啤酒有害菌的PCR检测和SYBR Green实时PCR定量

啤酒有害菌是一些能在啤酒中存活并使啤酒的外观和风味发生改变的细菌,对其进行快速检测和定量是啤酒生产急待解决的问题。我们从华润雪花啤酒（中国）有限公司各工厂提供的样品中分离到28株啤酒有害菌,16S rDNA序列的系统进化分析表明,其中26个菌株属于乳杆菌属（Lactobacillus spp．）、1个菌株为明串珠菌属（Leuconostoc spp．）,1个菌株为片球菌属（Pediococcu sp．）。根据酒花（hop）抗性基因horA、horB和horC的保守序列设计了扩增这3个基因的PCR引物,用这些引物对28株啤酒有害菌进行了常规PCR检测,检出率分别为89％、79％和75％,用hor A—horC双引物进行检测,检出率为100％。用SYBR Green实时定量PCR技术,以horA基因为靶序列,建立了对啤酒有害菌的细胞数进行快速定量的新方法,用该方法测定的污染啤酒样品中有害菌的浓度与平板培养法相近。     

热敏陶瓷材料Mn2.25-xNi0.75CoxO4微结构与电学性能研究

采用氧化物固相法制备Mn2.25-xNi0.75CoxO4(0.8≤x≤1.2)系列NTC(negative temperature coefficient)热敏电阻粉体材料.利用激光粒度分析、XRD、SEM和电性能测试等手段,表征了煅烧材料的颗粒尺寸、陶瓷体的物相、形貌以及陶瓷材料的电学特性与Co含量的关系.结果表明:在1130～1230℃烧结温度范围内,该材料体系的B值和电阻率ρ25℃随Co含量的变化范围分别为3487～4455 K和1998～203617.cm,B值和电阻率随Co含量的增加先增大后减小.该材料系列电阻率和B值调整范围较大,是一种具有实际应用价值的NTC热敏电阻.     

高介电栅介质材料HfO_2掺杂后的物理电学特性(英文)

采用激光分子束外延法(LMBE)在P型Si(100)衬底上沉积了(HfO2)x(Al2O3)Y(NiO)1-x-y,栅介质薄膜,研究了其热稳定性以及阻挡氧扩散的能力.X射线衍射表明在HfO2中掺入Ni和Al元素明显提高了其结晶温度.原子力显微镜测试显示:在N2中退火后薄膜表面是原子级平滑连续的,没有发现针孔.900℃N2中退火后的薄膜在高分辨透射电镜下没有发现硅酸盐界面层.实验结果表明在氧化物薄膜与硅衬底之间引入Ni-Al-O置入层能够防止硅酸盐低介电界面层的生成,这有利于MOS晶体管的进一步尺度缩小.     

超薄高介电Er2O3栅介质薄膜的漏电机理

采用激光分子束外延设备在不同温度下制备了不同厚度的超薄晶态、非晶态高介电Er2O3栅介质薄膜,用X射线衍射和高分辨透射电镜分析了薄膜结构,用HP4142B半导体参数分析仪测试了Al/Er2O3/Si/Al结构MOS电容器的漏电流。XRD谱和HRTEM图像显示400℃以下制备的Er2O3薄膜呈非晶态,400℃到840℃制备的Er2O3薄膜是(111)方向高度择优取向的。电学测试表明：晶态Er2O3薄膜厚度由5.7 nm 减小到3.8 nm,漏电流密度从6.20×10-5 A/cm2突增到6.56×10-4 A/cm2,增加了一个数量级。而厚度3.8 nm的非晶Er2O3薄膜漏电流密度仅为1.73×10-5 A/cm2。漏电流数据分析显示高场下超薄Er2O3薄膜的漏电流主要来自于Fowler-Nordheim隧穿。低场下超薄晶态Er2O3薄膜较大的漏电流是由晶粒边界产生的杂质缺陷引起。     

A12O3掺杂对MnCONi系NTC热敏电阻材料性能的影响

采用传统固相法制备了Co1.5-xMn1.2Ni0.3AlxO4(x=0,0.02,0.04,0.06)NTC热敏电阻材料。借助XRD、SEM和几种电性能测试手段,研究了Al2O3掺杂对MnCoNi热敏电阻材料相结构及电性能的影响。结果表明：随着Al2O3掺杂量的增加,MnCoNi热敏电阻材料的晶体结构不变,晶粒减小,...     

利用动态法测量相变热释电材料的热释电系数

用动态法测量了相变热释电材料(Ba0.65Sr0.35)TiO3薄膜的热释电系数,并对相变热释电系数的计算进行了理论分析.先测量了传统热释电材料LiTaO3单晶薄片的热释电系数,温度信号和热释电电压存在90°相位差,热释电系数为2.1×10-8C cm-2K-1,与文献测量值、理论计算一致,说明测试系统真实可靠.用动态法测量了工作在1.5 V偏压下的(Ba0.65Sr0.35)TiO3薄膜,输出电压由DC电压和AC电压构成,前者由(Ba0.65Sr0.35)TiO3薄膜的漏电流引起,后者为热释电响应电压.热释电响应电压与正弦温度信号同相位,其振幅与正弦温度信号的振幅成正比.理论计算表明,动态法测量相变热释电材料时,热释电响应电压与温度信号同相位变化是由相变热释电材料的电容随温度信号的变化引起的.     

高介电栅介质材料研究进展

传统的栅介质材料SiO₂不能满足CMOS晶体管尺度进一步缩小的要求, 因此高介电栅介质材料在近几年得到了广泛的研究, 进展迅速. 本文综述了国内外对高介电材料的研究成果, 并结合作者的工作介绍了高介电栅介质在晶化温度、低介电界面层、介电击穿和金属栅电极等方面的最新研究进展.     

Mn2.1Ni0.9O4热敏陶瓷的制备与复阻抗分析

采用传统固相反应法制备了Mn2.1Ni0.9O4热敏陶瓷,运用X射线衍射仪、直流阻温测试仪、交流阻抗技术对其结构和电学性能进行了测试,并对Mn2.1Ni0.9O4热敏陶瓷的微观导电机理进行了分析。结果表明:Mn2.1Ni0.9O4热敏陶瓷由立方尖晶石相和岩盐相NiO组成。其电阻主要来源于晶粒和晶界的贡献,在293~363 K测试温区内,其晶粒电阻和晶界电阻都表现出明显的NTC特性,且两者导电机理均符合小极化子跳跃电导模型,晶界电阻受岩盐相NiO的影响大于晶粒电阻。     

Mn2.1Ni0.9O4热敏陶瓷的制备与复阻抗分析

采用传统固相反应法制备了Mn2.1Ni0.9O4热敏陶瓷,运用X射线衍射仪、直流阻温测试仪、交流阻抗技术对其结构和电学性能进行了测试,并对Mn2.1Ni0.9O4热敏陶瓷的微观导电机理进行了分析.结果表明:Mn2.1Ni0.9O4热敏陶瓷由立方尖晶石相和岩盐相NiO组成.其电阻主要来源于晶粒和晶界的贡献,在293～363 K测试温区内,其晶粒电阻和晶界电阻都表现出明显的NTC特性,且两者导电机理均符合小极化子跳跃电导模型,晶界电阻受岩盐相NiO的影响大于晶粒电阻.     

面向气象探空的微型热敏电阻设计及性能研究

针对高空气象探测用温度传感器存在响应时间长、测温精度差以及辐射误差大等现状，研制了一种封装体积小、响应速度快、抗辐照能力强的温度传感器。采用固相法制备了Mn-Ni-Cu-Fe-O基片状热敏电阻，尺寸分别为0.4 mm×0.4 mm×0.25 mm与0.6 mm×0.6 mm×0.25 mm。在片状热敏电阻敏感元表面依次沉积绝缘膜和铝金属反射薄膜。结果表明，研制的热敏电阻在-80℃～60℃范围内，其阻值范围分别为1 000 kΩ～4.2 kΩ与375 kΩ～1.6 kΩ;热耗散系数为1.034 mW/℃,响应时间为0.63 s。利用太阳光模拟器对热敏电阻进行太阳辐射测温误差研究，在100 W/m²的辐照强度下测温误差最小为0.22℃。该热敏电阻有望应用在高空气象探测的探空仪中。