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以镁粉(Mg)、硼粉(B)和苯(C_6H_6)为原料,经高能球磨和固相烧结制备C_6H_6掺杂的MgB_2超导块材,研究C_6H_6掺杂对MgB_2相演化、微观结构及超导临界电流密度Jc的影响。结果表明:C_6H_6掺杂几乎不改变MgB_2的形成温度;C进入MgB_2晶格替代B,晶格常数a逐渐减小,晶粒逐渐细化;掺杂C_6H_6摩尔分数为0.04的MgB_2样品具有相对低的超导临界转变温度T_c,为31 K,但却表现出优异的J_c,其在高温20 K、高磁场强度2 T下,Jc保持在3.6×10~4A/cm~2,这主要得益于晶界钉扎和点钉扎的混合磁通钉扎机制。 相似文献
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采用溶胶-凝胶法成功制备CoTiO_3纳米粒子样品,并采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)以及紫外-可见光(UV-vis)反射等方法对样品进行表征与分析。以CoTiO_3作为催化剂,过硫酸氢钾(PMS)为氧化剂,构建CoTiO_3/PMS体系,研究CoTiO_3用量、PMS浓度、反应温度和体系p H值对土霉素降解效果的影响。结果表明:当CoTiO_3为0.2 g,PMS浓度为5 mmol/L,温度为45℃时,CoTiO_3/PMS体系光照40 min后土霉素的降解率最高可达94.9%,表现出明显的光催化-类Fenton协同作用。 相似文献
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以水热法所制碳球为模板,采用溶胶?凝胶法制备LiMn2O4空心多孔颗粒(PLMO),研究了煅烧温度和碳球加入量对样品相演化和表面形貌的影响,比较了PLMO和未加入碳球的LiMn2O4 (LMO)的电化学性能. 结果表明,650?750℃煅烧12 h可制得蜂窝状孔型结构的PLMO;在放电倍率0.5C下循环50次,PLMO的放电容量从126 mA?h/g降至111 mA?h/g,均高于相应LMO的放电容量. 在5C放电倍率下,PLMO的首次放电容量可达89 mA?h/g,较LMO提高约39%. 相似文献
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目的:明确升压阶段及超高压处理后贮藏期内果蔬质构的动态变化规律。方法:本文研究100~600 MPa、0~2 min高压处理对胡萝卜硬度的影响,并探究其在14 d贮藏期内的硬度变化。从细胞膜透性、细胞显微结构、细胞壁果胶的酶促降解与组分变化,探究硬度变化的机理。结果:压力大于200 MPa会引起胡萝卜硬度下降(P0.05),300 MPa时硬度仅剩37.7%。保压阶段和贮藏过程中硬度变化不明显。相对电导率随压力的升高而增加,表明细胞膜透性增加。用透射电镜观察胡萝卜的微观结构,结果表明,高压处理能引起细胞形变,400 MPa导致膜裂解,600 MPa导致部分细胞溃散。超高压处理后胡萝卜在4℃贮藏期内,细胞分离和细胞壁降解程度加深。果胶甲酯酶、聚半乳糖醛酸酶仍保持较高活性,水溶性果胶含量显著下降(P0.05),向螯合性、碱溶性果胶的转化加速。结论:超高压引起的胡萝卜硬度损失主要由高压对细胞膜的机械损伤引起,果胶组分的转化有利于贮藏期内硬度的保持。 相似文献
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研究了高压Ar气氛中750℃低温下Tl2O分压对Tl2Ba2CaCu2O8超导薄膜相组成及其性能的影响。结果表明采用名义比为Tl1.9Ba2Ca2Cu3Oy的混合物作铊源时.生成的Tl2O分压达到最佳值。在该Tl2O分压下,获得了单相c取向的Tl2Ba2CaCu2O8超导薄膜,其Tc值达到108K;高于该分压时,薄膜中出现Tl2Ca3O6、Tl2O3。等杂相,导致膜面粗糙度增大和Tc值下降;低于最佳Tl2O分压.薄膜中生成了Tl2Ba2CaCu2O8和Tl2Ba2Ca2Cu3O10的共生相,导致Tc值下降;而Tl2O分压的进一步降低.则薄膜在铊化中不形成超导相。 相似文献
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