量子阱中δ掺杂的光谱特性

用δ掺杂的方法实现了Be受主在量子阱边界和阱中央的分布,并用光致发光实验证实了这种掺杂的实际效果。第一次用人为的实验方法证实了量子阱中杂质态密度分布的有关理论计算结果。     

Si（111）-(3×3)R30°-Ga表面原子结构

利用自动张量低能电子衍射(ATLEED)定量地研究Si（111）-（3×3）R30°-Ga重构表面的原子结构．证实了Ga原子吸附在T4位即第二层Si原子所对的空位上,同时给出了表面最顶层7个原子层的详细坐标．可靠性因子RVHT＝0.143表明理论计算和实验符合得非常好．     

Si（111）—（√3×√3）R30°—Ga表面原子结构

利用自动张量低能电子衍射(ATLEED)定量地研究Si（111）-（3×3）R30°-Ga重构表面的原子结构．证实了Ga原子吸附在T4位即第二层Si原子所对的空位上，同时给出了表面最顶层7个原子层的详细坐标．可靠性因子RVHT＝0.143表明理论计算和实验符合得非常好．     

消除边缘区效应的“三脉冲DLTS”法及对DX-中心俘获过程的测量

本文提出了一种新的方法──“三脉冲DLTS”法,用于测量深能级的热俘获截面,目的在于消除使测量产生很大误差的边缘区效应的影响,最后用这种方法,对AlGaAs:Si中DX—中心的电子热俘获截面进行了测量,结合考虑大的深能级浓度这一因素,通过计算机的拟合过程,给出了非常令人满意的结果。     

分子束外延GaAs/AlGaAs材料及应用

利用国产MBE设备,我们研制了多种多用途的GaAs/AlGaAs器件结构材料,并制作出GaAs/AlGaAs量子阱激光器、GaAs/GaAlAs自电光效应器件(SEED)、GaAs/AlGaAs HEMT等多种器件。     

GaAs/GaAlAs量子限制Stark效应及自电光双稳现象的实验研究

我们研制了GaAs/GaAlAs多量子阱pin结构的SEED器件。分析了器件的光电流光谱、光电流-电压特性。对于如何实现器件光学双稳态工作的有关问题进行了讨论。     

Si(111)-(3~(1/2)×3~(1/2))R30°-Ga表面原子结构

利用自动张量低能电子衍射 (ATL EED)定量地研究 Si(111) - (3× 3) R30°- Ga重构表面的原子结构 .证实了 Ga原子吸附在 T4位即第二层 Si原子所对的空位上 ,同时给出了表面最顶层 7个原子层的详细坐标 .可靠性因子 RVHT=0 .143表明理论计算和实验符合得非常好 .     

优质GaAs/Si材料的研制

用国产分子束外延设备(Ⅳ型)在p型Si衬底上用三阶段生长法生长出优质GaAs外延层。测试样品为2μm厚,n型掺杂浓度5×10~(16)cm~(-3)。测量结果为x射线双晶衍射回摆曲线半峰宽225弧秒;低温光荧光谱半峰宽在10K时为5meV,外延层表面位错密度10~6cm~(-2)。