高可靠镀Ni／Au工艺及其在微波PTFE电路上的应用

介绍了高可靠电镀Ｎｉ／Ａｕ工艺在ＰＴＦＥ微波印制电路上的应用，并分析了氨基磺酸盐镀软镍和亚硫酸盐镀软金工艺的影响因素及提高Ｎｉ／Ａｕ镀层之间附着力的措施。通过实验及应用证明了与直接镀金工艺相比，在软基材ＰＴＦＥ敷铜箔板上镀Ｎｉ／Ａｕ工艺能大大提高微波电路的可焊性，高温稳定性和长期可靠性，并且用其所制作的微波器件的高频性能也优于直接镀金工业。     

Measurement of spatial resolution of 11 MeV proton radiography

Proton radiography experiment with a Zumbro lens system was carried out on an 11 MeV proton cyclotron.The experimental results show that the image blurring is improved markedly. Clear images and good spatial resolution of the density step edges are obtained, which is important for hydrotest experiments, and the spatial resolution can achieve ~100 μm.     

小型脉冲中子发生器用真空弧离子源研制

真空弧离子源以其结构简单、空间紧凑、氘离子流强大等优点,非常适合在小型脉冲中子发生器中使用。本文介绍了一款小型真空弧离子源,它利用氘化钛阴极同时作为氘气源和电极,避免了复杂的气路管道。该离子源外径约20 mm,长25 mm。采用电荷耦合器件(CCD)相机拍摄了该离子源放电光斑,发现弧流越大,光斑越大。采用偏压平板测量了该离子源的饱和离子流,当弧流大于100 A时,饱和离子流可达1 A以上。采用磁分析测量了等离子体中氘离子比例,结果表明氘离子比例随弧流增加而增加,最大约为27%。最后测量了该离子源在120 kV高压下打氘靶的中子产额,当弧流为100 A,脉宽为5 μs时,中子产额约1×105 n。该源可应用在小型脉冲中子发生器中。     

紧凑型医用回旋加速器的物理设计

介绍了能量11 MeV、流强50μA的紧凑型质子医用回旋加速器的物理设计方案,并较详细报告了各主要分系统(包括离子源、磁铁、高频、中心区、引出系统)的设计方法及结果。该加速器已经完成调试,成功引出平均流强50μA、能量11 MeV的质子束流,验证了整机物理设计的正确性。     

电阻法微型计算机控制气体渗碳

本文论述了控制炉气碳势的方法,指出滴注并式气体渗碳炉采用电阻法控制炉气碳势是行之有效的。介绍了电阻法碳势控制仪探头、仪表的结构、性能和井式气体渗碳炉的技术改造。建立了以TP805为主机的微型计算机控制系统,用PID调节规律控制炉温和炉气碳势;差分法计算渗碳层深度。应用电阻法微型计算机实现了井式炉气体渗碳工艺过程的精确控制。经一百多炉次叉车齿轮实际生产考核,渗碳质量完全达到了日本TCM叉车技术标准。     

常压空气亚微秒脉冲多层介质阻挡实验研究

多层介质阻挡放电可在纵向空间增大放电等离子体的体积及其与材料相互作用的表面积,在实际工业生产中将有广泛的应用前景。为此采用单极性重复频率高压亚微秒脉冲功率源,激励多层介质阻挡放电,在大气压空气中直径130 mm区域,获得3层介质2层间隙分别为2 mm、2 mm以及5层介质4层间隙分别为1 mm、1 mm、1 mm、2 mm的均匀放电等离子体,采用普通相机(曝光时间1/17 s)对放电图像进行拍摄,不能分辨放电细丝的存在。采用ICCD对三层介质挡板两层2 mm间隙放电过程进行高速摄影实验,在曝光时间5 ns情况下对放电等离子体进行拍摄,发现上下两层间隙放电发光均匀分布在整个放电间隙,并且两层发光强弱保持良好的一致性,表明多层介质阻挡放电击穿具有同时性。     

脉冲常压空气等离子体转动温度的光谱诊断

Dielectric barrier discharge(DBD) attracts lots of attentions for its great application promises,and the rotational temperature is one of its mostly important parameters.In order to measure the rotational temperature of a pulsed DBD in atmospheric air,the temperature is studied by using optical emission spectroscopy(OES).The discharge is excited by a high voltage pulse with 124 ns rise time and 230 ns full width at half maximum(FWHM) at a repetition rate of a few hundred hertz.The rotational temperatures are studied using different voltages,different repetition rates of the pulse power supply,and different gaps between dielectrics: They are in the range from 390 K to 500 K during the whole discharge.When the gap between dielectrics increases,the rotational temperature initially decreases and then increases.The rotational temperature changes complexly when the pulse repetition rate changes.When the voltage increases,the rotational temperature always decreases,which is not expected.These results allow one to predict the rotational temperature at different supply power parameters and electrode configurations,which is useful for the DBD’s industrial application.     

用于制作微波器件的脉冲图形镀金工艺研究

介绍了微波成电路中一种新的制作技术－脉冲图形电镀技术，并对影响脉冲电镀技术的关键因素－亚硫酸盐镀 组成及稳定性，添加剂ＴＴ－１和ＰＰ－１的作用脉冲波形的影响，产生镀层结瘤和微坑，夹杂的原因等作了详细的分析和探讨。     

超宽带精细微波器件优化图形电镀技术

介绍超宽带微波器件精细图形的制作技术和即图形电镀技术。通过对影响微波集成电路图形电镀技术的关键因素的讲话和优化，得到了图形电镀技术的最佳工作条件，解决了薄膜工艺中难以制作精细图形的难题。运用这种技术，已经制作出了２－１８ＧＨｚ放大器，相关器，均衡器等许多超宽带微波器件，并取得了满意的效果。