WHO系列营养素度量法模型分析：儿童食品营销限制

目的：总结WHO开发的系列营养素度量法模型，提出我国限制向儿童营销的营养素度量法模型的建议。方法：梳理、比较和分析WHO各个区域办事处的营养素度量法模型的食品类别、计算基准、关键性营养素以及营养素度量法体系。结果：WHO各个区域办事处于2013—2019年开发了限制向儿童营销的营养素度量法模型。WHO的营养素度量法模型采用了相同的计算基准和营养素度量法体系，不同区域办事处根据现状和需求，在食品类别和关键性营养素方面相应优化，同时对我国建立限制向儿童营销的营养素度量法模型提出食品类别、关键性营养素以及阈值调整等建议。结论：基于我国现有的食品成分信息和加工工艺，营养标签的强制性内容标示情况以及我国居民的饮食特点，结合WHO营养素度量法模型经验，为我国构建限制向儿童营销的营养素度量法模型提供了理论支持以及科学依据。     

家长对学龄前儿童教育投资的动机调查与分析

教育投资具有显著的外溢效应。最新科学研究表明,婴幼儿在早期接受的教育在一定程度上将会决定其今后的发展水平和方向。从学龄前儿童家庭教育投资现状进行调查分析,运用调查结果和相关数据,梳理归类出影响家庭教育投资的各种因素,进而提出优化学龄前儿童教育投资的对策建议,为如何引导、促进家长对学龄前儿童教育投资提供有力的现实依据。     

稀土Er掺杂的MoSe2纳米线的制备及发光特性研究

本文研究了稀土掺杂硒化钼(MoSe₂)垂直纳米线 的制备及光学特性。以分析纯硒化钼 粉末为原料,采用热蒸发方法在Si衬底上沉积硒化钼垂直纳米线,并在其生长过程中利用硝 酸鉺进行原位掺杂。利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见分光光度计 和 荧光光谱仪研究了掺杂硒化钼薄膜的表面形貌﹑晶体结构﹑光吸收和特性。发现掺杂后MoSe ₂纳米线的结晶性更强,长度增加2倍以上。同时,掺杂后纳米线的可见光吸收和光致发光 强 度明显增强,760 nm处MoSe₂纳米线的带间跃迁的本征发射增强4倍 以上。另外,Er³⁺掺杂后 ,在590 nm和650 nm处增加了2个来自Er³⁺离子的发射,说明稀土掺杂后发光峰增加,使 光谱谱线更加丰富。以上结果表明,稀土掺杂可显著增强硒化钼的结晶性、光吸收和发光效 率,使其可用于制备超薄、高效率的太阳能电池、光探测器等光电子器件。     

多相流计量技术现状

多相流是一种复杂的流动现象,而对其的计量又必不可少。根据计量时分离程度的不同可分为全分离式,部分分离式和不分离式,以及新兴的取样分离式。介绍了各种多相流计量的原理及计量方式,并比较了各项计量的利弊,最后提出了现存计量方式存在的问题以及今后研究的方向。     

油田结垢原因分析及防垢措施研究

油田在生产过程中结垢现象严重,影响到其正常生产。在阅读大量文献的基础上对油田的结垢机理以及各主要影响因素进行了系统分析,并提出了一些国内外比较成熟的防垢建议及对策;分别从化学方法、物理方法以及改变油田生产工艺来达到防垢的目的。     

高职“纺织商务英语”课程教学的设计

以“纺织商务英语”课程为例，探讨课程的设计理念和教学模式，以及如何培养学生在纺织环境下的商务英语应用能力和可持续发展能力等问题。     

高职“英语口语”课程的中外教师合作教学

高职"英语口语"课程教学旨在培养学生在各种商务活动背景下的口语交际能力。结合高职院校"英语口语"课程教学现状,对改革传统的英语口语课堂教学,推行中外教师合作教学,发挥中外教师各自的优势并就合作教学的基本模式进行探讨。     

六方氮化硼二维材料的制备及光电特性的研究进展

介绍了六方氮化硼(h-BN)材料的几种主要制备方法,如剥离法、化学气相沉积法、水热法等,并讨论了各种制备方法的特点。同时展示了以h-BN二维材料制备的晶体管的特性,发现其具有良好的电学和放大特性。综述了h-BN与石墨烯、硫化钼等其他二维材料构成的异质结的光电特性,因为h-BN带隙宽,与其他二维材料形成的异质结势垒高度增加,载流子复合速率降低,使光电流响应率增加,响应时间减小,从而使器件的频率特性得到显著提升。这些优异特性可用于制备光电探测器和太阳能电池等高效率的纳米光电子器件。最后,还对h-BN未来的发展方向进行了展望,其制备工艺和应用领域还有待进一步深入拓展。     

二维WS2薄膜的制备及光电特性

以硫化钨(WS2)水溶液为原料、氩气为携载气体、利用化学气相沉积(CVD)法在硅衬底上制备了二维WS2薄膜,并研究了其形貌、晶体结构、光吸收特性及光电特性等。发现利用该方法生长的WS2薄膜非常光滑均匀,并具有良好的结晶性。另外,发现WS2薄膜不仅在466 nm处有很强的蓝光发射,还在617和725 nm处有显著的红光发射,前者可能是由于量子尺寸效应引起的分立能级的发光,后者则分别对应WS2单层和多层的本征发射。最后,研究了WS2/Si异质结的光电效应和温度效应,发现随照射光功率或温度的增加,异质结的电流显著增大,说明WS2/Si异质结对光照和温度非常敏感,可用于制备太阳电池和光探测器等新型光电子器件。