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目的 选取影响氧化铟锡(ITO)薄膜生长关键的3种参数,即薄膜生长的氧气流量、薄膜厚度和热处理退火,系统研究其对ITO薄膜光学和电学性能的影响规律。方法 采用直流溅射法,在氩气和氧气混合气氛中溅射陶瓷靶材制备ITO薄膜样品。利用真空热处理技术对所制备的ITO薄膜进行真空退火处理。通过表面轮廓仪测试厚度、X-射线衍射仪(XRD)表征结构、X-射线光电子能谱仪(XPS)分析元素含量、分光光度计测试透过率和四探针测试薄膜方块电阻,分别评价薄膜厚度、光学性能和电学性能,并对比研究热处理对薄膜结构和光电性能的影响规律。结果 电阻率随氧气流量的增加呈现出先缓慢后急剧升高的规律,在氩气和氧气流量比为150∶8时,可得到400 nm厚、电阻率为8.0×10?4 ?.cm的ITO薄膜。厚度增加可降低薄膜电阻率,氧气流量的增加可明显改善薄膜透光性。通过真空热处理可提高室温沉积ITO薄膜的结晶性能,较大程度地降低电阻率。在真空热处理条件下增大薄膜厚度可降低薄膜电阻率,氧气流量增加不利于ITO薄膜电阻率的降低。在氩气和氧气流量为150∶6条件下制备的ITO薄膜,经500 ℃真空热处理后电阻率可达到最低值(2.7×10?4 ?.cm)。结论 通过调控氧气流量和厚度来优化ITO薄膜的结构和氧空位含量,低温下利用磁控溅射法可制备光电性能优异的ITO薄膜;真空热处理可提高薄膜结晶性能,通过氧气流量、厚度和热处理温度3种参数调控可获得最低电阻率的晶态ITO薄膜(2.7×10?4 ?.cm),满足科技和工程领域的需求。 相似文献
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研究了PVA在电路板印刷中的应用可行性。用正交实验分析了影响PVA与印刷用炭粉界面相容性的因素。并讨论了这些因素对PVA成膜性、PVA与炭粉界面特性、附着力等的影响。试验表明,PVA的醇解度(乙酰氧基含量)和摩尔质量对PVA和炭粉界面质量影响较大。 相似文献
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以溶液聚合工艺制备了数均分子量在20000左右、羟基值为40~48mgKOH/g的丙烯酸树脂,将该树脂与固化剂N-75按适宜的比例混合为底涂层,淋涂于800mm×400mm的洁净有机玻璃(PMMA)表面,在真空镀膜机中依次沉积TiO2膜和Au膜,获得了PMMA/底涂/TiO2/Au/TiO2膜。研究了不同配方的丙烯酸树脂合成工艺和混合溶剂的选择及配比对PMMA/底涂/TiO2/Au/TiO2膜性能的影响,讨论了"形变"的原因。研究发现,当乙酸丁酯和丙二醇甲醚醋酸酯以1∶1的质量比为混合溶剂,树脂和混合溶剂的质量比为1∶3时,所得涂膜具有良好的附着力。以Tego270为助剂,其质量分数为0.2%时能有效减少薄膜的"形变"缺陷。 相似文献
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