收费全文 | 129186篇 |
免费 | 12065篇 |
国内免费 | 6515篇 |
电工技术 | 8435篇 |
技术理论 | 9篇 |
综合类 | 9320篇 |
化学工业 | 20388篇 |
金属工艺 | 7785篇 |
机械仪表 | 8831篇 |
建筑科学 | 10370篇 |
矿业工程 | 4466篇 |
能源动力 | 3580篇 |
轻工业 | 7976篇 |
水利工程 | 2549篇 |
石油天然气 | 8002篇 |
武器工业 | 1301篇 |
无线电 | 14967篇 |
一般工业技术 | 14466篇 |
冶金工业 | 5786篇 |
原子能技术 | 1455篇 |
自动化技术 | 18080篇 |
2024年 | 269篇 |
2023年 | 1922篇 |
2022年 | 3395篇 |
2021年 | 5108篇 |
2020年 | 3982篇 |
2019年 | 3263篇 |
2018年 | 3662篇 |
2017年 | 4103篇 |
2016年 | 3748篇 |
2015年 | 5504篇 |
2014年 | 6660篇 |
2013年 | 8050篇 |
2012年 | 8890篇 |
2011年 | 9664篇 |
2010年 | 8663篇 |
2009年 | 8512篇 |
2008年 | 8332篇 |
2007年 | 7946篇 |
2006年 | 7571篇 |
2005年 | 6545篇 |
2004年 | 4293篇 |
2003年 | 3722篇 |
2002年 | 3426篇 |
2001年 | 3016篇 |
2000年 | 2792篇 |
1999年 | 2944篇 |
1998年 | 2124篇 |
1997年 | 1849篇 |
1996年 | 1627篇 |
1995年 | 1422篇 |
1994年 | 1167篇 |
1993年 | 858篇 |
1992年 | 653篇 |
1991年 | 496篇 |
1990年 | 413篇 |
1989年 | 316篇 |
1988年 | 260篇 |
1987年 | 157篇 |
1986年 | 125篇 |
1985年 | 60篇 |
1984年 | 53篇 |
1983年 | 38篇 |
1982年 | 43篇 |
1981年 | 26篇 |
1980年 | 31篇 |
1979年 | 12篇 |
1978年 | 9篇 |
1976年 | 7篇 |
1959年 | 5篇 |
1951年 | 12篇 |
The effect of Co, Pd and Pt ultrathin films on the kinetics of the formation of Ni-silicide by reactive diffusion is investigated. 50 nm Ni/1 nm X/ 50 nm Ni (X?=?Co, Pd, Pt) deposited on Si(100) substrates are studied using in-situ and ex-situ measurements by X-ray diffraction (XRD). The presence of Co, Pd or Pt thin films in between the Ni layers delays the formation of the metal rich phase compared to the pure Ni/Si system and thus these films act as diffusion barriers. A simultaneous silicide formation (δ-Ni2Si and NiSi phases) different from the classic sequential formation is found during the consumption of the top Ni layer for which Ni has to diffuse through the barrier. A model for the simultaneous growth in the presence of a barrier is developed, and simulation of the kinetics measured by XRD is used to determine the permeability of the different barriers. Atom probe tomography (APT) of the Ni/Pd/Ni system shows that the Pd layer is located between the Ni top layer and δ-Ni2Si during the silicide growth, in accordance with a silicide formation controlled by Ni diffusion through the Pd layer. The effect of the barrier on the silicide formation and properties is discussed.
相似文献