基于光纤倏逝波传感器的磷酸根离子检测

提出了利用光纤倏逝波传感器通过光吸收方法来测量溶液中磷酸根离子浓度的新方法。将通信用标准单模光纤（SMF）局部腐蚀到接近芯层后放入不同浓度的磷钼蓝溶液中,当以磷钼蓝光吸收峰值为探测光波长时,光纤表面的倏逝波会部分被溶液吸收,通过测量光纤输出光强来计算溶液中的磷酸根离子浓度。实验结果表明,磷钼蓝溶液中磷浓度为0．04～O...     

W频段二次谐波I/Q调制混频器的设计

基于自主研发GaAs肖特基二极管（SBD）设计了一款工作于W频段的二次谐波混频器,实现了对射频（RF）信号的I/Q调制。建立了二极管模型,利用电路结构走线长度控制信号流,实现了宽频带内的射频信号混频,并基于此通过HFSS和ADS联合仿真,完成了W频段二次谐波混频器设计。测试结果显示,采用45 GHz信号作为本振信号源,射频80~89 GHz与91~100 GHz的频带范围内变频损耗低于17 dB,最低变频损耗为12 dB;1 dB压缩功率大于11 dBm。仿真结果显示,80~89 GHz与91~100 GHz的镜频抑制效果明显,最好频点镜像抑制达到20 dB。相比于W频段GaAs pHEMT（赝晶型高电子迁移率晶体管）混频器,所设计的GaAs肖特基二极管混频器在较低变频损耗的情况下,具有工艺简单、易实现、高线性度、宽带匹配、高镜像抑制等优点,芯片尺寸仅为1 mm×1 mm。该款W频段混频器达到了目前国内较高水平。     

低能氦离子注入引入的量子阱混杂带隙波长蓝移

提出了采用低能氦离子注入多量子阱(MQW)材料和合适的快速退火条件,实现了MQW带隙波长的蓝移.用这种材料制作了FP腔激光器,与未注入器件相比,实现了37nm的激射波长蓝移.     

超大型升降观众席八油缸同步驱动关键技术研究与实现

介绍了汉秀剧场1170座超大型升降观众席大流量液压系统八缸同步驱动的控制方案,该方案主要采用电子虚轴法,并加入下降延时起动补偿进行控制,去除了下降抖动问题。结果表明,设备运行情况平稳,达到预期效果。     

低能氦离子注入引入的量子阱混杂带隙波长蓝移

提出了采用低能氦离子注入多量子阱(MQW)材料和合适的快速退火条件,实现了MQW带隙波长的蓝移.用这种材料制作了FP腔激光器,与未注入器件相比,实现了37nm的激射波长蓝移.     

微米级石英空心小球表面TiO2薄膜的制备及其降解性能的研究

在粒径大小为57～74μm之间的石英空心小球表面成功的镀上一层TiO2薄膜.XRD显示600℃退火时TiO2薄膜结晶性能较好,退火700℃以上开始出现金红石相.镀TiO2薄膜石英空心小球较好的解决了TiO2纳米粉在溶液光降解中易出现的团聚问题.小球衬底的粒径较大,有利于解决TiO2粉状催化剂易出现的难以回收再利用的问题.利用对甲基橙的光降解试验来评估薄膜的催化降解性能,结果表明镀膜小球的光催化性能比TiO2纳米粉的光催化性能要好.     

光催化材料的最新研究进展

综述了最近几年TiO2改性的研究,简要介绍了其他光催化材料的研究进展,并结合本课题组的工作,介绍了对一种新型光催化材料Bi-Ti-O系列材料研究的最新进展.指出今后光催化材料的发展方向仍以TiO2改性的研究为主导;以钛酸铋(Bi4Ti3O12、Bi12TiO20)为代表的新型光催化材料,有着催化效率高,低能隙等突出的优点,有着广阔的应用前景.     

面向太赫兹应用的InP基肖特基二极管

Based on characteristics such as low barrier and high electron mobility of lattice matched In_0.53Ga_0.47 As layer,InP-based Schottky barrier diodes（SBDs） exhibit the superiorities in achieving a lower turn-on voltage and series resistance in comparison with GaAs ones.Planar InP-based SBDs have been developed in this paper.Measurements show that a low forward turn-on voltage of less than 0.2 V and a cutoff frequency of up to 3.4 THz have been achieved.The key factors of the diode such as series resistance and the zero-biased junction capacitance are measured to be 3.32Ωand 9.1 fF,respectively.They are highly consistent with the calculated values.The performances of the InP-based SBDs in this work,such as low noise and low loss,are promising for applications in the terahertz mixer,multiplier and detector circuits.     

InP基三端太赫兹固态电子器件和电路发展

随着微电子技术的飞速发展,半导体器件的截止频率已经进入到太赫兹频段,太赫兹电路的频率特性得到极大发展。以固态器件为基础的太赫兹电路的工作频率进入到THz频段。本文重点介绍InP基双极器件和场效应器件的发展以及在太赫兹电路和系统中的应用。     

化学溶液沉积法制备掺镧Bi2Ti2O7薄膜及其特性的研究

采用化学溶液沉积法,在Si(100)衬底上制备了(Bi0.925La0．075)2Ti2O7薄膜。通过对其X射线衍射图谱分析表明：用一定量的La^3 来代替部分Bi^3 ,提高了Bi2Ti2O7相薄膜的稳定性。研究发现：经过高温(850℃)退火处理后,该薄膜的结晶性和取向性都很好,[111]方向取向率为90X。根据XRD谱图中的(444)衍射峰,计算出晶格常数a≈20．66A。薄膜的电流-电压和电容-电压特性的测量结果表明,该薄膜具有良好的绝缘性和较高的介电常数。