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1.
研究了厚膜永磁阵列微致动器中的磁场分布,并研究了永磁阵列单元几何尺寸对微致动器电磁力的影响。结果表明,厚膜永磁阵列单元高宽比和磁体单元间隔对微致动器电磁力影响较大磁徕单元高宽比为0.7是一个比较合适的尺寸。  相似文献   
2.
采用多层薄膜结构制备了NiCr/NiSi薄膜热电偶,该薄膜热电偶依次由Ni基超合金基片、NiCrAlY过渡层、Al2O3热氧化层、Al2O3绝缘层、NiCr/NiSi薄膜热电偶层以及Al2O3保护层构成.主要研究了热电偶层薄膜厚度和时效处理对热电偶性能的影响以及温度对Al2O3绝缘层绝缘性的影响.静态标定结果表明,热电...  相似文献   
3.
采用伪邻近点法,对薄膜磁致伸缩系数测试试验中得到的不同性质的测试数据分别进行处理,发现它们具有确定性的特征,从而可得测试中异常状态基本由系统本身引起,这样通过调节及改进测试系统就能减小其影响,得到较为可靠的光点位移数据。  相似文献   
4.
采用真空熔炼方法制备了(Fe64Ni36)1-xMnx(x=1, 2, 3, 4, 5%)热磁合金,系统研究了Mn含量对合金热磁性能的影响.结果表明,Mn含量对合金的相结构影响很小,但显著影响合金的工作磁感应强度(Bm)、居里温度(TC)和磁感应强度的温度变化率(dBm/dT).随Mn含量增加,Bm和TC均单调下降;dBm/dT先增大后减小,在Mn含量为2%时达到最大值.Mn含量为3%的样品在20~160℃内Bm-T曲线线性度最佳,适合在该温度范围内用于磁温度补偿.  相似文献   
5.
Nd-Fe-B永磁材料氢脆机理与阻氢涂层研究   总被引:5,自引:1,他引:4  
本文利用三维 Mobius反演变换得到了金属 Nd原子间的相互作用势和 H原子间的相互作用势 ,利用组合规则得到了 Nd- H原子间的相互作用势 ,进而利用正则系统分子动力学算法研究了在一定加载应力强度因子下氢在 Nd晶体中的行为 ,模拟结果表明 ,H在 Nd晶体裂尖富集成许多氢原子团簇或氢气团簇 ,这在一定程度上解释了 Nd- Fe- B磁体中的氢爆现象 ,进而为 Nd- Fe- B阻氢涂层工艺提供理论参考 ,达到在原子分子水平上设计新型阻氢涂层的目的。对 Nd- Fe- B阻氢涂层的制备进行了实验研究 ,利用厚膜烧结方法在 Nd- Fe- B磁体表面涂覆银及高分子聚合物涂层 ,高压充氢实验结果表明 ,在 10 MPa、2 5℃的氢环境中 ,磁体充氢 178分钟未粉碎 ,最长可达2 88分钟 ,充氢后的磁体磁性能没有变化。另外 ,对 γ-辐照前后涂覆涂层的磁体进行了磁性能、充氢及尺寸测试 ,实验结果表明 ,涂覆涂层的磁体 γ-辐照前后磁性能、阻氢性能及磁体尺寸没有变化  相似文献   
6.
采用电子束蒸发和磁控溅射法在Ni基超合金基片上制备NiCr-NiSi薄膜热电偶,薄膜热电偶依次由Ni基超合金基片、NiCrAlY过渡层、Al2O3热氧化层、氧化铝绝缘层、NiCr-NiSi薄膜热电偶层以及氧化铝保护层构成。对此薄膜热电偶样品的静态标定结果表明,所制备的金属基NiCr-NiSi薄膜热电偶在25~600℃内具有良好的线性度,Seebeck(塞贝克)系数达到37.5μV/K,略低于K型标准热电偶的塞贝克系数40.0μV/K。  相似文献   
7.
采用材料力学法对磁致伸缩薄膜两层悬臂梁挠度与薄膜磁致伸缩系数的关系进行了分析,所得结果与采用能量最小化和有限元法导出的结果完全一致,并将其扩展到多层悬臂梁的情形,得到了一个简洁的表达式。  相似文献   
8.
热处理对TaN薄膜电性能的影响   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用直流磁控溅射法在Al2O3陶瓷基片上制备了TaN薄膜,研究了热处理温度和时间对TaN薄膜的方阻(R□)及电阻温度系数(TCR)的影响。研究发现,在热处理时间为2h的条件下,热处理温度在200℃到600℃变化时,R□从12?/□增加到24?/□,TCR从15×10-6/℃下降到-80×10-6/℃;在热处理温度为300℃的条件下,热处理时间对R□及TCR影响较小,随着热处理时间的增长,R□及TCR略有变化。  相似文献   
9.
采用直流磁控溅射法在镍基高温合金DZ4上制备了NiCrA1Y薄膜,并对NiCrA1Y薄膜进行真空热处理后再进行高温氧化,以生成一层致密的Al2O3膜,研究了真空热处理对NiCrAlY薄膜表面高温氧化的影响.结果表明:经过真空热处理的NiCrA1Y薄膜,高温氧化后表面生成了单一、稳定的α-Al2O3相,Al和O的粒子数分...  相似文献   
10.
NdCl3镀液浓度对电镀CoNdNiMnP永磁薄膜阵列磁性能的影响   总被引:1,自引:1,他引:0  
基于轻稀土元素-Nd与过渡金属元素-Co之间的铁磁耦合作用提高电镀CoNiMnP永磁薄膜阵列的磁性能,在电镀时引入稀土Nd元素进入CoNiMnP永磁薄膜阵列中,通过改变镀液中NdCl3的浓度而改变CoNdNiMnP薄膜中的Nd含量.对镀液中NdCl3浓度与薄膜磁性能的关系进行了分析与测试,结果表明室温下,在电流密度为5mA/cm2时,具有垂直各向异性的CoNdNiMnP永磁薄膜阵列被成功地电镀得到.随着NdCl3浓度的增加,薄膜的磁性能提高,当NdCl3浓度增加到0.25×103g/cm3时,薄膜的磁性能达到最大值,继续增加镀液中NdCl3浓度,薄膜阵列的磁性能不再增加.  相似文献   
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