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LiGaO2单晶是目前所知的GaN最为理想的衬底材料,本研究用金属有机物气相沉积法(MOCVD)在LiGaO2(001)衬底上进行了外延生长GaN膜的试验,生长出了表面较为平整的GaN外延膜.应用原子力显微镜(AFM)、X射线粉末衍射(XRD)和高分辨X射线双晶衍射分别对衬底对外延膜和衬底材料进行了分析测试.结果表明,用MOCVD法可以在LiGaO2(001)衬底上生长出较高质量的无掺杂GaN(0001)外延膜.但由于MOCVD法是在高温还原气氛中生长GaN外延膜的,LiGaO2在这种气氛中不够稳定,实验发现衬底材料在生长过程中部分样品发生开裂,但没有发生相变. 相似文献
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钛酸铝材料反常热膨胀特性的分析研究 总被引:6,自引:0,他引:6
铁稳定钛酸铝材料在850 ̄950℃之间热膨胀有一个特殊变化,即出现反常负膨胀。本研究通过对试样的热膨胀分析、X-RAY分析和SEM分析,探明了造成这一变化的原因。 相似文献
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LED受ESD冲击前后性能的变化分析 总被引:1,自引:0,他引:1
对GaN基蓝光LED施加ESD冲击,比较LED在受到ESD冲击前后I-V特性曲线、-5 V反向漏电流以及光色电特性的变化发现在I-V特性曲线和-5 V反向漏电流有明显变化的情况下,LED的光色电特性没有明显变化。选择在受到ESD冲击后反向漏电流值为不同数量级的LED作为样品进行加速老化实验,比较样品在加速老化实验前后的I-V特性曲线、光色电特性等参数的变化。通过比较样品之间的光衰减速率,发现反向漏电流大于1 mA时,样品的光衰减明显加快。 相似文献
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InN和GaN系衬底材料的研究和发展 总被引:1,自引:0,他引:1
InN和GaN是宽禁带半导体中最重要的光电子材料,但现在还存在一些技术上的困难阻碍了它们的研究进展,其中一个重要的问题就是缺少合适的衬底材料.虽然现在对衬底材料的要求相对降低了,但为了生长出高质量的外延薄膜,选择合适的衬底材料还是非常必要.本文针对目前使用的InN外延衬底材料分别进行了讨论,评价了它们的优缺点,指出目前实用的InN衬底材料是有限的,应用最多的还是蓝宝石衬底和MgAl2O4晶体,且MgAl2O4晶体比蓝宝石晶体更有前景. 相似文献
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氟化钙(CaF2)晶体研发进展 总被引:4,自引:0,他引:4
简述了氟化钙(CaF2)晶体的发展历史.总结其光学特性,介绍了氟化钙晶体的生长新工艺技术和发展。综述了氟化钙晶体在现代信息技术中的应用,特别对氟化钙晶体在紫外波段激光或光刻系统中的应用和发展状况作了重点说明,同时进一步指出了目前存在的问题,最后对氟化钙晶体的发展前景作了展望。 相似文献
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基于Talbot效应的LED器件测试及应用技术研究 总被引:1,自引:0,他引:1
基于Talbot效应[1]的LED脉冲宽度调制(Pulse Width Modulation,PWM)驱动方式是目前唯一能实现LED大范围调光但不改变器件颜色的驱动方式,在LED显示领域有极大的应用价值.然而,却少有文献对该驱动方式下器件性能进行深入探讨.本文就从研究PWM驱动和普通恒流驱动LED在光通量、光效、色温的差异入手,在实验室现有测试设备基础上提出了适用于PWM驱动形式的特殊测试方法,自制了测试工具,初步比较了两者给器件性能带来的不同影响.实验结果表明:1)本文提出的PWM驱动LED平均光通量测试方法,有效解决了实验室现有设备只能测试恒定信号的限制;2)PWM驱动方式确在控制色温上有优势,但会牺牲器件光效,实际应用时应加以注意. 相似文献