建筑中柱的力与形

从建筑构件中柱的受力特性出发,通过解析其水平力、侧向力、截面应力和力的矢量等,厘清柱形态衍生的内在力学动力,拓展出一条基于结构逻辑的形态设计方法。由此揭示出结构力学特性与建筑构件形态的关系,使结构思维真正在建筑设计中得以体现,实现建筑结构与形态的整合,技术与艺术的统一。     

多米诺结构体系的当代改造策略

柯布西耶于1922年设计的多米诺结构,是现代建筑的基本结构体系。本文分析了多个在传统多米诺结构基础上加以改造的当代建筑的结构体系,并试图对结构体系的未来发展加以展望。     

基于体量消减与复合重构的柱元形态研究

从体量消减和复合重构两方面出发,梳理隐藏在柱元形态背后的结构逻辑,从构件形态到建筑表现,深入剖析柱元形态呈现的结构内涵,研究柱元的技术逻辑与形态表现的关系,进一步阐明"力产生形,形反映力"的理性思维,总结技术逻辑引导下的柱元形态设计策略,拓展结构思维下的建筑设计方法.     

GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池辐照损伤效应及加固技术研究进展

文章首先重点介绍了国内外开展GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的电子、质子及其他辐射粒子或射线辐照实验的研究进展,然后从辐照损伤效应的仿真模拟研究、抗辐射加固技术、损伤预估方法等方面综述了GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池辐照损伤效应及加固技术的研究进展,最后梳理了当前GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池辐照损伤效应研究中亟待解决的关键技术问题,为深入开展GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池辐照损伤效应实验方法标准制定、损伤机理分析、在轨寿命预估及抗辐射加固技术研究提供了理论指导和实验技术支持。     

柱元的立面呈现与空间塑造

以柱的技术逻辑和形式表现为两条主线,通过对相关案例的分类总结,解析在立面呈现和空间塑造背后柱元形态的内在逻辑和技术动因,挖掘柱的表现力潜质,提炼出相应的设计方法和策略,将基于结构技术逻辑的柱元设计方法映射到建筑形式的表达和整体空间的塑造之中.     

光电半导体材料辐照诱发微观缺陷的演化特性研究

基于分子动力学计算方法，运用LAMMPS程序模拟了Si, GaAs, 3C-SiC三种半导体材料中辐照引起的级联碰撞过程，并分析了晶体内微观缺陷的演化特性。模拟结果表明，级联碰撞会在晶体内部形成类似离位峰的结构，大多数空位缺陷聚集在损伤区域内部，而损伤区域外围分布的主要是间隙缺陷。通过对三种材料进行缺陷簇分析，发现Si中缺陷簇数量明显多于GaAs,缺陷簇最大尺寸达到了17个原子。此外，三种材料中的Frenkel对的数量变化过程大致相同，均呈现“上升，下降，稳定”的趋势，但3C-SiC中的缺陷数量要远小于Si和GaAs,表明3C-SiC具有更好的辐射抗性，其晶体结构在受到辐照后仍能保持相对稳定。     

GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池100MeV质子位移辐照损伤效应实验研究

GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池是当前航天器空间电源系统的核心元器件，其在空间辐射环境中遭受的辐照损伤会导致太阳电池性能参数衰降，甚至导致航天器供电系统功能失效。为获取GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池高能质子辐照损伤退化规律，以国产GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池为研究对象，通过开展100 MeV质子不同注量下的辐照实验，分析质子位移损伤诱发GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的开路电压(V_oc)、短路电流(I_sc)、最大输出功率(P_m)、光电转换效率(E_ff)等辐射敏感参数的退化规律和损伤机理。结果表明：注量范围为1×10¹¹～2×10¹² cm^-2时，V_oc、I_sc、P_m、E_ff的退化程度随辐照注量的增加而增大，当注量为2×10¹² cm^-2时，P_m和E