排序方式: 共有6条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1
1.
镍钛记忆合金薄膜的制备与结构 总被引:1,自引:0,他引:1
采用射频溅射法成功地制备了NiTi形状记忆合金薄膜。研究了不同成分靶材对膜最终成分的影响。电子探针和俄歇能义测定结果表明,在Ni(50at%)/Ti(50at%)的靶材上添入量的Ti,可以获得Ni/Ti为1:1的薄膜。 相似文献
2.
采用射频溅射法成功地制备了NiTi形状记忆合金薄膜。研究了不同成分靶材对膜最终成分的影响。电子探针和俄歇能谱仪测定结果表明,在Ni(50at%)/Ti(50at%)的靶材上添入适量的Ti,可以获得Ni/Ti为1:1的薄膜。经晶化处理后,其结构为B2,用电阻法和差热分析确定TAs,TAf,TMs和TMf点分别为22,44,30,60℃。观察到了形状记忆现象。 相似文献
3.
4.
Cu-Zn-Al合金中马氏体的有序化对形状记忆效应的影响 总被引:7,自引:0,他引:7
研究了Cu-Zn-Al合金分别经水淬、分级淬火和淬火加时效处理后,马氏体的有序化程度及其和形状记忆效应(SME)之间的关系.有序化程度用一些特定马氏体线对的面间距差值△d来表征,线对指数应满足下式:(h_1~2-h_2~2)/3=(k_2~2-k_1~2)/n(对9R马氏体n=1,对18R马氏体N=4).分级淬火得到M18R马氏体,其△d值随分级等温时间而增大,与形状恢复能力η的提高一致.水淬得到M9R马氏体,刚淬火状态有相当大的△d和良好的SME,但室温停留使△d和η均下降,TEM点阵条纹象证实这是淬火过饱和空位在(001)_M基面聚集、降低有序程度的结果.淬火后高温时效(180℃)或过高的分级温度都会使△d和η下降,这与α相析出以及可能发生的溶质原子偏聚有关,都会降低有序程度. 相似文献
5.
以特高压电网网架建设为背景,使设计数据和计算方法能更加灵活地被客户端调用及管理为目的,构建了以年费用最小法为量化评估标准、以电磁环境限制要求为约束条件的输电线路导线选型模型,设计开发了基于ASP.NET的输电线路导线选型分析系统。该系统是一个可扩展的网页应用程序,采用B/S架构模式,系统维护和升级方式简单,利用.NET平台下的可扩展标记语言(XML)和Web Serv-ices技术处理模块间的控制及集成,实现了公共信息的收集、发布、查询功能。最后通过某特高压工程数据计算,验证了系统模型的合理性和可靠性。 相似文献
6.
本文研究射频磁控溅射镍钛形状记忆薄膜相变行为和性能。在一定化学成分下,晶化退火温度对富钛薄膜的相变过程及相变温度有很大影响。富钛薄膜的葙变温度一般较高,马氏体相在一定化学成分下,晶化退火温度对富钛薄膜的相变过程及有很大的影响。「富钛薄膜的相变温度一般较高。马氏体相变温度在室温之上。在富钛薄膜中有可能出现双马氏体峰。富钛薄膜在循环或者时效时,相变特性和结构显示了良好的稳定性。研究结果表明,富钛的镍钛 相似文献
1