基于改进CAF-WAS的绑定前硅通孔测试

硅通孔TSV发生开路故障和泄漏故障会降低三维集成电路的可靠性和良率,因此对绑定前的TSV测试尤为重要。现有CAF-WAS测试方法对泄漏故障的测试优于其他方法(环形振荡器等),缺点是该方法不能测试开路故障。伪泄漏路径思想的提出,解决了现有CAF-WAS方法不能对开路故障进行测试的问题。另外,重新设计了等待时间产生电路,降低了测试时间开销。HSPICE仿真结果显示,该方法能准确预测开路和泄漏故障的范围,测试时间开销仅为现有同类方法的25%。     

基于边沿延时翻转的绑定前硅通孔测试方法

硅通孔（Through-Silicon Via,TSV）在制造过程中发生开路和短路等故障会严重影响3D芯片的可靠性和良率,因此对绑定前的TSV进行故障测试是十分必要的.现有的绑定前TSV测试方法仍存在故障覆盖不完全、面积开销大和测试时间大等问题.为解决这些问题,本文介绍一种基于边沿延时翻转的绑定前TSV测试技术.该方法主要测量物理缺陷导致硅通孔延时的变化量,并将上升沿和下降沿的延时分开测量以便消除二者的相互影响.首先,将上升沿延时变化量转化为对应宽度的脉冲信号;然后,通过脉宽缩减技术测量出该脉冲的宽度;最后,通过触发器的状态提取出测量结果并和无故障TSV参考值进行比较.实验结果表明,本文脉宽缩减测试方法在故障测量范围、面积开销等方面均有明显改善.     

基于硅通孔绑定后三维芯片测试调度优化方案

三维芯片(3D-SIC)通过硅通孔TSV技术实现电路的垂直互连,有效提高了系统集成度和整体性能。由于三维芯片测试中,用于测试的引脚数和TSV数目以及测试时功耗的限制都对测试时间有很大的影响,拟提出一种装箱问题思想的测试方案,针对每层只有一个晶片的"单塔"结构和每层有多个晶片的"多塔"结构进行测试调度优化。该优化方案在控制测试引脚数、测试TSV数目与测试功耗的同时,能有效缩短测试时间。实验结果表明,与同类方案相比,在多种限制条件和不同结构中,都有着显著的优化结果。其中"单塔"最高优化45.28%的测试时间,"多塔"最高优化了27.78%的测试时间。