜体声波谐振器研究

该文介绍了一种基于空腔结构的温度补偿型薄膜体声波谐振器(TC-FBAR).通过在压电层上方生长SiO2温度补偿层,实现谐振器的低温漂.未采用温度补偿的薄膜体声波谐振器,其频率温度系数约为—25×10—6/℃.通过适当的膜层结构设计,可使其频率温度系数在±3×10—6/℃.结果表明,由于温度补偿层的增加,导致器件总体压电...     

小型化双通带声表滤波器设计研究

针对小型化双通带声表面波(SAW)滤波器的需求背景,对两端口、两通带的SAW滤波器的设计技术展开研究。通过搭建包含两组耦合模（COM）参数的双通带SAW滤波器声电协同仿真平台,分析优化滤波器性能,成功研制出CSP2520封装的双通带SAW滤波器，其中心频率分别为1 995 MHz和2 185 MHz，通带带宽均为40 MHz，插入损耗小于3 dB，通带间隔离度大于30 dB。测试与仿真结果基本一致。     

基于贝叶斯决策及半监督聚类的织物图像分割

为提高纺织CAD技术,依据半监督聚类理论,提出一种以最小错误率贝叶斯决策为准则的半监督聚类的织物图像分割算法。这种算法利用有限的人工信息,即在织物图像上点击有限的几个点以标识相应区域之间的关系,从而得到满足用户给定限制的织物图像分割结果。用该算法首先对织物图像进行量化转换处理,而后在贝叶斯模式识别中集成先验的分割信息进行色彩聚类。实验结果表明,该算法用于织物图像分割是可行的。     

基于改进遗传算法的图像分割

为了快速准确地确定图像的最佳分割阈值,提出了一种改进的遗传算法.该算法通过完善选择机制、引进父子竞争机制和使用二元变异算子进行变异操作,有效地解决了遗传算法的收敛速度慢和种群过早成熟的问题.实验结果表明:采用改进遗传算法对图像搜索阈值时能收敛至全局最优解,并且大大缩短寻找最优阈值的时间,取得良好的分割效果.     

LiNbO_3单晶薄膜体声波谐振器的研制

该文介绍了一种采用智能截割(Smart Cut~(TM))技术制备的单晶铌酸锂(LiNbO_3)薄膜体声波谐振器。采用COMSOL有限元仿真软件从材料和结构两方面对LiNbO_3薄膜体声波谐振器进行优化设计,以实现高机电耦合系数,并通过Smart Cut~(TM)工艺方法制备了高性能Z切-LiNbO_3单晶薄膜作为谐振器的压电层,最终得到LiNbO_3薄膜体声波谐振器的谐振频率为3 847.5 MHz,反谐振频率为3 986.25 MHz,插入损耗为1.81 dB,谐振器有效机电耦合系数达到8.3%。     

Cu—Cu键合工艺及其在高功率声光器件中的应用

介绍了一种低温Cu—Cu扩散键合工艺技术,利用电子束蒸发Cr/Cu薄膜作为键合层制作了声光调制器。实验表明,Cr/Cu/Cu/Cr键合层厚为755.5 nm、键合温度120℃、键合压强30 MPa时,器件键合强度可达2.7 MPa。采用该工艺制作的调制器能够承受的最大电功率为8 W/mm~2,且峰值衍射效率达到70%,为研制高功率声光器件奠定了工艺基础。     

基于NBS颜色距离及半监督聚类的织物图像分割

为提高纺织CAD技术,对织物图像的分割进行了研究。依据半监督聚类理论,提出了一种基于HLC颜色空间的以NBS颜色距离为优化准则的半监督聚类的织物图像分割算法。算法利用有限的人工信息,即在织物图像上点击有限的几个点以标识相应区域之间的关系,从而得到满足用户给定限制的织物图像分割结果。算法首先对织物图像进行量化转换处理,而后在HLC色彩空间中集成先验的分割信息进行色彩聚类。实验结果表明,该算法在织物图像分割中是一种可行的方法。     

S波段低插损FBAR陷波器的研制

该文介绍了一种单端口、端口阻抗50 Ω的S波段薄膜体声波谐振器（FBAR）陷波器,其采用了梯形拓扑结构与外围匹配电路相结合的方式。对FBAR陷波器芯片的设计过程、工艺实现进行了说明。测试制备的FBAR陷波器,其陷波频段为2 399~2 412 MHz,陷波抑制达35 dBc;通带频率分别为1 800~2 300 MHz和2 500~2 800 MHz,通带插损仅1 dB;3 dBc开口宽度为69 MHz。FBAR陷波器芯片尺寸为1.2 mm×1.2 mm×0.35 mm。结果表明,陷波器实测与仿真结果两者相吻合。