带调压阀的水轮机实时仿真系统

详细介绍了最新研制的带调压阀的水轮机实时仿真系统的数学模型、硬件平台、应用软件结构、系统功能;详细介绍了具体的试验应用。该系统最显著的特点是利用水轮机综合特性曲线开发的数据文件。     

表面活性剂PEG对制备Co_3O_4前驱体的影响

采用沉淀法制备出Co3O4的前驱体,研究了PEG的加入量对体系表面张力系数的影响;采用SEM和粒度分析仪等手段分析了表面活性剂PEG的加入量对Co3O4的前驱体形貌和粒度的影响。试验结果表明,当PEG的加入量为0.8%(质量分数,下同)时,溶液体系表面张力系数最小,可以获得分散性良好、中位粒径为0.1μm的前驱体颗粒。     

电磁屏蔽材料研究进展

依据电磁屏蔽原理,材料的电导率、磁导率及厚度是决定其屏蔽性能的决定性因素.铁磁材料和金属良导体材料、镀金属表面敷层型薄膜屏蔽材料、以各导电纤维为填充材料的填充复合型屏蔽材料以及银系、镍系和碳系导电涂料类屏蔽材料等是目前电磁屏蔽材料领域研究的主要内容和方向.综述了它们的研究现状、性能、应用、存在的优缺点等,并探讨了屏蔽材料未来的发展趋势.     

ZnO薄膜的制备及其性能

用脉冲激光沉积(PLD)法在SiO2基片上制备了ZnO薄膜和Zn1-xMnxO薄膜。X射线衍射、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计对ZnO薄膜的测试结果表明:薄膜具有(103)面的择优取向,表面比较平坦;SiO2基片上制备的薄膜在387nm附近存在明显的吸收边,且薄膜的吸收对基片温度变化不明显。通过对Zn1-xMnxO薄膜的吸收光谱分析得出:Mn离子的掺杂改变了ZnO薄膜的禁带宽度,随Mn离子的掺杂量的增加,薄膜禁带宽度增加;薄膜的光吸收也从直接跃迁过渡为间接跃迁过程。     

饱和土有效应力传感器的研制

饱和土有效应力传感器是岩土介质力学测试中所急需的一种传感器,通过对饱和土中孔隙水压力传感器的分析,建立了传感器滤水结构动态特性的数学模型,通过对该模型动态响应特性的分析,设计的传感器能有效应用于动态荷载作用下饱和土有效应力的测试,试验和实际应用效果良好。     

半导体PbSe薄膜的研究进展

综述了PbSe薄膜的制备方法,比较了各种制备方法的优点.重点探讨了温度、薄膜厚度和缓冲层对PbSe薄膜质量的影响.概述了PbSe薄膜在红外探测器和激光器方面的应用,指出了PbSe薄膜现存的问题及今后工作的重点和方向.     

脉冲激光沉积ZnO及其掺杂薄膜的研究

本文用脉冲激光沉积（PLD）法在SiO2基片上制备了ZnO薄膜和Zn1-xMnxO薄膜。X射线衍射、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计对ZnO薄膜的测试结果表明：薄膜具有（103）面的择优取向，表面比较平坦；SiO2基片上制备的薄膜在387nm附近存在明显的吸收边，且薄膜的吸收对基片温度变化不明显。通过对Zn1-xMnxO薄膜的吸收光谱分析得出：Mn离子的掺杂改变了ZnO薄膜的禁带宽度，随Mn离子的掺杂量的增加，薄膜禁带宽度增加；薄膜的光吸收也从直接跃迁过渡为间接跃迁过程。     

脉冲激光沉积ZnO薄膜的制备及其性能研究

本文用脉冲激光沉积(PLD)法在SiO2基片上制备了ZnO薄膜和Zn1-xMnxO薄膜.X射线衍射、原子力显微镜、紫外-可见光分光光度计对ZnO薄膜的测试结果表明:薄膜具有(103)面的择优取向,表面比较平坦;SiO2基片上制备的薄膜在387 nm附近存在明显的吸收边,且薄膜的吸收对基片温度变化不明显.通过对Zn1-xMnxO薄膜的吸收光谱分析得出:Mn离子的掺杂改变了ZnO薄膜的禁带宽度,随着Mn离子掺杂量的增加,薄膜禁带宽度增加;薄膜的光吸收也从直接跃迁过渡为间接跃迁.     

ZnO及掺杂ZnO薄膜的研究进展

ZnO薄膜是一种Ⅱ~Ⅵ族的宽禁带半导体材料,具有优异的物理化学性能。通过对薄膜的掺杂,可以改善其性能或赋予其新的性能,使其应用更加广泛。作者综述了ZnO薄膜的制备方法,比较了各种制备方法的优缺点,重点探讨了ZnO及其掺杂薄膜在压电、光电、气敏及磁性能方面的研究,并对今后的研究方向进行了展望。