IC塑料封装中的损伤

芯片集成度的提高和大面积化，封装多针脚、细引线、小型化等会引起器件可靠性的下降。本文依据强度理论和试验，预测塑料封装中的损伤模型并提出了减少损伤，增加了可靠性的措施。     

用超声处理在石墨表面形成梯度孔洞

研究了超声处理对石墨表面状况的影响。超声处理初期，增加超声处理时间使石墨显气孔率增加，表面孔洞数量增多，尺寸变大；超声处理5min后，超声处理时间增加，显气孔率和孔洞状态基本不变。用超声处理能在石墨表面内层附近形成比较理想的梯度分布孔洞。     

碳纳米管化学镀镍及其对聚合物纤维的抗静电能力的提高

使聚合物与抗静电剂混纺形成“海岛”型内部结构，基于其通过基团吸湿放电而消除静电的抗静电原理，以碳纳米管混纺有机抗静电剂应用于聚合物纤维。碳纳米管强化抗静电载体周围的电场，促进了基团吸湿层内的电荷耗散过程。通过摩擦静电荷的测试结果显示：碳纳米管的加入显著地提高了聚合物纤维的抗静电能力。经过化学沉积金属镍处理的碳纳米管，抗静电效果进一步显著。     

低介电常数陶瓷复合基板材料

复合陶瓷材料具有较低的介电常数，可与Ｃｕ、Ａｇ导体共烧得到多层基板。这种基板适合于ＬＳＩ高速、高集成度的要求。本文介绍了复合陶瓷基板材料的特征及降低介电常数的措施。     

奥氏体相变与M2高速钢超塑性的关系

经热轧后调质处理的M2高速钢进行超塑拉伸，温度为800℃时，延伸率突然增大。研究结果表明，延伸率的增大是由于奥氏体相变的作用。文中提出塑变与相变之间相互作用的机制，利用显微硬度法分析了变形中产生的相变，并观察超塑性变形中孔洞的形貌。     

AlN基板与金属化层界面的分析电镜研究

利用各种分析电镜观察了掺杂助烧剂和未掺杂助烧剂的ＡｌＮ陶瓷的微观结构特征，鉴别了ＡｌＮ中的第二相，研究了ＡｌＮ基板上薄膜（Ａｕ－Ｐｔ－Ｔｉ）和厚膜（Ｍｏ－Ｍｎ）金属化界面的结构。     

VLSIC用AlN封装的金属化及元件设计

为满足超大规模集成电路的要求，人们对ＡｌＮ陶瓷封装进行了大量的研究，通过实际 性能和结构设计，本文讨论相关的金属化工艺和金属元件的设计加工等。     

AlN/W多层体共烧过程中的应力

研究了１８５０℃高温烧结ＡｌＮ／Ｗ多层体烧结应力状态和产生原因,结果表明ＡｌＮ与Ｗ在１８５０℃共烧时,不同阶段烧结应力状态有所不同,在升温阶段,Ｗ层受平面拉应力作用,Ｗ层烧结速率降低,导致表面Ｗ膜内存在的大量空洞,而内部Ｗ布线受到径向拉应力的作用,在保温阶段,与表面Ｗ焊盘接触的ＡｌＮ受到拉应力的作用,与内部Ｗ线接触的ＡｌＮ受到环向拉应力的作用,由于环向拉应力的存在,导致ＡｌＮ的烧结速度帮烧结密度显     

陶瓷金属化中的化学反应及热力学考虑

微电子技术中基板的金属化是为安装ＩＣ芯片和布线，应用较广泛的金属化方法是厚膜技术。厚膜金属化是一个复杂的物理化学过程，厚的附着主要通过玻璃结合和反应结合两种方法来实现，要提高厚膜的附着力和电性能等。必须考虑化学反应的热力学，选择合适的导体浆料，主要是玻璃料和活性粘合剂，有效地控制金属化层与陶瓷的界面，玻璃结合与反应结合是提高厚膜质量的有效手段。