高效率MINP硅太阳电池的研制

用扩散法制作MINP硅太阳电池的轻掺杂N区,用PECVD方法淀积的Si_3N_4作其减反射膜,在电阻率为1.5±0.5Ω·cm的P型硅衬底上制取了转换效率为16.5%的MINP太阳电池(有效面积AM1.5、100mw/cm~2、25℃)。本文分析Si_3N_4作MINP电池减反射膜的优点,并对限制MINP太阳电池性能进一步提高的因素进行讨论。     

MINP太阳电池及其表面复合的分析

本文讨论了MINP太阳电池表面对光生载流子复合的影响,得出无栅区表面势与掺杂浓度和氮化硅中固定正电荷的关系,并分析了无栅区和电极区表面势对复合的影响。该电池在不增加复杂工艺的基础上可提高转换效率,目前我们用氮化硅作抗反射膜的电池,其有效面积转换效率达15.2％(AM1.5,100mW/cm~2,28℃)。     

1.3μm和1.55μm Si_(1-x)Ge_x波长信号分离器与Si_(1-x)Ge_x/Si应变超晶格探测器的集成

对１．３μｍ和１．５５μｍ波长的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ波长信号分离器（ＷＳＤ）和Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ应变超晶格（ＳＬＳ）红外探测器的集成结构进行了系统的分析和优化设计．优化结果为：（１）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘＷＳＤ，Ｇｅ含量ｘ＝０．０５．波导的脊高和腐蚀深度分别为３μｍ和２．６μｍ．对应于λ１＝１．３μｍ和λ２＝１．５５μｍ波长的波导脊宽分别为１１μｍ和８．５μｍ．（２）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／ＳｉＳＬＳ探测器，Ｇｅ含量ｘ＝０．５．探测器的厚度为５５０ｎｍ，由２３个周期的６ｎｍＳｉ０．５Ｇｅ０．５＋１７ｎｍＳｉ组成．     

Si_（1－x）Ge_x／Si定向耦合器的研制

在运用ＳｉＧｅ脊形波导单模条件和有效折射率法分析ＳｉＧｅ／Ｓｉ定向耦合器结构参数的基础上，采用分子束外延和各向异性腐蚀技术制备出Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ（ｘ＝０．０５）单模定向耦合器．在波长为１．３μｍ时，平均串音小于－１８．１ｄＢ，输出功率耦合效率达到９８．１％     

硅压力传感器静态特性参数计算机标定系统

介绍可标定６４路压力传感器静态特性参数的计算机标定系统。数据采集精度可达０．０５％，可得出传感器的非线性、迟滞、重复性、零位输出、零位温漂、灵敏度、温漂特性参数。该系统还可用于压力传感器的温漂补偿。补偿后压力传感器零位＜０．５ｍＶ，零位温漂＜５×１０－５／℃Ｆ．Ｓ。     

低功耗高速硅电光调制技术的研究

通过对硅电光调制器研究结果的分析，提出厂低功耗高速调制的新技术。即采用不均匀掺杂人为引进漂移场和限制注入载流子运动范围以提高其浓度等方法，达到高速低功耗调制的目的。     

渐变截面多模干涉器件中MMI区长度的计算

从渐变截面波导与强导近似的阶跃截面波导之间的区别入手,推导出了渐变截面ＭＭＩ区长度的精确表达式,并对成像的振幅和相位关系进行了研究。结果表明,在相同ＭＭＩ区宽度条件下渐变截面器件中ＭＭＩ区最短长度为阶跃截面的两倍,但它的设计灵活性却是阶路截面器件所无法比拟的。     

静态随机存取存储器质子单粒子效应实验研究

描述了测量静态随机存取存储器质子单粒子翻转截面的实验方法。采用金箔散射法可以降低加速器质子束流五六个量级,从而满足半导体器件质子单粒子效应的要求。研制的弱流质子束流测量系统和建立的注量均匀性测量方法解决了质子注量的准确测量问题。提高了存储器单粒子效应长线测量系统的性能,保证了翻转数的准确测量。实验测得静态随机存取存储器质子单粒子翻转截面为１０＾－１４ｃｍ＾２／ｂｉｔ量级,随质子能量的增大略有增大。     

SOI结构M-Z型调制器的有限元法分析

本文提出了采用有限元法分析SOI(Silicon on Insulator)结构M-Z(Mach-Zehnder)干涉型调制器的新方法。该方法在大截面单模SOI脊形波导理论的基础上,根据等离子体色散效应分析了这种调制器的电光调制机理;根据有限元法分析了p+n结大注入时该调制器的电学性质,从而为实际研制成这种干涉型调制器打下了理论基础。