离子束混合诱导稀土金属Ce与Si的界面反应及硅化物的形成

本文详细讨论了离子束混合下,Ce/Si〈100〉双层膜体系界面反应的动力学过程以及硅化物的形成规律.样品经150KeV Ar离子注入,辐照温度从LNT到300℃,剂量从5×X10~(14)到8.1×10~(16)Ar/cm~2.界面反应形成的硅化物为CeSi_2,其结构为体心正交结构.硅化物是分层生长的,厚度与注入剂量的平方根成线性关系,这说明界面反应是扩散控制的.与近贵金属/硅体系和难熔金属/硅体系相比较可以看出,稀土金属Ce/Si体系的相变过程与难熔金属/硅体系的相似;而混合的动力学行为与近贵金属/硅体系的相似.本文还讨论了化学驱动力和辐射增强扩散对混合的贡献.     

LATTICE LOCATION DETERMINATION OF TRACE AMOUNT CARBON IN GALLIUM ARSENIDE BY THEORETICAL CALCULATION OF CPAA WITH CHANNELING

Combining the charged particle activation analysis (CPAA) and the (?)hanneling technique, partial concentrations of carbon on different crystal lattice locations of GaAs were calculated. The results show that at lower total concentration (≈0.3 ppm), carbon atoms occupy principally the octahedral and displaced octahedral interstitial positions, but at higher total concentration (≈2 ppm), the substitutional carbon plays a principal role.     

Ni/Si体系离子束混合及相变研究

注入参量变化引起不同的混合结果,在宽温区中得到Ni_2Si、NiSi、NiSi_2多种化合物相,进而探讨了Xe离子诱导的Ni/Si体系界面原子混合机理及诱发相变的动力学过程。     

几种无限供应的金属/硅体系离子束混合相变

研究了五种无限供应的 Bilayer 膜金属/硅体系中(Ni/Si,Cu/Si,Nb/Si,Mo/Si,Ti/Si),因离子束注入引起的界面原子交混及相变过程。界面温度和注入离子剂量显著影响薄膜相变,在生成各种金属 Si 化物及固溶体时,反应温度和生长激活能大大降低,相变动力学过程与热退火反应不尽相同,诱导离子和基体取向对成相生长也有影响。讨论了相应微观机理。     

ELASTIC RECOIL DETECTION ANALYSIS OF LIGHT ELEMENTS IN THIN FILMS USING 35 MeV~(35) Cl~(6+) BEAM

In this paper, an elastic recoil detection analysis method is described using 35 MeV ~(35)Cl as incident ions. This method can determine and profile simultaneously H, D, He, C and O or in the other case, H, C, N and O. The depth resolution for the elements heavier than He is better than 20 nm. It has been applied to study the Co/Si and TiN thin films, and the depth profiles of He implanted in monocrystal silicon.     

300keV Xe~(2 )离子束诱导的金属/硅界面反应

采用RBS分析方法,研究了宽温区(LNT—400℃)下Xe~(2 )离子束诱导引起的金属/硅界面反应,得到多种硅化物单相或双相生长层,讨论了化学驱动力和辐射增强扩散效应。     

~(12)C重离子背散射方法及其对YBa_2Cu_3O_7超导膜界面元素扩散行为的研究

将利用~(12)C作为轰击粒子的重离子背散射技术与利用α粒予作为轰击粒子的常规背散射技术相比较,讨论了质量分辨率、深度分辨率及分析灵敏度等方面重离子背散射所表现出来的优点,并且利用~(12)C重离子背散射方法分析了YBa_2Cu_3O_7/SrTiO_3界面处元素之间的扩散行为。