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采用HFCVD技术,通过两步CVD生长法,以较低生长温度,在Si(111)和Si(100)衬底上同时外延生长3C-SiC获得成功.生长源气为CH4+SiH4+H2混合气体,热丝温度约为2000℃,碳化和生长时基座温度分别为950℃和920℃,用X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)等分析手段研究了外延层的晶体结构、组分及化学键能随深度的变化.XRD结果显示出3C-SiC薄层的外延生长特征,XPS深度剖面图谱表明薄层中的组分主要为Si和C,且Si/C原子比符合SiC的理想化学计量比,其三维能谱曲线进一步证明了外延层中Si2p和与Cls成键形成具有闪锌矿结构的3C-SiC. 相似文献
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采用热丝化学气相淀积生长法,在Ｓｉ衬底上外延生长３Ｃ－ＳｉＣ薄层获得成功,生成源为ＣＨ４＋ＳｉＨ４＋Ｈ２混合气体,热丝温度约为１８００－２０００℃,碳化和生长时底温度低于１０００℃,用Ｘ射线衍射,变角椭偏法等分析手段研究了外延层的晶体结构和光学常数,Ｘ射线衍射结果显示出３Ｃ－ＳｉＣ薄层的外延生长特征,变角椭偏法测量出外延层的折射率为２．６８６,光不常数随深度变化曲线表明薄层结构分布衬底晶向有关。 相似文献
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Si衬底上外延3C-SiC薄层的XPS分析 总被引：11，自引：3，他引：8
采用 HFCVD技术 ,通过两步 CVD生长法 ,以较低生长温度 ,在 Si( 1 1 1 )和 Si( 1 0 0 )衬底上同时外延生长 3C- Si C获得成功 .生长源气为 CH4 + Si H4 + H2 混合气体 ,热丝温度约为2 0 0 0℃ ,碳化和生长时基座温度分别为 950℃和 92 0℃ ,用 X射线衍射 ( XRD)和 X射线光电子能谱 ( XPS)等分析手段研究了外延层的晶体结构、组分及化学键能随深度的变化 .XRD结果显示出 3C- Si C薄层的外延生长特征 ,XPS深度剖面图谱表明薄层中的组分主要为 Si和 C,且 Si/C原子比符合 Si C的理想化学计量比 ,其三维能谱曲线进一步证明了外延层中 Si2 p和与 Cls成键形成 相似文献
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