退火处理对ZnO薄膜结晶性能的影响

研究了退火处理对ZnO薄膜结晶性能的影响.ZnO薄膜由直流反应磁控溅射技术制得,并在O2气氛中不同温度(200～1000℃)下退火,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)对其结晶性能进行了研究,提出了一个较为完善的ZnO薄膜退火模型.研究表明:热处理可使c轴生长的薄膜取向性增强;随退火温度的升高,薄膜沿c轴的张应力减小,压应力增加;同时晶粒度增大,表面粗糙度也随之增加.在640℃的应力松弛温度(SRT)下,ZnO薄膜具有很好的c轴取向,沿c轴的应力处于松弛状态,晶粒度不大,表面粗糙度较小,此时ZnO薄膜的结晶性能最优.     

硅表面氧化膜的X光电子谱及部分参数固定法曲线拟合

本文用Ｘ光电子谱及部分参数固定曲线拟合方法分析了热生长硅氧化膜和硅的自然氧化膜中硅和氧的结合状态，发现两者均不是单一的ＳｉＯ２，硅在以上两种氧化膜中共有四种氧化状态，即Ｓｉ＋１，Ｓｉ＋２，Ｓｉ＋３和Ｓｉ＋４，它们相对于体Ｓｉ２ｐ，峰的化学位移分别为０．８５，２．３５，３．５５和４．６０ｅＶ．在硅的初期氧化阶段无Ｓｉ＋４成分出现．     

ZnO薄膜应用的最新研究进展

ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料。详细介绍了ZnO薄膜在太阳能电池、表面声波器件、气敏元件、压敏器件等领域的应用以及在紫外探测器、LED、LD等潜在应用领域研究开发的最新进展。     

基于低能量直流的真空断路器短路开断能力评估

针对目前真空断路器无法在现场进行短路开断能力评估的问题,提出一种利用低能量直流对真空断路器短路开断能力的评估方法。首先分析真空断路器的基本结构和电弧开断原理,得出工程实践中真空断路器开断故障电流失败的原因;其次使用小容量直流高电压、直流大电流模拟真实情况,在断路器触头间注入可控的直流电流和直流电压,通过检测断路器分闸过程电气量变化时间来评估断路器的极限开断能力。对安徽某变电站VS1-12真空断路器进行现场测试,结果表明低能量直流法能有效评估真空断路器短路开断能力,适合现场对断路器短路开断能力的筛查评估。     

硅基LiNbO3薄膜的微结构研究

利用透射电子显微镜及X射线衍射，研究脉冲激光沉积技术(PLD)在Si(001)衬底上生长LiNbO3薄膜的微结构．结果表明，在600℃的衬底温度、30Pa的氧分压条件下，在硅片表面5nm厚的非晶氧化层上生长的薄膜，为c轴择优取向的单相LiNbO3晶体，本文还讨论了获得c轴择优取向LiNbO3薄膜的生长机理．     

套筒石灰窑下拱桥损毁分析及改造的可行性研究

分析了马钢套筒石灰窑烧成带镁铬砖及镁铝尖晶石砖损毁的原因，认为该砖的手工成型生产工艺导致强度低、高温下氧化铬的挥发、碱金属与氧化铬化合生成水溶性铬酸盐而流失、氧化—还原性气氛的变化产生体积效应等是镁铬砖损毁的主要因素，水化问题是镁铝尖晶石砖损毁的主要原因。为减少污染、提高寿命、提出了砖型改变和烧成刚玉预制件的改造方案。     

不同倾角贯穿节理类岩石试件峰后变形破坏试验研究

用微机控制高刚度伺服试验机,开展预制贯穿节理类岩石试件的单轴压缩试验,系统研究贯穿节理类岩石试件峰后应力-应变曲线、破坏形式、峰后残余强度、峰后视泊松比等与裂隙倾角之间的关系。试验发现：(1)节理倾角为15°时,峰后的应力-应变曲线和完整试件的基本相同,当节理倾角为30°,40°,50°,60°时,峰后应力-应变曲线与完整试件的差别很大;(2)峰值强度随着节理倾角的增大而减小,峰后的残余强度也大致上随节理倾角增大而减小;(3)随着节理倾角的增大,含节理试件的泊松比也随之增大,而峰值强度后破坏阶段的视泊松比则随之变小;(4)试件峰后破坏模式随节理倾角的变化而不同,在倾角为15°时为劈裂破坏,倾角为50°,60°时为剪切破坏,倾角为30°,40°时为劈裂和剪切破坏的混合模式。研究成果可以反映含单组全贯穿节理类岩石材料的加载破坏峰后力学和变形破坏特性。     

麦尔兹石灰窑悬挂缸耐火材料的技术改进

从结构和原材料分析华塑公司3座麦尔兹石灰窑悬挂缸浇注料脱落的原因,提出了技术改进方案,介绍了具体处理措施及改进后的效果。     

超长单晶硅纳米丝的化学气相沉积法制备

采用化学气相沉积法在镀金硅片上制备出了大量直径均匀、长度大于100肿的单晶纳米硅丝。采用场发射扫描电镜（FESEM）、能谱分析（EDX）、透射电镜（TEM）和拉曼光谱（Rarnan）对样品进行了表征和分析，并对超长纳米硅丝的生长机理进行了讨论。     

利用HWCVD在柔性衬底上制备多晶硅薄膜

通过热丝化学气相沉积法（Hot Wire Chemical Vapor Deposition, HWCVD），采用间歇供应硅烷气体，持续通入氢气的方式控制硅薄膜的生长，发现该方法在有机衬底上生长的薄膜结构为多晶相占主导地位。此外，研究了不同间歇周期条件下薄膜的形貌和结构，并对生长机理进行了解释和讨论。