基于深度卷积神经网络的塑料垃圾分类研究

针对塑料垃圾识别分类问题,设计标准卷积层、残差卷积层1和残差卷积层2。通过实验仿真验证各卷积层的优势,将其应用于塑料垃圾分类模型的不同部位中。实验表明,塑料垃圾分类模型的分类准确率高于传统的HOG、LBP分类模型约2%～3%,可为塑料垃圾分类工作提供一定的参考。     

引线框架结构设计探讨

在集成电路封装过程中,引线框架作为主要的原材料,直接影响到IC产品封装的效率及可靠性,而引线框架的结构是影响效率及可靠性的关键。结合实际着重对引线框架机械结构:矩阵式IDF结构设计,外引线脚、基岛的锁定和潮气隔离结构,引线框架基岛结构设计三个方面做了详细的分析,阐述框架结构设计对产品高效率、高可靠性的贡献。     

基于.NET平台的插件式应用框架开发

应用框架是当前软件开发中最有效的重用方式之一,它可以实现代码重用、设计重用和分析重用;同时,应用框架也可以很好地应对因需求变化而造成的软件更改,使系统具有更强的扩展性。     

从IC封装产品可靠性谈封装冲切模具优化设计

随着电子产品市场日益升温,电子产品朝超薄、超小等方向发展,产品量的需求越来越大,产品可靠性越来越高,塑料封装模具的冲切工艺产生的分层现象是影响产品可靠性的主要原因之一。文章首先叙述了冲切过程产生的分层情况,其次从模具结构方面说明冲切产生分层的原因,并针对产生分层的原因提出冲切模具的优化设计,最后总结从实际生产过程中防分层要求设计冲切模具和框架,可避免在实际生产过程中IC胶体分层导致产品可靠性问题。     

键合功率对银线键合质量的影响

铜线键合技术是半导体封装的关键技术之一,影响键合质量的因素有很多。本文基于热压超声键合的方法,对影响铜线键合质量的主要工艺参数——键合功率,进行DOE研究分析。通过对键合后的产品进行焊点剪切失效模式、拉伸失效模式以及弹坑实验分析,研究键合功率对键合质量的影响,进而确定合理的工艺参数,最终应用于大批量生产。     

干熄炉斜道区在线检测技术应用

本文主要结合唐山首钢京唐西山焦化有限责任公司大型干熄焦装置运行业绩,针对干熄炉斜道区的使用现状如何进行高温在线检查,以及如何实现快速检测进行的优化,最终达到客观全面的评价使用情况,为干熄焦斜道区制定详细的检修计划提供依据进行了介绍。     

基于.NET平台的插件式应用框架开发

应用框架是当前软件开发中最有效的重用方式之一,它可以实现代码重用、设计重用和分析重用;同时,应用框架也可以很好地应对因需求变化而造成的软件更改,使系统具有更强的扩展性.     

铜框架表面氧化过程及氧化膜厚度测量

在集成电路封装过程中,表面氧化是制约铜框架大批量应用于生产的主要原因,而框架表面氧化程度的测量和管控是铜框架应用于封装的关键点。本文运用金属氧化理论阐述了铜框架表面氧化过程及机理;进行铜框架烘烤氧化实验后测量框架表面的氧化膜厚度,通过对测量数据拟合得到铜框架氧化膜生长曲线,从而可以预测铜框架在封装过程中的氧化程度,为集成电路封装工艺的设计和管控提供依据。     

载荷对SiC晶片抛光质量的影响

首先利用不同粒度的碳化硼研磨液对Si C晶片分别进行粗磨和细磨,然后利用金刚石微粉悬浮抛光液对晶片进行机械抛光,在此基础上进行最终的化学机械抛光。本文重点研究了化学机械抛光时,不同载荷对晶片质量的影响,并利用Taylor Surf CCI2000非接触式粗糙度检测仪来进行表征。实验结果表明:在主盘转速为60rpm,PH为11,抛光时间为120min,温度为20摄氏度的最优实验条件下,加载0.6kg/cm2的压力,初始粗糙度为17nm的晶片其粗糙度可减小至3.8nm;在一定范围内晶面的表面粗糙度随着载荷的增大而减小,材料去除率随着载荷增大而增大,当载荷增大到一定程度时候粗糙度并无明显变化。     

崩角问题分析探讨

在集成电路封装过程中,L（T）QFP／PQFP系列产品在胶体四角进浇口、排气槽位置的崩角问题已直接影响到封装成品率和产品可靠性。本文展现了崩角的几种现象,对出现的原因进行了分析,并提出了通过改善模具的凸凹模结构、改善框架冲切方向（反冲、胶体支撑）、优化塑封料特性、改进塑封模具等都可不同程度的改善崩角。综合考虑方案的可行性、经济性、方便性诸因素,选择最优化的途径,使解决崩角问题达到最佳效果。