低压力下环保型络合剂和氧化剂对铝合金化学机械抛光的影响

在低平坦化压力下用壳寡糖(COS)环保型络合剂及H₂O₂氧化剂化学机械抛光铝合金，用原子力显微镜观测抛光后的表面质量，并用X射线光电子能谱仪分析其表面的钝化膜元素，用纳米压痕仪分析钝化膜的力学性能，研究COS及H₂O₂对铝合金CMP的作用机理。结果表明:H₂O₂质量分数为2%时，材料去除率随COS含量的增加而增大，当COS质量分数为0.32%时，材料的去除速率达861 nm/min，表面粗糙度最低为2.50 nm；COS质量分数为0.50%时，材料去除率随H₂O₂含量的增加先增大后减小，当H₂O₂质量分数为1.2%时，材料的抛光去除速率达840 nm/min，同时其表面粗糙度为3.52 nm。加入COS络合剂会在铝合金表面形成主要成分为Al-COS、Al₂O₃和Al(OH)₃的弱钝化膜。      

深圳企业研制出玻泡复合墙材

由深圳市深玻特种工程玻璃实业有限公司研究生产出一种玻泡复合墙材，是用优质钢化玻璃或半钢化玻璃与保温绝热性能优异并质轻的泡沫材料，通过现代化生产设备及先进生产工艺精工复合而成，是国内外首创的“复合装饰板”发明专利技术。     

添加剂对电诱导GaN晶片化学机械抛光的影响

为研究添加剂对氮化镓(GaN)晶片化学机械抛光(CMP)材料去除率的影响,采用直流电源对n型GaN晶片进行电化学刻蚀,利用X射线光电子能谱(XPS)和原子力显微镜(AFM)研究电诱导辅助下GaN晶片CMP过程中,对苯二甲酸(PTA)和H 2O 2对其材料去除的影响。结果表明:在添加电流的条件下,随着H 2O 2体积分数增大,GaN材料去除率先升高后降低;随着PTA浓度的增加,GaN材料去除率先增加后减少;在H 2O 2体积分数为4%,PTA浓度为10 mmol/L条件下,GaN晶片的化学机械抛光材料去除率最高,为693.77 nm/h,抛光后GaN晶片表面粗糙度为0.674 nm;通过XPS分析,电诱导后GaN晶片表面的Ga 2O 3含量增加,表明电流作用促进了GaN材料表面的氧化腐蚀作用,进而提高了其CMP材料去除速率。     

EXCEL数据查询方法探讨

数据查询在我们日常生活中占有十分重要的比重,有效的使用数据查询,将给我们工作中带来很多方便。将和大家一起探讨如何通过多种方法在EXCEL中进行数据查询。为大家提供多种数据查询思路。