排序方式： 共有16条查询结果，搜索用时 15 毫秒
1.
2.
3.
正An InGaAs/InP DHBT with an InGaAsP composite collector is designed and fabricated using triple mesa structural and planarization technology.All processes are on 3-inch wafers.The DHBT with an emitter area of 1 x 15μm~2 exhibits a current cutoff frequency f_t = 170 GHz and a maximum oscillation frequency f_(max) = 256 GHz.The breakdown voltage is 8.3 V,which is to our knowledge the highest BV_(CEO) ever reported for InGaAs/InP DHBTs in China with comparable high frequency performances.The high speed InGaAs/InP DHBTs with high breakdown voltage are promising for voltage-controlled oscillator and mixer applications at W band or even higher frequencies. 相似文献
4.
在GaAs基渐变缓冲层高迁移率晶体管(M-HEMT)器件中,二维电子气的输运性能对器件性能有决定性作用。系统研究了GaAs M-HEMT材料中不同In组分沟道和生长温度对沟道电子迁移率和薄层电子浓度的影响。结果表明,沟道In组分为0.65时,材料电学性能最好;提高生长温度能有效提高材料的迁移率。为了后续将Si CMOS技术与HEMT材料结合实现高集成度应用,将M-HEMT结构外延在硅衬底上并得到了初步的研究结果,室温下电子迁移率为3300 cm^(2)/(V·s),薄层电子浓度为4.5×10^(12)cm^(-2)。 相似文献
5.
源在外延片直径方向上的耗尽导致了外延片上局部各点的生长速率及掺杂浓度是个随位置变化的量,因此造成了外延片厚度及浓度的不均匀性.通过引入基座气浮旋转可以有效降低这种不均匀性,在典型工艺条件下,采用基座旋转,76.2 mm 4H-SiC外延片厚度不均匀性、p型掺杂浓度不均匀性和n型掺杂不均匀性分别为0.21%、1.13%和... 相似文献
6.
采用射极补偿获得斜率是单调上升的线性校正网路,可校正非线性度大于50％的信号,校正后线性度优于1％。该方法比之传统沿用的二极管函数发生器要简化得多。本文推导了网络参数的计算公式并给出了线性化实验结果。 相似文献
7.
采用固态源分子束外延系统(SSMBE),以四溴化碳(CBr4)作为碳掺杂源,系统研究了半绝缘InP衬底上碳掺杂InGaAs材料的外延工艺.为得到高质量高浓度P型掺杂InGaAs材料,分别对外延过程中的脱膜工艺、P/As切换工艺以及生长温度等关键参数进行研究.通过扫描透射电子显微镜(STEM)测量衬底表面氧化膜厚度,量化... 相似文献
8.
9.
在GaSb缓冲层上生长5个周期的量子阱,通过优化AlSb成核层的生长温度和生长速率。平面透射电镜像确定的穿透位错密度为2.50 ± 0.91×108 cm-2,高分辨透射电镜清晰的表明AlSb/GaAs界面出现90°位错阵列,其位错的平均间距为5.4 nm,这些位错有效的释放了应变能。在26 K到300 K的温度区间,量子阱的荧光峰主要是基态电子与基态重空穴发光,然而当温度超过76 K时,观察到了基态电子到基态轻空穴的发光。 相似文献
10.