电机混流生产新模式关键技术

根据电机装配的特点,提出一种以自动装配线和积放链为基础的混流生产线设计模式。该模式下的混流生产线简单、高效、易操作,但该生产线对企业管理和信息化水平提出了更高要求[5],只有以此为基础,才能实现高效的混流装配。     

离子损伤对等离子体辅助分子束外延生长的GaNAs／GaAs和GaInNAs／GaAs量子阱的影响

研究了离子损伤对等离子体辅助分子束外延生长的GaNAs／GaAs和GaInNAs／GaAs量子阱的影响．研究表明离子损伤是影响GaNAs和GaInNAs量子阱质量的关键因素．去离子磁场能有效地去除了等离子体活化产生的氮离子．对于使用去离子磁场生长的GaNAs和GaInNAs量子阱样品,X射线衍射测量和PL谱测量都表明样品的质量被显著地提高．GaInAs量子阱的PL强度已经提高到可以和同样条件下生长的GaInAs量子阱相比较．研究也表明使用的磁场强度越强,样品的光学质量提高越明显．     

高精度深孔钻床结构的创新研究

现有的深孔钻床的加工能力无法满足轴封主泵主螺栓深孔加工的要求,通过对深孔钻床的结构及其工作原理进行分析,本文详细阐述了改进后的高精度深孔钻床的结构特点,着重介绍及分析高精度深孔钻床在刀具装夹、工件装夹、排屑及高压冷却系统的创新性。     

Effects of Rapid Thermal Annealing on OpticalProperties of GaInNAs/GaAs Single Quantum Well Grown by Plasma- Assisted Molecular Beam Epitaxy

Semiconductor lasers with emission in the1 .3— 1 .55mm wavelength range are im-portant for optical fiber communication[1 ] .However,the conventional Ga In As P/ In P sys-tem has the disadvantage ofrelatively low characteristic temper...     

离子损伤对等离子体辅助分子束外延生长的 Ga NAs/ Ga As和Ga In NAs/ Ga As量子阱的影响

研究了离子损伤对等离子体辅助分子束外延生长的 Ga NAs/ Ga As和 Ga In NAs/ Ga As量子阱的影响 .研究表明离子损伤是影响 Ga NAs和 Ga In NAs量子阱质量的关键因素 .去离子磁场能有效地去除了等离子体活化产生的氮离子 .对于使用去离子磁场生长的 Ga NAs和 Ga In NAs量子阱样品 ,X射线衍射测量和 PL 谱测量都表明样品的质量被显著地提高 .Ga In As量子阱的 PL 强度已经提高到可以和同样条件下生长的 Ga In As量子阱相比较 .研究也表明使用的磁场强度越强 ,样品的光学质量提高越明显     

Effects of Growth Conditions on Optical Properties of GaInNAs/GaAs Quantum Well Grown by Molecular Beam Epitaxy

Long wavelength ( 1.3 or 1.55μm) laser diodes have attracted much attention in re-centyears due to the minimum loss in the optical fiber communication. These wavelengthsare accessible to InGaAsP/InP based on semiconductor activ...     

GaInNAs/GaAs量子阱激光器的发展与未来

ＧａＩｎＮＡｓ是一种直接带隙半导体材料,在长彼长（１．３０和 １．５５μｍ）光通信系统 中具有广阔的应用前景．通过调节 Ｉｎ和 Ｎ的组分,既可获得应变 ＧａＩｎＮＡｓ外延材料,也可制 备ＧａＩｎＮＡｓ与ＧａＡｓ匹配的异质结构,其波长覆盖范围为０．９－Ｎ２．０μｍ．ＧａＩｎＮＡｓ／ＧａＡｓ 量子阱激光器的特征温度为 ２００ Ｋ,远大于现行 ＧａＩｎＮＡｓＰ／ＩｎＰ激光器的特征温度（Ｔ０＝５０ Ｋ）． ＧａＩｎＮＡｓ光电子器件的此优异特性,对于提高光纤通信系统的稳定性、可靠寿命具有特 别重要的意义．由于ＧａＩｎＮＡｓ和具有高反射率（高达９９％）ＡＩ（Ｇａ）Ａｓ／ＧａＡｓ的分布布拉格 反射镜（ＤＢＲ）可生长在同－ＧａＡｓ衬底上,因此它是长波长（１．３０和 １．５５ μｍ）垂直腔面 发射激光器（ＶＣＳＥＬ）的理想材料．垂直腔面发射激光器是光纤通信、互联网和光信号处理的 关键器件． ＧａＡｓ基的超高速集成电路（ＩＣ）已有相当成熟的工艺．如果 ＧａＩｎＮＡｓ－ＶＣＳＥＬ 与 ＧａＡｓ－ＩＣ相结合,将使光电集成电路（ＯＥＩＣ）开拓出崭新的局面．本文还报道我们课题 组研制高质量 ＧａＮＡｓ／ＧａＡｓ超晶格和大应变 ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱结构取     

滚压处理对核主泵轴套耐磨性能的影响

采用了滚压加工的方法强化核主泵轴套表面, 研究滚压处理对马氏体不锈钢轴套耐磨性能的影响。采用EBSD系统、白光干涉仪、显微硬度计及摩擦磨损试验机分别对试样的晶粒度、粗糙度、显微硬度及摩擦系数进行表征。结果表明，基体表面粗糙度轮廓算术平均值Ra为383 nm，滚压层表面粗糙度表面轮廓算术的平均值Ra为63.7 nm，大概为基体的1/4～1/5；滚压层晶粒细化，小尺寸晶粒比例增大，在一定区域内占比由基体的62%左右增加到75%左右；基体显微硬度为260 HV，滚压层显微硬度达到550 HV，大概为基体硬度的2.2倍；滚压层的摩擦系数降低，摩擦系数曲线更加平缓，即表面光洁度降低。采用滚压加工后，零件的表面耐磨性显著提高。     

增强SH波电磁超声传感器信号的方法与实验

电磁超声传感器技术作为一种非接触无损测量方法,可用于恶劣工况的无损检测,尤其是可以实现水平剪切(SH)波的激励和接收。基于磁致伸缩效应的常规SH波电磁超声传感器信号较弱,为得到较强SH信号,改善信噪比,提出了一种增强电磁超声传感器信号的方法。该方法是在主永久磁铁闭合磁路上施加辅助永久磁铁,提高电磁超声线圈下部构件磁化强度,从而增强信号。实验证明:此方法可以使信号得到明显增强,并且有助于提高缺陷检测能力。