汉代隶书碑刻

鲜于璜碑1973年5月,在天津武清县出土了一块东汉石碑,碑首有画像,碑额用汉篆刻有"东汉雁门太守鲜于君碑",后来人们俗称为《鲜于璜碑》。碑上共有827字。立碑年代是东汉延熹八年(公元165年)。此碑现藏天津市历史博物馆,是近几十年来发现的保存最为完整的汉碑。1979年文物出版社首次出版了由天津历史博物馆保存的"首拓本",在书法界引起了轰动。《鲜于璜碑》在风格上与《张迁碑》相近,字形多呈方硬,但它还是有自己的强烈个性,形态变     

ITO退火工艺对HADS型TFT-LCD透过率的影响

HADS型TFT基板制程中通常存在两次ITO退火工艺,而Cell制程中则存在相似的配向膜高温烘焙工艺。为提升TFT产线退火工序的产能,因此考虑对ITO退火进行时间上的缩减甚至直接省略,然后利用配向膜烘焙的热处理对前层ITO的结晶进行补偿,但ITO结晶方式的变化还需确保产品高透过率特性。对比实验的结果表明:单层ITO退火时间由30min缩减至10min时,产品的透过率基本保持不变;2nd ITO退火直接省略时产品仍具备高的透过率特性,但1st ITO退火省略时产品的透过率则会大幅降低,其主要原因是钝化绝缘层的阻隔导致了1st ITO中的亚氧化物无法被后工段的热处理所氧化,而配向膜涂覆后的2nd ITO在烘焙过程中仍可以与外界高温空气结合反应。在确保产品高透过率的前提下,选择从源头上减少了1st ITO内亚氧化物的产生,通过增加1st ITO成膜时的氧气流量也可以实现1st ITO退火的直接省略。最终两次ITO退火均可被配向膜烘焙所替代且产品兼具高透过率特性,最大化地提升了TFT产线的生产效率。     

TFT-LCD摩擦工艺过程中静电放电不良分析及改善设计

本文对摩擦工艺过程中的线不良进行了分析,通过切割验证、设计方案变更验证了降低ESD风险的两个方向。通过实际的验证结果分析发现,减小填充图形的面积或者将填充图形连接到公共电极,同时搭配填充图形到信号线的距离增加到大于60μm,可以大大降低静电放电发生的概率,不良率由20%降低到0%。结果充分表明,此设计方案可应用于实际产品设计中以降低摩擦工艺过程中的ESD风险。     

摩擦配向工艺对HADS产品像素漏光的影响分析

从HADS产品像素漏光现象出发,分析了HADS产品产生像素漏光的主要原因和机理。通过分析发现,HADS产品像素漏光主要是因为摩擦弱区液晶配向角度异常导致的透过率差异产生的。并在此基础提供摩擦方向优化和PS形状优化以减少摩擦弱区对像素漏光的影响。为更好画面品质的HADS产品提供了改善方向。     

氮化硅膜层对侧视角白画面色偏的影响及发红改善

研究了TFT基板中氮化硅膜层对TFT-LCD终端产品侧视角白画面色偏的影响,填补了TFT膜层与TFT-LCD侧视角白画面色偏的研究欠缺,为类似的光学色度不良改善提供了有益的参考.通过大量的实验测试和仿真模拟,探索了氧化硅膜层厚度对侧视角白画面色偏的影响规律.结果表明,氮化硅膜层是一个影响色偏量和色偏方向的关键因素,其中...