物理升华法生长ZnO晶体的研究

Zinc oxide（ZnO） has a wide band gap, high stability and a high thermal operating range that makes it a suitable material as a semiconductor for fabricating light emitting diodes（LEDs） and laser diodes, photodiodes, power diodes and other semiconductor devices. Recently, a new crystal growth for producing ZnO crystal boules was developed, which was physical vapor transport（PVT）, at temperatures exceeding 1500 ？C under a certain system pressure. ZnO crystal wafers in sizes up to 50 mm in diameter were produced. The conditions of ZnO crystal growth, growth rate and the quality of ZnO crystal were analyzed. Results from crystal growth and material characterization are presented and discussed. Our research results suggest that the novel crystal growth technique is a viable production technique for producing ZnO crystals and substrates for semiconductor device applications.     

啤酒发酵微机控制系统

本文介绍了采用微机对锥形罐啤酒发酵的控制过程。以此为例对工业现场如何提高工控的可靠性进行了探讨，并有自己独到的见解。     

桑蚕茧和生丝产量的灰色预测模型

本文阐述了灰色模型 GM(1,1)-E 的建模原理.该模型具有所需数据少和适用范围广的优点,据此建立了桑蚕茧和生丝产量的预测模型。     

Si衬底上外延3C-SiC薄层结构及光学常数分析

采用热丝化学气相淀积生长法,在Ｓｉ衬底上外延生长３Ｃ－ＳｉＣ薄层获得成功,生成源为ＣＨ４＋ＳｉＨ４＋Ｈ２混合气体,热丝温度约为１８００－２０００℃,碳化和生长时底温度低于１０００℃,用Ｘ射线衍射,变角椭偏法等分析手段研究了外延层的晶体结构和光学常数,Ｘ射线衍射结果显示出３Ｃ－ＳｉＣ薄层的外延生长特征,变角椭偏法测量出外延层的折射率为２．６８６,光不常数随深度变化曲线表明薄层结构分布衬底晶向有关。     

智慧医疗中服药监控的智能药盒设计

设计了一款具有预警自锁与药物监控功能的便携式智能药盒,以及提出其配套手机软件通信的可行性方案.该款智能药盒能够帮助患者自主服药,而在未来手机软件设计中还可协助医生完成远程监督的功能.这样的服药模式不仅能够节约大量的人力与物力成本,还能缓解医疗资源少、医疗成本高、患者就医体验差等诸多问题.本套系统具有可靠性高、效率高、省时省力、成本低以及技术扩展性好的特点.     

Si衬底上外延3C-SiC薄层的XPS分析

采用HFCVD技术,通过两步CVD生长法,以较低生长温度,在Si(111)和Si(100)衬底上同时外延生长3C-SiC获得成功.生长源气为CH4+SiH4+H2混合气体,热丝温度约为2000℃,碳化和生长时基座温度分别为950℃和920℃,用X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)等分析手段研究了外延层的晶体结构、组分及化学键能随深度的变化.XRD结果显示出3C-SiC薄层的外延生长特征,XPS深度剖面图谱表明薄层中的组分主要为Si和C,且Si/C原子比符合SiC的理想化学计量比,其三维能谱曲线进一步证明了外延层中Si2p和与Cls成键形成具有闪锌矿结构的3C-SiC.     

原位生成法合成PET/纳米TiO2复合材料Ⅱ.复合纤维的结构和性能研究

研究了原位生成纳米TiO2/PET复合纤维的力学性能、结晶性和取向性,初步表征了纤维的紫外线屏蔽功能.研究结果表明,原位生成纳米TiO2的引入提高了PET纤维的力学性能,增强了其紫外线屏蔽功能,其断裂强度可达到3.76 cN/dtex,对290～400nm的紫外线屏蔽率有了较大幅度的提高.     

硅熔体中3C-SiC的生长及6H-SiC晶型的抑制

论述了从硅熔体中生长3C-SiC晶体过程中6H-SiC晶型控制的一般原理.采用将硅置于高纯石墨坩埚中使其在高温条件下熔化,坩埚内壁石墨自然熔解于硅熔体中形成碳饱和的硅熔体,在石墨表面形成厚约0.2mm的SiC薄层.X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、Raman散射等分析表明所制备样品为3C-SiC多晶体.实验结果进一步证明从硅熔体中生长3C-SiC晶体过程中,通过适当调整工艺参数可以抑制6H-SiC晶型的形成.     

用碳饱和硅熔体制备的3C—SiC薄片及其光致发光

将硅置于高纯石墨坩埚中使其在高温条件下熔化,坩埚壁石自在熔解于硅熔体中成碳饱和的硅熔体,在石墨形形成SiC多晶薄层并通过改变工艺条件使薄层变厚形成厚约0.5mm的SiC多晶薄片,X射线衍射（XRD）,Raman散射等分析表明所制备样品为3C－SiC多晶体,采用He-Cd激光325mm线在不同温度下对实现样品进行了光致发光（PL）测试分析,PL实验结果表明随着温度的变化,PL发光中心发生蓝移,其中心由2.13eV移至2.39eV.     

子样本数较少时的中位值控制图

本文设计样本数较少时中位值图的控制限，道德导出了与中位值有关的统计量的分布，然后给出中位值图控制限的公式，将算得的系数列成表，该中位值控制图已应用于小批量的生产过程。