朗缪尔—勃洛吉特薄膜

从水表面沉积到固体表面的有机薄膜,可能用于分子电子学、微电子学、集成光学到光刻技术的广阔技术领域。近年来,由于薄膜技术的迅速发展已日渐形成一支专业研究队伍,以适应人们不断了解各种结构和厚度薄膜特性的需要。1917～1935年期间由朗缪尔和勃洛吉特提出的用经典浸降技术生长的有机薄膜将给某些科学     

叶绿素ALB膜的光电特性

一、前言叶绿素A(chla)是植物光合作用中的重要的色素分子,具有高效吸收太阳光的能力,并能实现电荷分离,把光能变成电能传递出去,成为后续化学反应的能源。这一系列过程是在植物叶绿体内进行的,双层膜结构是实现其功能的主要结构形态。因此模拟研究光合膜的工作一直受到人们的重视,为的是向自然学习并利用那精巧而高效的利用太阳能的机理,探索获得新能源的途径,为人类造福。目前苏、美、日等国均有一定数量从事仿生利用太阳能研究的科学工作者。     

L—B膜取向的向列相负性液晶盒取向特性和电光特性的研究

本文用锥光干涉效应研究了负性液晶MBBA在花生酸L—B股上的取向排列以及在加电压后液晶分子的择优取向,并对液晶盒的电光特性进行了测量,得到了较陡的电光特性曲线。     

LB薄膜技术与分子电子学简介

近年来薄膜科学技术的发展迅速,人们不断开发新技术,研究各类结构和不同厚度薄膜的特性。自从五十年前Langmuir和Blodgett提出用经典浸降技术制作有机薄膜以来,已给若干科学和技术领域带来新的希望。LB薄膜,即将水面上紧密排列的单分子膜结构转移到固体基片上(结晶的或无定形的)形成单分子层或多分子层薄膜。     

Ga-As-In-As超合金的原子层外延

人们不断致力于对沉积薄膜的精确控制。在合成化合物半导体薄膜方面,原子层外延(ALE)能严格控制生长过程。ALE的主要特点是其自控能力,每一个生长周期仅沉积一个单分子层。从而可严格控制生长薄层的厚度。 AL E已用于制备各种Ⅱ—Ⅵ和Ⅲ—Ⅴ族化合物薄膜。比如对Ⅲ—Ⅴ族化合物来讲,与那种化合组元同时到达衬底表面的传统生长方法不同,ALE生长是通过在衬底表面上交替沉积Ⅲ族和Ⅴ族元素进行。由于每一循     

8-羟基喹啉铝/镁结接触特性研究

在常温下测量了ＩＴＯ／８－羟基喹啉铝／Ｍｇ／Ａｇ结构的有机结型器件的电容－电压和伏安特性．它与常见的半导体结型器件特性有很大不同．在小偏压下，界面附近的空间电荷和表面层积累的载流子共同决定对器件的界面特性．在高偏压下，隧穿注入的载流子在膜层内的漂移对器件的电学特性产生主要影响．     

液晶L-B膜的制备及取向效果

利用Langmuir-Blodgett技术,制备了液晶(6CHBT)L-B膜,研究了其稳定性及作为液晶取向层的取向效果.讨论了取向机理及进一步应用的可能性。     

薄膜光导—电致发光记忆器件

交流薄膜电致发光(ACTFEL)器件的固有记忆特性,驱使人们试图研制高信息容量的显示器。然而最近较为深入的研究表明,这种记忆效应存在着严重的稳定性和重复性问题。最近法国的P.Thioulouse等人报道了一种称之为薄膜光导(PC)—EL器件的新型记忆EL结构。这种器件的记忆效应由