基于刻蚀工艺的IC关键面积计算模型与实现方法

在IC的制造过程中,由于工艺的随机扰动,过刻蚀和欠刻蚀造成了导线条的宽度和线间距的变化.论文在分析过刻蚀和欠刻蚀对IC版图影响的基础上,提出了基于工艺偏差影响的IC关键面积计算新模型和实现方法.模拟实验表明模拟结果与理论分析是一致的.     

划分IC缺陷团的聚类算法

大量实验表明了在集成电路（IC）制造过程中形成中的缺陷团之间具有很强的相关性，然而现用于划分缺陷团的方法均忽略了缺陷之间的相关性。因此，得到了缺陷分布规律不能有效地反映缺陷在圆片上的分布，为了提高IC成品率和可靠性仿真和设计的精度，提高缺陷分布模型的准确性，该文提出了划分缺陷团的聚类算法，该方法依据缺陷形成的动力学基础，充分考虑了缺陷团之间的相关性，实验证明该算法用于划分IC的缺陷团是十分有效的。     

基于Sigmoid惯性权值的自适应粒子群优化算法

针对粒子群优化算法存在的缺点,提出了基于Sigmoid惯性权值的自适应粒子群优化算法。一方面,引入粒子群早熟收敛的计算公式,以指导算法在进化过程中的具体执行策略,有效避免计算的盲目性,加快算法的收敛速度;另一方面,通过设定粒子群聚集程度的判定阈值,以使算法在线性递减惯性权值和基于Sigmoid函数思想的非线性递减惯性权值之间进行自适应地动态调整,从而有效减少了算法陷入局部最优的可能。测试函数仿真结果表明了该算法的可行性和有效性。     

基于差分进化算法的智能组卷方法

如何从庞大试题库中自动生成符合教学和考试要求的一套试卷是目前我国利用计算机进行辅助教学的一个重要研究内容.通过分析用户对组卷的要求和试题结构特征.构建了一个智能优化组卷新模型,同时给出了求解的差分进化算法.数值试验结果表明,所给的方法在组卷效率和质量方面具有更好的性能.     

基于模糊控制器的粒子群优化算法

提出了一种2输入和2输出的模糊粒子群优化算法.将群体适应度方差和极值差均值作为模糊控制器的两个输入参量,分别用来度量群体在搜索空间分布的离散程度和群体中个体的多样性,从而自适应地控制PSO算法在进化过程中的惯性权重和扩展项的学习因子.测试函数仿真结果表明,该算法很好地平衡了"开发"与"探测",取得了比文献中已有的模糊粒子群算法更好的优化性能.     

非线性采样控制系统的稳定性

1　引言采样控制系统是一类典型的混杂系统 ,它是由非线性连续时间对象和数字控制器耦合而成 .其对象可用一阶微分方程描述 ,而控制器可用一阶差分方程描述 .对这类系统的研究引起了广泛的兴趣 .文献 [1～ 4]分别研究了关于状态 ,控制为线性或关于控制为线性的系统的定性性质 ,     

等离子体工艺引起的MOSFET栅氧化层损伤

在深亚微米 MOS集成电路制造中 ,等离子体工艺已经成为主流工艺。而等离子体工艺引起的栅氧化层损伤也已经成为限制 MOS器件成品率和长期可靠性的一个重要因素。文中主要讨论了等离子体工艺引起的充电损伤、边缘损伤和表面不平坦引起的电子遮蔽效应的主要机理 ,并在此基础上讨论了减小等离子体损伤的有效方法。     

基于刻蚀工艺的IC关键面积计算模型与实现方法

在IC的制造过程中,由于工艺的随机扰动,过刻蚀和欠刻蚀造成了导线条的宽度和线间距的变化.论文在分析过刻蚀和欠刻蚀对IC版图影响的基础上,提出了基于工艺偏差影响的IC关键面积计算新模型和实现方法.模拟实验表明模拟结果与理论分析是一致的.     

开路缺陷的软故障关键面积研究

从软故障的产生机制出发,研究了软故障的作用模式.为了计算软     

基于OrCAD/PSpice 9的电路多目标优化设计

提出了一种基于OrCAD／PSpice9的电路多目标优化设计方法，应用该方法可以对各目标参数问的互抗性进行定性分析，并有效地确定他们的权系数，从而实现电路的最佳设计。