高效率MINP硅太阳电池的研制

用扩散法制作MINP硅太阳电池的轻掺杂N区,用PECVD方法淀积的Si_3N_4作其减反射膜,在电阻率为1.5±0.5Ω·cm的P型硅衬底上制取了转换效率为16.5%的MINP太阳电池(有效面积AM1.5、100mw/cm~2、25℃)。本文分析Si_3N_4作MINP电池减反射膜的优点,并对限制MINP太阳电池性能进一步提高的因素进行讨论。     

多用途LPCVD/PECVD薄膜淀积设备的试制与其薄膜性能的研究

本文介绍一种经济、实惠、多用途LPCVD与PECVD淀积Si_3N_4薄膜设备,该设备结构简单,性能稳定,对集成电路以及微电子器件的科研和生产具有相当的灵活性.文章中对该设备的设计和结构进行了描述,并对该设备用不同方法所淀积的Si_3N_4薄膜的性能进行了测试和分析.最后对进一步开发该设备的应用给予说明     

高效率硅太阳电池AR-BSF一次成型工艺研究

本文描述一种用LPCVD方法淀积Si3N4形成太阳电池减反射膜(AR)同时又制得高效率硅太阳电池铝合金高低结背面场(BSF)的新工艺。该工艺不仅简化了太阳电池的制作过程,即电池的AR和BSY一次形成,而且由于系统处于高真空,电池处在N2和H2的气氛中,所以改善了太阳电池发射区的表面特性。实验结果表明:为获得较好的电池性能,在完成电池的AR和BSF时,厚的铝膜,较高的淀积Si3N4温度以及在电池发射区表面生长80100的SiO2层是必要的。     

超簿SiO_2层的低温低压氨处理与其在MIS隧道二极管中的应用

本文研究超薄SiO_2层(～15A)低温低压氨(NH_3)处理后,MIS隧道二极管的I～V特性变化.测试超薄I层低温低压NH_3处理前后的MIS隧道二极管I～V曲线表明,后者表现出更理想的二极管特性.对MIS隧道二极管作加速热退化实验,后者亦表现出较好的热稳定性.将此方法应用到MIS/IL太阳电池之中,其电池性能得到了明显的改善.     

掩蔽扩散提高硅光电池短波响应的研究

本文研究并分析用SiO_2作掩蔽膜在p型硅衬底上扩散磷形成表面钝化以及MINP硅光电池发射区的优点。实验结果表明,SiO_2掩蔽扩散使上述两种硅光电池的开路电压、短路电流密度以及转换效率得到不同程度的提高,同时改善了硅光电池的短波响应。     

测量太阳电池结品质因子的新方法

本文报道了借助太阳电池在光照下的J—V曲线测试结品质因子的新方法。对高效率太阳电池,该方法不用知道其它参数便可通过光照下的J—V曲线确定其结品质因子;对于低质量太阳电池,在确定结品质因子时无需知道饱和电密度。本文对具有不同串联电阻及并联电阻的太阳电池进行了分析和计算,并对不同结构的太阳电池(n~+/p,MIS以及MINP)的结品质因子进行了测试,其值在1—2之间,与理论上的预测相当吻合。     

塑造大港新文化——大港油田分公司领导班子培育现代企业文化纪略

现代企业要弄潮于市场经济这个大舞台,不仅需要科学的管理,更需要科学文化理念的指引。而一个成功的企业,则会根据自身的特点,确立一套指导企业行为的企业文化。中国石油大港油田分公司正是这样一个把企业文化当作企业人格化的基础,引领企业向高水平发展的具有前瞻性思维的现代型企业。     

光照下太阳电池结品质因子解析的新方法

本文给出一种描述太阳电池在光照条件下其结品质因子的解析表示式。根据这种表示,高效率太阳电池的结品质因子仅利用电池的四个输出参数(V_(oc),I_(sc),V_m和I_m)便可确定。 使用这种方法对所研制的n~+p,MIS/IL和MINP太阳电池的结品质因子分别进行测算,并与已有的测算方法所得结果进行比较,结果表明,此方法具有计算简单,测试方便,数值准确等优点。     

高效氮化硅抗反射膜MIS/IL及MINP硅太阳电池的研制

本文报道了用常规MIS/IL及MINP硅太阳电池工艺制备的超薄SiO_2膜进行低温、低压氨处理的结果。电池的I—V特性及转换效率明显提高。在氨气中直接制备超薄Si_xO_yN_z膜获得成功。采用简单工艺,分别制出全面积转换效率为13.5％(AM1.5,100mW/cm~2,25℃,面积1.02cm~2)的MIS/IL硅太阳电池及效率为16.1％(AM1.5,100mW/cm~2,25℃,面积1.11cm~2)的MINP硅太阳电池。