流域洪水资源利用的理论框架探讨I:定量解析

自21世纪初以来,中国北方地区干旱缺水的严峻形势,催生了旨在挖掘洪水利用潜力、缓解水资源短缺矛盾的"洪水资源利用"的概念出现,并迅速成为防洪和水资源高效利用领域的研究热点。论文在梳理总结多年研究积累的基础上,从洪水资源利用概念形成与流域水量平衡方程出发,建立了流域洪水资源利用的定义和概念性模型,指出洪水资源利用的本质是风险与效益的博弈;采用极限分析理论,推理辨析与洪水资源利用潜力评价密切相关的若干概念及其定量关系;论述常见洪水资源利用方式基本原理和技术关键,进而建立涵盖洪水资源利用潜力评价、利用方式选择和风险效益评估于一体的流域洪水资源利用模式。     

面向金泽水库取水安全的太浦河多目标联合调度研究

为强化上海市黄浦江供水系统的重要组成部分金泽水源地取水安全,又兼顾太湖流域及太浦河沿线区域防洪、供水需求,开展了太浦河太浦闸与沿线88个闸控口门的多目标联合调度研究。在分析太浦闸及两岸河道现有调度方式的基础上,拟定了两类共10个联合调度方案。采用细化后的太湖流域水量水质模型,对各调度方案进行了模拟。然后,构建了反映防洪、供水、水环境需求的多目标函数,采用蚁群优选算法对所有调度方案进行了优选。结果表明:与现状调度方案相比,太浦闸同时根据太湖水位和金泽断面水质情况加大下泄流量,同时太浦河沿线河道闸门有序控制,可显著提高金泽水源地关键水质指标达标率、抬升金泽水源地最低水位,又基本不影响流域及区域其他调度需求。     

溶胶-凝胶制备TiO2空气净化特性研究

利用XRD等手段对以钛酸四丁酯为原料采用溶胶-凝胶法制备的TiO₂纳米粒子的表面特性及其对空气环境中乙醛的光催化降解性能进行了测定。结果表明，乙醇与钛酸四丁酯体积比、溶胶pH、加水量和焙烧温度等对催化剂降解乙醛的活性有显著影响。在实验条件范围内，较短胶凝时间制备出的纳米粉末晶粒尺寸较小，活性较高。焙烧温度不但影响TiO₂粉末的粒径，而且对晶型的组成也有影响。锐钛矿晶型的光催化活性明显高于金红石晶型，锐钛矿型向金红石型转变的临界温度在（500～600） ℃。实验得到TiO₂最佳制备条件为：V(乙醇)∶V(钛酸四丁酯)=4、溶胶pH=3.0、加水量4 mL和焙烧温度(400～500) ℃。     

北方缺水地区水库汛限水位调整下的极限风险研究

为了挖掘水库调蓄能力,缓解北方地区出现的水资源危机,探讨水库提高汛限水位的可能性.以海河流域岳城水库为例,采用随机模拟法计算汛限水位调整下水库的极限风险.分别建立了线性白回归模型和典型解集模型模拟入库洪水过程,通过统计特性分析检验其模拟效果.研究表明,岳城水库的汛限水位至少可以从目前的132 m提高到135 m,此时超校核洪水位的极限风险远小于原设计标准,从而可以大大增加水库蓄水,提高水库的经济和社会效益.     

PWM/PFM双模调制的高效率DC/DC开关电源

利用根据负载电流的大小改变调制模式的方法实现了一种降压型高转换效率的DC/DC开关电源,并采用二次集成的方式在芯片内部集成了功率p-M O SFET。当控制电压占空比小于20%时,采用PFM(Pu lse-F requency M odu lation)模式调制;占空比大于20%时,采用PWM(Pu lse-W idth M odu lation)模式调制,平均转换效率约为93%,输出电流范围可以从0.01 A到3.0 A。当输出驱动电流为3.0 A时,整个调制控制电路的功耗仅为6.0 mW。输入电压为5 V时,负载调整率小于1.5%;负载电流为0.01 A时,线性调整率小于0.5%。     

压电薄膜微传感器振动模态的仿真分析

以压电本构方程为基础，建立了压电薄膜微传感器机电耦合的有限元模型，采用有限元分析软件ANSYS7．0对压电薄膜微传感器进行了模态分析，同时分析了压电薄膜微传感器的结构尺寸对振动模态的影响，探讨了影响压电薄膜微传感器工作稳定性和响应速度的关键因素，结果表明为了提高压电薄膜微传感器的工作稳定性和响应速度，应该在符合工艺要求和保证其它特性的前提下，尽量减小微悬臂梁结构长度，增加多晶硅层厚度，限制PZT层厚度，而微悬臂梁宽度的影响较小。     

4H-SiC在Cl2+Ar混合气体中的ICP刻蚀工艺研究

采用C12＋Ar作为刻蚀气体进行了单晶4H-SiC材料的感应耦合等离子体（ICP）刻蚀工艺研究，分析了气体流量、气体混合比、反应室压力、1CP功率等工艺参数对刻蚀速率和刻蚀质量的影响．得到的最大蚀速率为194nm/min，表面均方根粗糙度为1．237nm，Cl／Si原子浓度比约为0．97％：99．3％。     

存储阵列中的串扰分析及脉冲产生电路设计

在SRAM存储阵列的设计中,经常会遇到相邻信号线与电路节点间耦合引起的串扰问题。针对这个问题给出位线“间隔译码”的组织结构,有效地降低了存储器读写时寄生RC所带来的串扰。同时,针对该“间隔译码”的存储阵列结构,设计了脉冲产生电路,该电路只需要利用行地址的变化来生成充电脉冲,不仅简化了电路的规模,而且减小了读写操作时存储阵列中单元之间的串扰,提高了可靠性。     

用于DDS系统相位累加器的加法器设计

直接数字频率合成器(DDS)具有频率转换时间短、分辨率高、输出相位连续等优点,是现代频率合成的重要技术之一。在分析了DDS基本原理的基础上,对DDS中的核心单元之一相位累加器进行了系统研究。分别利用镜像电路和超前进位全加器实现信号源累加器模块,进行模拟仿真并比较,结果表明镜像加法器在运算速度、版图布局上都优于超前进位加法器。     

多层金属-n型4H-SiC的欧姆接触

研究了热退火条件下Au/Ti/Ni-4H-SiC欧姆接触形成机制.通过950 ℃下的快速热退火形成的最低欧姆接触电阻为2.765×10-6 Ω·cm2.SIMS分析表明退火过程中NiSi化合物的形成会带来SiC内部多余C原子的溢出,并在接触面上与Ti形成间隙化合物TiC.这一过程造成接触表面存在由大量C空位形成的缺陷层从而增强了表面间接隧穿.通过界面能带结构图直观地解释了欧姆接触在热退火条件下的形成机制.