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1.
The detection of magnetic resonance via the photovoltage (PDMR) is a sensitive method for investigating recombination and light-induced meta-stable defects in a-Si:H solar cells. The steady-state PDMR signals are dependent on the light intensity, microwave power and sample temperature. Particularly,the delay time of signal or the phase shift of lock-in amplifier is also dependent on the light intensity and temperature. For a given temperature and microwave power there is an optimum light intensity for the signal noise ratio. According to our results, a brief analysis and discussion are given. 相似文献
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3.
4.
多孔硅的氢化、氧化与光致发光 总被引:2,自引:1,他引:1
对于刚阳极氧化完的,阳极氧化后紧接着在H2O2中光照处理的及长期存放(10个月)的三种多孔硅样品进行了持续激光照射,不断监视它们的光致发光(PL)与富利埃变换红外(FTIR)吸收光谱,并在最后对它们作了X射线光电子能谱(XPS)测量,以确定它们所含氧化硅的情况.得出如下几条结论:(1)氢对多孔硅表面的钝化是不稳定的.(2)Si—H键不是发光所必须的.(3)氧对多孔硅表面的钝化是稳定的,纳米硅周围氧化层的存在及其特性对于稳定的多孔硅可见光发射是至关重要的.对激光照射下多孔硅发光的退化提出了新的解释. 相似文献
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6.
秦国刚 《红外与毫米波学报》2005,24(3):165-173
实际研究的多孔硅几乎都是氧化程度不同的氧化多孔硅,它与另一大类硅基发光材料纳米硅镶嵌氧化硅有相似的结构和发光特徵.两者都是由大量为氧化硅所包裹的纳米硅组成,可统称为纳米硅/氧化硅体系.它是当前研究最多并被普遍认为很有希望的硅基发光材料体系.本文主要讨论纳米硅/氧化硅体系光致发光的机制,文中扼要介绍了我自己所在的研究小组近十几年来的一些相关研究工作. 相似文献
7.
对光致发光谱中无黄光和有强黄光的两组GaN样品作了Si离子注入 ,研究了Si离子注入及退火温度对其黄光的影响 .当退火温度升高时 ,不管是哪一组样品 ,其黄光强度和黄光强度与带边发光带强度之比都是增强的 .无黄光的GaN样品在注入Si离子并经退火后出现明显的黄光 ;而有强黄光的GaN样品经相同处理后 ,其黄光强度较原生样品大大降低 .实验结果表明离子注入加上适当退火会在GaN中引入与黄光有关的深受主缺陷从而使黄光强度增加 ,此外 ,在离子注入过程中GaN表面不仅可以吸附离子注入引入的点缺陷 ,而且还能够吸附GaN中原有的与黄光有关的点缺陷 ,这种吸附作用随离子注入剂量增加而变强 . 相似文献
8.
固体C_(60)/n型GaAs接触电学性质 总被引:2,自引:0,他引:2
本文研究了固体C60和n型GaAs构成的异质结的电学特性,电流-电压测量结果表明这种接触具有相当理想的整流特性,其理想因子接近于1.电流-温度测量表明,在固定正向偏压下,其电流是温度的指数函数,从中可以确定接触的有效势垒高度为1.02eV高频C-V和深能级瞬态谱(DLTS)测量结果表明,在GaAs导带以下0.35eV附近存在着密度为1011/cm2的界面态,这些界面态可能起源于C60和GaAs的相互作用. 相似文献
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