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研究了退火处理对ZnO薄膜结晶性能的影响.ZnO薄膜由直流反应磁控溅射技术制得,并在O2气氛中不同温度(200~1000℃)下退火,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)对其结晶性能进行了研究,提出了一个较为完善的ZnO薄膜退火模型.研究表明:热处理可使c轴生长的薄膜取向性增强;随退火温度的升高,薄膜沿c轴的张应力减小,压应力增加;同时晶粒度增大,表面粗糙度也随之增加.在640℃的应力松弛温度(SRT)下,ZnO薄膜具有很好的c轴取向,沿c轴的应力处于松弛状态,晶粒度不大,表面粗糙度较小,此时ZnO薄膜的结晶性能最优. 相似文献
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Ternary Zn1-x CdxO alloying films were deposited on silicon substrates by a reactive magnetron sputtering method. The structures of the films were characterized by transmission electron microscopy(TEM) and X-ray diffraction(XRD) analysis, respectively. The XRD measurement shows that the wurtzite-type structure of Zn1-xCdxO can be stabilized up to Cd content of x=0.53 without a cubic CdO phase separation. The TEM measurement shows that the films have a columnar structure and the grains are highly c-axis oriented perpendicularly on silicon substrate although some grain boundaries are slightly tilted. High resolution TEM observation indicates that a native layer of amorphous SiO2 exists at the ZnCdO/Si interface and that ZnCdO grains with c-axis preferred orientation nucleate directly on substrate surface. 相似文献
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用X射线电子谱(XPS)评价了由改进的RCA方法清洗,又经HF处理的洁净(111)硅片在高真空和超高真空中加低热时的表面状态。实验表时,清洗后的硅片表面沾污中的氧(O)比较少而碳(C)相对多一些,同时存在微量的氟(F)。如果清洗工艺操作得当,可望获得较干净的衬底表面。洁净的硅片在8×10-6Pa的真空中存放12h后,表面吸附的C比O增加得更快。给出了在高低真空中硅片加低热前后表面状态的变化情况,并实时检测在超高真空中加低热时表面状态的XPS谱,同时对实验结果给予分析、讨论。 相似文献
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ZnO薄膜应用的最新研究进展 总被引:29,自引:3,他引:26
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料。详细介绍了ZnO薄膜在太阳能电池、表面声波器件、气敏元件、压敏器件等领域的应用以及在紫外探测器、LED、LD等潜在应用领域研究开发的最新进展。 相似文献
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