压电晶体Al1—xGaxPO4的生长及其特性

用缓慢升温法成功研制出非铁电性二元系压电新晶体Ａｌ０．８８Ｇａ０．１２ＰＯ４，通过原子光谱吸收，Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ背散射及Ｘ射线粉末衍射测定其组分结构，并给出了新晶体和电弹常数和温度系数。     

CsI：Tl晶体生长中存在的问题及其解决途径

用Ｂｒｉｄｇｍａｎ方法制备了掺铊的碘化铯晶体，样品经过切割，研磨和抛光，观察了它们的缺限，测定其光学性质，结果表明，气泡，包裹体和局部开裂严重地影响晶体的光学质量和完整性，通过使用高纯试剂，惰性气氛生长，分段和均匀掺杂，窄的熔区和合适的温度梯度，能够明业改善晶体的性质和质量。     

KTP内腔倍频YAG激光器

我们研制了一台KTP内腔倍频YAG激光器,输出平均功率达8.9W,脉宽70ns,发散角5mrad。 内腔倍频YAG激光器是获得高平均功率绿光的有效方法之一,但在钛氧磷酸钾(KTiOPO_4)出现以前,大多采用LiIO_3、LiNbO_3和Ba_2NaNb_5O_16作为倍频晶体。它们或者由于倍频系数不够高,或者由于破坏阈值低,或者由于使用条件苛刻等原因,倍     

Ca0.28Ba0.72Nb2O6单晶的光学性质的研究

研究了室温下铌酸钙钡单晶的光学性质。分别用分光光度计和椭偏光谱仪测量了铌酸钙钡晶体的透射率和折射率随波长的变化关系，结果表明铌酸钙钡晶体具有正常色散关系，且寻常光折射率‰大于异常光折射率ne，说明该晶体为负的单轴晶。折射率之差在短波区达到0．12。透射率光谱显示该晶体在400～900nm波段是透明的。根据透射率计算了该波段晶体的吸收系数以及它的平方根。通过对该曲线的研究，发现铌酸钙钡晶体吸收边以下对应的跃迁为间接跃迁，计算出间接跃迁的禁带宽度E为2．94eV以及声子能量E为0．17eV。此外，通过改变系统光路中偏振片的透振方向，获得了寻常光和异常光的透射率，并进一步计算了它们的吸收系数。     

掺钠钛酸铋薄膜的制备及主要性能的研究

采用金属有机溶液分解法（MOSD）在SiO2/p-Si（111）衬底上制备了Bi3．25 Na2．25 Ti3O12（BNaT）薄膜。利用X-射线衍射技术研究了薄膜的结构和结晶性，同时还研究了不同退火温度对漏电流、积累态电容、损耗因子的影响及薄膜的I-V、C-V和ε-f性能。     

光学显微术研究 KTP 晶体的缺陷

本文报导了用反射和透射显微镜观察到的KTP晶体的表面和腐蚀缺陷。揭示了该晶体的生长规律,并讨论了缺陷的成因和对激光性能的影响。     

新型压电晶体Al_（1－x）Ga_xPO_4的研究

我们用缓慢升温法首次成功地研制出非铁电性的二元系压电晶体Ａｌ＿（０．８８）Ｇａ＿（０．１２）ＰＯ＿４。利用原子光谱吸收、卢瑟福背散射及Ｘ射线粉末衍射对其组分及其结构进行了测定。     

磷酸铝晶体中双晶的研究

磷酸铝晶体中存在两类双晶:电双晶和光双晶。本文用光学方法和X射线形貌术研究了这两类双晶的形态、分布规律、形成原因及消除双晶的途径。     

掺钐钛酸铅铁电薄膜的制备和主要性质

采用金属有机分解法(MOD)在P型Si(111)衬底上制备了Pb0.85Sm0.1TiO3(PST)薄膜。用X-射线衍射技术研究了退火温度对薄膜的结构和结晶性的影响。同时还研究了薄膜的介电、铁电和绝缘性能。结果发现在600°C下退火1h的PST薄膜呈钙钛矿结构;在0～16V范围内,薄膜的漏电流小于1.17×10-7A;在±10V的偏压范围内,电容-电压(C-V)记忆窗口宽度为4.5V;在室温10kHz下,其介电常数为37.25,介电损耗为0.042。     

水热条件下氧化锌单晶的结构与形貌分析

应用水热生长法,采用双温区高压反应釜、贵金属内衬,矿化剂使用KOH、NaOH和Na2CO3,生长出了毫米级六方结构的透明ZnO单晶。分析了ZnO晶体的结构和形貌,对水热条件下温度、温差、填充度、矿化剂种类和浓度等因素对于ZnO晶体的结晶速度和结晶形貌的影响进行了深入研究,并对结果进行了分析和讨论。