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1.
目的 选取影响氧化铟锡(ITO)薄膜生长关键的3种参数,即薄膜生长的氧气流量、薄膜厚度和热处理退火,系统研究其对ITO薄膜光学和电学性能的影响规律。方法 采用直流溅射法,在氩气和氧气混合气氛中溅射陶瓷靶材制备ITO薄膜样品。利用真空热处理技术对所制备的ITO薄膜进行真空退火处理。通过表面轮廓仪测试厚度、X-射线衍射仪(XRD)表征结构、X-射线光电子能谱仪(XPS)分析元素含量、分光光度计测试透过率和四探针测试薄膜方块电阻,分别评价薄膜厚度、光学性能和电学性能,并对比研究热处理对薄膜结构和光电性能的影响规律。结果 电阻率随氧气流量的增加呈现出先缓慢后急剧升高的规律,在氩气和氧气流量比为150∶8时,可得到400 nm厚、电阻率为8.0×10?4 ?.cm的ITO薄膜。厚度增加可降低薄膜电阻率,氧气流量的增加可明显改善薄膜透光性。通过真空热处理可提高室温沉积ITO薄膜的结晶性能,较大程度地降低电阻率。在真空热处理条件下增大薄膜厚度可降低薄膜电阻率,氧气流量增加不利于ITO薄膜电阻率的降低。在氩气和氧气流量为150∶6条件下制备的ITO薄膜,经500 ℃真空热处理后电阻率可达到最低值(2.7×10?4 ?.cm)。结论 通过调控氧气流量和厚度来优化ITO薄膜的结构和氧空位含量,低温下利用磁控溅射法可制备光电性能优异的ITO薄膜;真空热处理可提高薄膜结晶性能,通过氧气流量、厚度和热处理温度3种参数调控可获得最低电阻率的晶态ITO薄膜(2.7×10?4 ?.cm),满足科技和工程领域的需求。  相似文献   
2.
研究了PVA在电路板印刷中的应用可行性。用正交实验分析了影响PVA与印刷用炭粉界面相容性的因素。并讨论了这些因素对PVA成膜性、PVA与炭粉界面特性、附着力等的影响。试验表明,PVA的醇解度(乙酰氧基含量)和摩尔质量对PVA和炭粉界面质量影响较大。  相似文献   
3.
以溶液聚合工艺制备了数均分子量在20000左右、羟基值为40~48mgKOH/g的丙烯酸树脂,将该树脂与固化剂N-75按适宜的比例混合为底涂层,淋涂于800mm×400mm的洁净有机玻璃(PMMA)表面,在真空镀膜机中依次沉积TiO2膜和Au膜,获得了PMMA/底涂/TiO2/Au/TiO2膜。研究了不同配方的丙烯酸树脂合成工艺和混合溶剂的选择及配比对PMMA/底涂/TiO2/Au/TiO2膜性能的影响,讨论了"形变"的原因。研究发现,当乙酸丁酯和丙二醇甲醚醋酸酯以1∶1的质量比为混合溶剂,树脂和混合溶剂的质量比为1∶3时,所得涂膜具有良好的附着力。以Tego270为助剂,其质量分数为0.2%时能有效减少薄膜的"形变"缺陷。  相似文献   
4.
成膜参数对Au透明导电复合膜电性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
纪建超  沈玫  颜悦 《真空》2005,42(2):38-40
介绍了用真空磁控溅射方法沉积的Au-氧化物透明导电复合膜,研究了沉积复合膜过程中,真空室温度、电压以及退火处理等因素对复合膜电性能的影响,研究表明复合膜的电阻呈正温度系数,电阻低值对应于适宜的电压,从而对改善复合膜的光学、电性能及物理机械性能提供了很好的思路。  相似文献   
5.
航空透明件有机-无机杂化耐磨涂层的应用研究进展   总被引:2,自引:0,他引:2  
透明耐磨涂层是提高航空玻璃透明件表面抗划伤和耐磨性的有效方法。本文评述了国内外航空透明件透明耐磨涂层的研究现状。重点综述了紫外光固化有机-无机杂化透明耐磨涂层的发展现状及应用前景,并指出采用溶胶-凝胶法制备纳米二氧化硅作为无机相,紫外光固化树酯作为有机相制备航空透明件透明耐磨涂层将成为该领域的研究重点。  相似文献   
6.
低温沉积ITO透明导电膜的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过探讨半导体氧化物ITO膜的透光和导电机理,用反应性直流磁控溅射的镀膜工艺,在有机玻璃上低温镀制(ITO)膜,研究ITO膜溅射工艺参数与透光和导电性能的关系,实现了在低温下镀制(ITO)膜的技术,其透光率≥80%以上,表面电阻≤30Ω/□.  相似文献   
7.
纳米碳管掺杂聚苯胺的光电性能   总被引:1,自引:0,他引:1  
纪建超  颜悦  沈玫  张崇智 《塑料工业》2005,33(Z1):192-195
用三种方法制作了的掺杂聚苯胺,通过对材料光学、电阻、电磁参数及电磁屏蔽等特性的研究,结果表明掺杂提高了材料的电性能,但降低了其光学性能.  相似文献   
8.
本文对离子束辅助磁控溅射低温沉积的ITO薄膜进行了研究,重点考察了辅助离子束能量对ITO薄膜的光电性能和晶体结构的影响。结果表明:当A r/O2辅助离子束能量为900 eV左右时能够有效改善ITO薄膜的光电性能,在从非晶到多晶的转变过程中ITO薄膜具有较低的电阻率。在聚碳酸酯(PC)基片上制备了平均可见光透过率81.0%、电阻率为5.668×10-4ohm cm、结构致密且附着力良好的ITO薄膜,基片无变形。  相似文献   
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