2024A铝合金高温流变行为及本构关系研究

采用Gleeble-3500热模拟试验机对2024A铝合金进行等温热轧,对其高温流变行为进行了研究。通过试验获得2024A铝合金在温度为300~450℃、应变速率为0.01~10s-1时的真应力-真应变曲线。结果表明,2024A铝合金的流变应力与温度、应变速率和变形量之间呈非线性关系,流变应力随着应变速率增大而升高,随着变形温度的升高而降低。基于试验数据,分别建立考虑应变补偿的Arrhenius和修正的Johnson-Cook(M-JC)本构模型,引入统计学方法对模型精度进行量化评估:Arrhenius模型的平均相对误差和均方根误差分别为5.02%和5.88MPa,M-JC模型的平均相对误差和均方根误差分别为3.72%和5.27MPa,可见M-JC模型预测精度优于Arrhenius模型,说明M-JC模型能更为准确地描述2024A铝合金的高温轧制过程中的流变行为。     

用于自动变速器换挡控制中的电液比例减压阀研究

以自动变速器换挡控制用比例减压阀为研究对象,在分析结构和工作原理基础上,建立数学模型。使用Pro/E建立CAD模型,基于SimulationX建立多体动力学模型,联合仿真分析阀的动静态特性,调节并优化结构参数。结果表明:该阀原理和结构参数设计合理,能够满足设计要求,为电液比例控制技术在换挡控制方面的应用提供了参考。     

碎石挤密桩处理可液化地基

用碎石挤密桩处理可液化地基已逐渐应用,实践证明,采用碎石桩处理可液化地基,除可提高地基的承载力外,还可有效地消除液化,因而碎石桩的应用越来越广泛。1 对可液化地基的分析饱和砂土地基,由于砂土的孔隙中含有大量水分,地震时水分不能及时排出,引起孔隙水压力上升,使砂土处于离散状态,即产生液化,从而使土丧     

衣食住行作?复合生活圈--合肥保利五月花项目设计体验

从传统的城市生活模式到新兴的、一站式、多业态的复合社区，再到全功能城市综合体。这既是城市发展理念的一种进步，也是一种推进。本文以设计师参与的项目出发，窥一斑以知全豹，浅谈了复合商住型城市综合体设计。     

新概念动能武器-电磁炮

电磁炮是现代战争中的一代新概念武器,目前国外的技术发展已达到实用阶段.用物理学中关于电流的磁场、电磁感应和涡流的基本理论对轨道炮、线圈炮、重接炮三种电磁炮的基本原理进行了分析;研究了轨道炮、线圈炮、重接炮的特点、应用前景;探讨了脉冲电源技术、材料技术、发射装置设计等电磁炮关键技术;最后总结了电磁炮的发展现状,展望了未来...     

关于逆流冷却塔雨区阻力计算的探讨

在逆流式冷却塔的空气阻力计算中,常常忽略了雨区阻力的计算,包括国标规范与高等教育的教科书等权威文献也未提及,根据工业塔的实测,这部分阻力占全塔空气阻力的1/6左右。本文根据冷却塔设计与运行的实践,并结合国内外学者对此的实验研究成果,经分析总结,给出了一个较为系统可行的计算方法,经验证与工业塔实测基本吻合,可供冷却塔设计中参考使用。     

低缺陷密度和平整表面的硅基砷化镓外延

Device-quality GaAs thin films have been grown on miscut Ge-on-Si substrates by metal-organic chemical vapor deposition. A method of two-step epitaxy of GaAs is performed to achieve a high-quality top-layer. The initial thin buffer layer at 360 ℃ is critical for the suppression of anti-phase boundaries and threading dislocations. The etch pit density ofGaAs epilayers by KOH etching could reach 2.25 × 10^5 cm^-2 and high-quality GaAs top epilayers are observed by transmission electron microscopy. The band-to-band photoluminescence property of GaAs epilayers on different substrates is also investigated and negative band shifts of several to tens of meVs are found because of tensile strains in the GaAs epilayers. To achieve a smooth surface, a polishing process is performed, followed by a second epitaxy of GaAs. The root-mean-square roughness of the GaAs surface could be less than 1 nm, which is comparable with that of homo-epitaxial GaAs. These low-defect and smooth GaAs epilayers on Si are desirable for GaAs-based devices on silicon substrates.     

TD-LTE系统终端邻道泄漏功率比的测试方法

TD-LTE系统在通信行业运用较广,它可以帮助通信企业实现较长时间的通信服务。重视系统终端射频的发展,根据实际应用情况采用合适的方法提高系统测试的准确率是当前通信行业亟待解决的一大课题。     

激光诱导击穿光谱技术测定土壤中元素Cr和Pb

为了提高激光诱导击穿光谱技术对物质成分的检测水平,在实验中加入了平面反射镜装置约束激光等离子体。用Nd:YAG纳秒脉冲激光激发产生土壤等离子体发射光谱,测量绘制了元素的定标曲线,定量分析了土壤样品中重金属元素Cr和Pb,并与不加入平面反射镜装置条件下的检测结果进行比较。计算表明,实验中加入平面反射镜装置以后,元素Cr和Pb的测量结果的相对标准偏差与无平面反射镜装置时的相比较,分别从5.22%和8.12%降低到了3.43%和3.94%;而元素分析检出限分别由4.13×10-3%和62.54×10-3%降低到2.61×10-3%和44.22×10-3%。可见,利用平面反射镜装置能够明显提高激光诱导击穿光谱技术的测量精度。