排序方式: 共有14条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
3.
本工作研究了用 Cd 改性的铌酸锶钡晶体(配方为 Cd_xSr_(0.5-x/(?))Ba_(0.5-x/(?))Nb_2O_6,x=0,0.005,0.01,0.015,0.03,0.05)的介电温度(10~580K)特性、低温(10~300K)热释电性以及室温时的介电谱和铁电性。发现在350~400K 范围内,晶体发生顺电-铁电相变;在100K 附近,ε′—T 曲线和 P—T 曲线稍有转折,可能存在新的相变;这些晶体的新鲜样品的电滞回线有严重的收缩现象,实验表明,在电滞回线的收缩过程中,这些试验样品被部分极化。 相似文献
4.
5.
6.
主客掺杂聚合物材料薄膜介电性的研究 总被引:3,自引:3,他引:0
制备了3-(1,1-二氰基噻吩)-1-本-4,5-二羟羟基-H-噻唑(DCNP)与聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)组成的主客掺杂聚合物薄膜DCNP/PMMA,用DCS测量了该体系的玻璃化温度。在玻璃化温度以上30℃测量了温区范围内该材料的介电常数的实部和虚部随频率的变化曲线,测试频率范围为50Hz~10MHz。由以上各介质谱曲线所对应温度下的特征弛豫时间τ,结合Adam-Gibbs模型,模拟计算出了玻璃化温度以下该聚合物的弛豫时间。 相似文献
7.
8.
9.
10.
研究了一种以SrTiO_3为基的电容器陶瓷材料。通过对瓷料配方和制造工艺的改进,得到了在-25~85℃的温度范围内,介电常数ε大于2200,介电常数的温度稳定性较好的瓷料。该瓷料可用于设计制造彩电用中高压电容器。 相似文献