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本文研制了一台快速、精确测量材料放气性能的真空系统,对彩显管用石墨试样制备规范作了实验研究,并给出了国内外石墨试样放气总量的对比数据。 相似文献
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介质薄膜的透射光谱测量及其光学参数的分析 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍介质薄膜透射光谱的测量以及基于分析薄膜透射光谱的计算薄膜光学参数的方法。对制备在玻璃基板上的二氧化钛、二氧化硅和氧化锌薄膜进行了可见光谱区的透射比测量,并用包络线方法和最优化方法对这些透明薄膜的光学参数进行了计算和分析。着重讨论了最优化方法在分析薄膜光学参数中的应用及其误差分析。此外,还对包络线方法和最优化方法进行了比较。 相似文献
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用反应蒸发法制备的掺钼氧化铟 ( In2 O3:Mo,IMO)薄膜在可见光区域的平均透射率 (含 1 .2 mm厚玻璃基底 )超过 80 % ,电阻率最低达 1 .7× 1 0 - 4Ω·cm。采用等离子振荡波长法、van-der-Pauw法和光谱拟合法等三种方法对IMO薄膜和 ITO薄膜的载流子浓度进行了测量和比较 ,结果表明 IMO薄膜的载流子浓度还不到 ITO薄膜的三分之一。因此 ,IMO薄膜对可见光的吸收小 ,有很大的发展空间可以通过提高载流子浓度而进一步提高电导率 ,对近红外线也有较高的透射率 ,有利于拓展透明导电薄膜的应用领域 相似文献
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透明导电氧化物薄膜的新进展 总被引:8,自引:0,他引:8
透明导电氧化物(TCO)薄膜In2O3:Sn和SnO2:F都已经发展成熟,分别大规模应用于平板显示器和建筑两大领域。最近几年,TCO薄膜的研究又进入了一次复兴时期,研究和开发出几类具有明显特色的新型TCO薄膜。ZnO基TCO薄膜有替代In2o3:Sn薄膜的趋势;多元TCO薄膜材料可以调整其性能来满足某些特殊应用的需求;具有高载流子迁移率的In2O3:Mo薄膜为进一步提高TCO薄膜的性能打开了一条新路;真正的p型TCO薄膜为制造透明电子元器件迈出了第一步。 相似文献
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高价态差掺杂氧化物透明导电薄膜的研究 总被引:17,自引:3,他引:14
在实用的透明导电氧化物 (TCO)薄膜中 ,载流子迁移率主要是受电子与掺杂离子之间散射的限制。如果掺杂离子与氧化物中被替代离子的化合价相差较大 ,每个掺杂离子可以提供较多的自由载流子 ,则使用较少的掺杂量就可以获得足够多的自由载流子 ,而且可以获得较高的载流子迁移率和减少薄膜对可见光的吸收 ,是提高 TCO薄膜性能的一条捷径。采用反应蒸发法制备的掺钼氧化铟(In2 O3:Mo,简称 IMO)薄膜中 ,Mo6 +与 In3+的化合价态相差 3,远大于广泛研究和应用的 TCO薄膜材料 In2 O3:Sn、Sn O2 :F和 Zn O:Al中的价态差。IMO薄膜的电阻率可以低至 1.7× 10 - 4 Ω· cm,对 4μm以上波长红外线的反射率和可见光区域的平均透射率 (含 1.2 mm厚玻璃基底 )都高于 80 % ;载流子迁移率高达 80~ 130cm2 V- 1 s- 1 ,远超过其它掺杂 TCO薄膜 ;但是自由载流子浓度只有 2 .5× 10 2 0~ 3.5× 10 2 0 cm- 3,还有很大的发展空间可以进一步提高性能 相似文献
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在玻璃基板上用直流反应磁控溅射钛靶的方法制备TiO 相似文献
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石墨出气总量及气体组分测量中的几个问题 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍了测量显象管内导电石墨的出气总量和气体组分的装置。样品的制备方法与实用条件相仿,以期取得反映实用结果的实验方法。本文还讨论了影响实验精确性的几个问题。 相似文献
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ZnO:Al透明导电薄膜的研制 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍用直流平面磁控溅射方法制备掺铝的氧化锌透明导电薄膜并研究了其特性,阐述了金属氧化物透明导电薄膜研究的发展情况及其应用前景,并讨论了氧化锌掺铝薄膜的优点。介绍了ZnO∶Al薄膜的制备情况:靶的制备及薄膜的制备过程。测量了薄膜的光电特性,包括透射比、折射率、消光系数、方块电阻、电阻率、载流子浓度和迁移率等参数,并分析了各种实验条件对薄膜性能的影响。 相似文献