溶胶中Ti和Si物质的量比对TiO2-SiO2涂膜耐腐蚀性的影响

为提升20^#钢板的耐腐蚀性，采用溶胶凝胶法在20#钢板表面制备了TiO₂-SiO₂涂膜，研究了溶胶中Ti与Si物质的量比对涂膜制备及其耐腐蚀性的影响规律。通过激光共聚焦显微镜、扫描电镜观察涂膜的表面微观结构，通过X射线衍射表征涂膜的晶体结构，采用能谱仪测定涂膜表面化学成分，通过紫外-可见吸收光谱表征涂膜对亚甲基蓝的降解作用等。结果表明：溶胶中Ti与Si物质的量比对20^#钢板表面润湿性、有机物降解性和耐腐蚀性的影响很大。随着TiO₂-SiO₂涂膜中SiO₂成分的增加，材料由亲水性向疏水性转变，同时其耐腐蚀性提升，当溶胶中Ti与Si物质的量比为1∶1时，制备的TiO₂-SiO₂涂膜拥有最优的耐腐蚀能力，经95℃的3.5%NaCl溶液浸泡48 h后，涂覆有TiO₂-SiO₂膜层的20#钢样品未被腐蚀，几乎保持浸泡前的形貌。     

运动场所空气污染物遥感监测仪设计探究

本文以学校操场为例展开分析,根据目前空气污染物监测仪的国内外研究现状,介绍了基于激光散射测量原理的监测仪的设计路线和技术指标,为学生科学健康的锻炼身体提供实时空气污染物监测的数据指标.     

室外LED显示及其在交通领域的应用

介绍了室外LED显示技术及其在道路交通信息显示领域中的应用,指出目前国内室外LED显示屏普遍存在的主要问题.结合应用于高速公路收费站的LED显示屏的设计,给出解决或者克服这些问题的方法.介绍了室外LED显示的现状,预测了其发展趋势.     

驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作

a-Si：H／SiNx：H TFT在长时间栅偏应力作用下，会产生阈值电压漂移，这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象，文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同，利用PECVD制作了不同N／Si比（0．87～1．68）的氮化硅绝缘材料，对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱（EDS）测试。制作了不同的MIS结构电容，对其进行老化实验和C-V测试分析，结果表明稍富氮（N／Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1．33）的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显，表明其缺陷态密度相对较小，能够有效减小半导体／绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si：H TFT像素电路及其阵列版图，优化了电路中的几个关键参数，即T1的W／L=2．5、T2的W／L=25和存储电容Cs=0．8pF。运用7PEP生产工艺，制作了13cm（5．2in）的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试，其开态电流为10μA，开关比为10^6；对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试，其最高亮度为341cd／m^2。     

电力建设工程造价管理思考

中国加入WTO以后,电力建筑市场面临着更加激烈的竞争。电力建设工程造价从业人员应不断探索和实践工程造价管理的新思路和新内容,积极促进电力建设工程造价管理迈上新的台阶。     

复合溶胶感光机理及点阵防腐涂层制备

为提升20钢的耐腐蚀性,基于感光微细加工原理,采用溶胶凝胶法在20钢表面制备了具有疏水性的TiO₂-SiO₂点阵涂层,重点研究了TiO₂-SiO₂复合溶胶的感光机理,并对比了受TiO₂点阵涂层、TiO₂-SiO₂点阵涂层和平铺底层/TiO₂-SiO₂点阵涂层保护的20钢的耐腐蚀性。结果表明：TiO₂-SiO₂溶胶对330～380 nm紫外光具有优秀的感光能力,感光后的Ti⁴⁺金属鳌合物在有机溶剂中的溶解度急剧降低,因此,采用感光溶胶凝胶技术可以获得结构完整的TiO₂-SiO₂点阵涂层,使材料由亲水性向疏水性转变,并且耐腐蚀性大幅度提升,其中平铺底层/TiO₂-SiO₂点阵涂层经盐雾试验后表面没有任何腐蚀痕迹,对20钢板有很强的保护能力。     

a-Si:H-TFT阈值电压漂移机理及其在驱动OLED显示中的补偿设计

分析了a—Si：H—TFT阈值电压漂移的机理，即分析了栅偏应力下电荷注入到SiNx：H栅绝缘层和a—Si：H中亚稳态的产生对TFT阈值电压漂移的影响。根据非晶硅中亚稳态产生的特点，并针对驱动OLED的两管a—Si：H—TFT像素电路，提出了一种通过对数据信号时序的重新设计来补偿周值电压漂移的方法，即在数据信号间加插一个与数据信号极性相反的补偿信号。通过这种正负交替的信号，使驱动管TFT中由亚稳态造成的阈值电压漂移始终保持在一个动态平衡的过程，来实现驱动OLED电流稳定的目的。     

驱动AM-OLED的2-a-Si∶H TFT的设计与制作

a-Si∶H/SiNx∶HTFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87～1.68)的氮化硅绝缘材料,对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱(EDS)测试。制作了不同的MIS结构电容,对其进行老化实验和C-V测试分析,结果表明稍富氮(N/Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1.33)的氮化硅做成的MIS样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显,表明其缺陷态密度相对较小,能够有效减小半导体/绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si∶HTFT像素电路及其阵列版图,优化了电路中的几个关键参数,即T1的W/L=2.5、T2的W/L=25和存储电容Cs=0.8pF。运用7PEP生产工艺,制作了13cm(5.2in)的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试,其开态电流为10μA,开关比为106;对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试,其最高亮度为341cd/m2。