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K对InP(100)表面催化氧化反应的同步辐射光电子能谱研究 总被引:1,自引:1,他引:0
利用同步辐射光电子能谱研究了K对P型InP(100)表面的催化氧化反应过程.对于O2/K/InP(100)体系的P2p、In4d和价带光电子能谱研究可知,在氧吸附的过程中,O和P、In之间发生了化学反应,O更易于与K在吸附过程中与InP(100)衬底之间的界面反应形成的K-P化合物中的P健合.碱金属K的存在并不直接和O发生作用,而是起到一种催化剂的作用,增加了电荷向氧传输的能力.使得O2的分解和吸附变得更加容易.在In4d芯能谱中,In-O之间的反应并不是很明显,而在价带谱中则可以明显地看到In-O之间反 相似文献
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利用同步辐射光电子能谱研究了室温下Na吸附下于P型InP(100)表面对其氮化反应的影响.通过P2p、In4d芯能级谱的变化,对Na/InP(100)表面的氮化反应的研究表明,碱金属Na的吸附对InP(100)无明显的催化氮化作用,即使采用N2/Na/N2/Na/N2/Na/InP(100)的类多层结构,在室温下也只有极少量的氨化物形成,而无明显的催化氮化反应发生.碱金属吸附层对Ⅲ-Ⅴ族半导体氮化反应的催化机制不同于碱金属对于元素半导体的催化反应机制,碱金属对元素半导体的催化氮化反应,吸附的碱金属与元素半 相似文献
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利用同步辐射光发射研究了Sm/GaAs(10)界面形成.高分辨的芯能级谱结果表明,在低覆盖度下(<0.1nm),Sm与衬底的作用较弱,形成较突出的金属/半导体界面.当Sm的覆盖度增加时,As和Ga的表面发射峰很快消失,表明Sm与Ga发生置换反应而与As形成化学键.同时,Ga原子会向Sm膜体内扩散且偏析到Sm膜表面,而As-Sm化合物只停留在界面区域.当Sm膜厚度达到0.5nm时,Sm膜开始金属化.结合理论模型,文中还详细地讨论了界面形成和界面结构. 相似文献
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GaP(100)表面硫钝化与稀土金属Gd界面形成的同步辐射光电子能谱研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用同步辐射光电子能谱研究了CH3CSNH2钝化的GaP(100)表面和稀土金属Gd淀积到S-GaP(100)表面的界面形成,结果表明CH3CSNH2溶液对GaP(100)表面具有钝化作用,形成了Ga和P的硫化物钝化层,对钝化表面退火,P-S键逐渐消失,而仅仅留下了Ga-S键.Gd淀积到硫钝化退火的GaP表面,P的扩散被有效地阻止,而S仍保持在界面处,Gd与表面的元素态P和二聚体Ga反应,形成金属Ga向淀积的Gd金属层扩散,导致金属Ga在表面偏析. 相似文献
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S_2Cl_2钝化的GaAs表面的同步辐射光电子能谱研究 总被引:2,自引:1,他引:1
前已发现,将GaAs(100)晶片浸入S2Cl2或S2Cl2+CCl4溶液是实现GaAs表面钝化的一种有效途径.用同步辐射光电子能谱研究这种表面能直接测量S2p芯能级谱,从而揭示,在浸泡后的表面存在多种形态的含硫化合物.AsxSy是其中的主要成分,但轻度退火就能去除.随着退火过程中S原子从As-S转移到Ga-S,Ga3d谱中始终出现两个与Ga-S相关的分量,表明稳定的钝化同表面Ga-S键的存在联系在一起 相似文献
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GaAs(100)表面钝化和Mg/S/GaAs界面的SRPES研究 总被引:1,自引:1,他引:0
应用同步辐射光电子谱(SRPES)表征了一种新的CH3CSNH2/NH4OH溶液体系处理的GaAs(100)表面的成键特性和电子态.结果表明,经过处理的GaAs(100)表面,S既与As成键也与Ga成键,形成了S与GaAs的新界面,这说明CH3CSNH2/NH4OH溶液处理的GaAs(100)表面具有明显的钝化作用.钝化表面退火处理后,发现AS的硫化物不稳定,分解或反应生成Ga-S成分和元素态As;室温下,Mg淀积硫钝化的GaAs表面的实验结果表明,Mg置换GaS的Ga成为金属Ga偏析到表面,而硫以MgS 相似文献