铁电存储器的研究进展

介绍了铁电存储器的存储原理,同时对两种铁电存储器(铁电随机存取存储器和铁电场效应晶体管存储器)的研究进展、当前存在的问题以及我国目前在这一领域的研究现状进行了简单介绍,并对今后的技术发展进行了展望。     

铁电存储场效应晶体管I-V特性的物理机制模拟

文章讨论的模型主要描述了铁电存储场效应晶体管（FEMFET）的I-V特性。从理论结果可反映出几何尺寸效应和材料参数对晶体管电特性的影响。传统的阈值电压的概念巳不再适用，由于铁电层反偏偶极子的开关作用，自发极化的增加对存储器的工作状态产生很小的影响。该模型可用于设计和工艺参数的优化，并由直观原型的方法得到了验证。     

闪烁脉冲时间信息实时处理单元设计

多阈值采样法是以闪烁脉冲特征模型为先验知识,通过预设多个阈值电压,对脉冲上升沿数字化得到的时间-阈值采样点进行最小均方误差拟合以精确获取脉冲起始时间.高计数率是目前PET仪器发展的一个热点方向,这就要求采用多阈值方法提取时间信息的数据获取系统具有快速高效处理脉冲以减少系统死时间的能力.论文提出了一种基于FPGA的闪烁脉冲上升沿拟合算法,通过数据预处理技术、流水线设计结构和并行处理简化算法复杂度,实现实时闪烁脉冲时间信息快速获取.仿真和实验结果表明,在FPGA上实现该算法的处理速度和精度均达到设计要求,可以满足在高计数率环境下对闪烁脉冲进行实时处理的需求.     

基于序列匹配的自动评分算法设计

通过分析模拟训练设备的操作特点,以序列匹配方法为基础,结合模糊逻辑的思维,设计实现模拟训练设备操作教学考核的自动评分算法.该算法能对学员的操作过程进行自动评分.评分过程和评分结果表明,该算法对模拟设备具有普适性,符合人工评分的要求,能客观反映操作员的操作水平.     

钛酸铋基铁电薄膜研究进展

钛酸铋基铁电薄膜具有优良的铁电、介电性能,在非挥发性存储器件方面有很好的应用前景.本文分别从制备工艺、掺杂改性、疲劳特性的研究等方面综述了最新的研究进展,并对当前研究中存在的问题进行了讨论.     

Memory characteristics of Au/PZT/BIT/p-Si ferroelectric diode

A ferroelectric memory diode consisting of Au/PZT/BIT/p-Si multilayer configuration has been fabricated by pulsed laser deposition (PLD) technique. The ferroelectric properties and the memory characteristics are investigated. The P-E curve of the PZT/BIT/p-Si films system had an asymmetry saturated hysteresis loop with P, = 15 μC/cm2 and Ec = 48 kV/cm, and the decay in remanent polarization was only 10% after 109 switching cycles, meanwhile the increase in coercive field was 12% . The C-V hysteresis loop and the I-V curve showed a memory effect derived from the ferroelectric polarization of PZT/BIT films, and the current density was 6.7 × 10-8 A/cm2 at a voltage of + 4V. Our diode had nonvolatile and nondestructive memory readout operation. There was a read current disparity of 0.05 μA for logic "1" and logic "0" at a read voltage of + 2V, and the stored logical value ("1" or "0") could be read out in 30 min.     

Sol-gel法制备Bi3.15Nd0.85Ti3O12铁电薄膜的性能研究

用sol-gel法成功制备了Bi3.15Nd0.85Ti3O12铁电薄膜,XRD结果表明制备的BNT薄膜具有(117)和(00l)的混合取向,FE-SEM显示薄膜表面光滑致密,颗粒均匀.剩余极化Pr和矫顽场Ec分别为29.5μC/cm2和100kV/cm,经过109次循环后几乎无疲劳.     

PZT陶瓷靶材的制备及相成分分析

采用固相反应法制备了一系列PZT陶瓷靶材,并用XRD对其进行了相成分分析.结果表明,PbO的富足可以大大抑制PbZrO3的分解,还可以抑制焦绿石相的产生,起到稳定钙钛矿相的作用.然而,过量的PbO会使材料局部区域的相成分发生波动,故而破坏相成分的一致性.此外,对单块的PZT样品进行烧结还会出现陶瓷分层现象,将多块样品放在一起烧结或采用先进的烧结工艺有利于抑制分层.     

DVB传输流PCR抖动检测的FPGA实现

主要研究利用FPGA实现DVB码流检测的方法,首先介绍PCR抖动的基本原理及其形成原因,接着阐述系统工作流程以及结构.该设计模块由VHDL语言完成,并通过了系统验证.     

过渡金属氧化物LaFe1-xCrxO3体系的晶体结构和光电子能谱研究

我们在端点化合物LaFeO3中掺入Cr^3 ，制备了LaFe1-xCrxO3体系的系列样品。经XRD分析证明所制备的样品为单相体系，用MarqX程序对XRD数据进行分析得到其晶格常数。分别测定了入射光子能量在Fe2p吸收边以下和以上的O1s芯能级谱。从电子结构角度探讨了该体系晶体结构变化趋势。初步得出结论：随着Cr^3 掺杂量在LaFe1-xCrxO3中的增加，O2p向Cr 3d的电荷转移量也发生有规律的变化。