排序方式: 共有23条查询结果,搜索用时 62 毫秒
1.
2.
3.
Si(001)斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了Si(001)面偏[110]方向6°斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长.实验结果表明,在Si(001)6°斜切衬底上固相外延生长Ge量子点的最佳退火温度为640℃,在斜切衬底上成岛生长的临界厚度低于在Si(001)衬底成岛生长的临界厚度,6°斜切衬底上淀积0.7nm Ge即可成岛,少于Si(001)衬底片上Ge成岛所需的淀积量.从Ge量子点的密度随固相外延温度的变化曲线,得到Ge量子点的激活能为1.9eV,远高于Si(111)面上固相外延Ge量子点的激活能0.3eV.实验亦发现,在Si(001)斜切衬底上固相外延生长的Ge量子点较Si(001)衬底上形成的量子点的热稳定性要好. 相似文献
4.
Ge_(0.5)Si_(0.5)/Si应变层超晶格材料退火稳定性的X射线双晶衍射研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文通过X射线双晶衍射和计算机模拟摇摆曲线方法研究了在Si(001)上生长的GexSi1-x/Si(x≈0.46)应变层超晶格在不同退火条件下的稳定性和结构变化,结果表明:在退火过程中,应变层发生了应变弛豫,其弛豫时间常数与退火温度有关,弛豫的激活能为0.55eV.同时,退火过程中超晶格的层与层之间发生了互扩散,直至为均一成份的合金层,平均扩散激活能为2.7eV,950℃时的扩散系数DT=950℃=1.1e-20m2/s.在退火过程中外延层的晶体完整性明显下降. 相似文献
5.
6.
7.
硼原子对Si(100)衬底上Ge量子点生长的影响 总被引:3,自引:1,他引:2
研究了硼原子对 Si( 1 0 0 )衬底上 Ge量子点自组织生长的影响 .硼原子的数量由 0单原子层变到 0 .3单原子层 .原子力显微镜的观察表明 ,硼原子不仅对量子点的大小 ,而且对其尺寸均匀性及密度都有很大影响 .当硼原子的数量为 0 .2单原子层时 ,获得了底部直径为 60± 5nm,面密度为 6× 1 0 9cm- 2 ,且均匀性很好的 Ge量子点 .另外 ,还简单讨论了硼原子对 Ge量子点自组织生长影响的机制 . 相似文献
8.
本文报道了由表面形貌观测、X射线双晶衍射、喇曼光谱、透射电镜及深能级解态谱对硅分子束外延中硅衬底在热处理过程中由于热应力、重力等影响导致缺陷产生的研究.由于衬底温度梯度导致样品表面存在位错滑移线,在衬底与外延层界面有着高密度的位错网络,在高的温度梯度区有晶粒间界及多晶存在,并伴有扭曲和不平整,在样品中央部份生长状态较好的锗硅合金层超晶格有部份应变会弛豫而转化为失配位错,这严重影响锗硅超晶格的质量.采用新结构的石英样品座改善了样品温度均匀性,并消除外加应力的影响,己可生长出高质量的锗硅超晶格. 相似文献
9.
本文首次研究金属Co与分子束外延Si1-xGex单晶薄膜快速热退火(RTA)固相反应,并对比了CO、Ti与SiGe固相反应时不同的反应规律实验采用RBS、AES、XRD、SEM等分析和测试手段对样品的组分和结构等薄膜特性进行检测.实验发现,Co/Si0.8Ge0,2在650℃热退火后形成组分为Co(Si0,9Ge0.1)的立方晶系结构,薄膜具有强烈择优取向;900℃处理温度,有CoSi2形成,同时Ge明显地向表面分凝.TiN/Ti/Si0.8Ge0.2固相反应时,850℃处理可以形成Ti(Si1-yGey 相似文献
10.
研究了Si(001)面偏[110]方向6°斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长.实验结果表明,在Si(001)6°斜切衬底上固相外延生长Ge量子点的最佳退火温度为640℃,在斜切衬底上成岛生长的临界厚度低于在Si(001)衬底成岛生长的临界厚度,6°斜切衬底上淀积0.7nm Ge即可成岛,少于Si(001)衬底片上Ge成岛所需的淀积量.从Ge量子点的密度随固相外延温度的变化曲线,得到Ge量子点的激活能为1.9eV,远高于Si(111)面上固相外延Ge量子点的激活能0.3eV.实验亦发现,在Si(001)斜切衬底上固相外延生长的Ge量子点较Si(001)衬底上形成的量子点的热稳定性要好. 相似文献