MOCVD生长AlGaN/GaN/Si(111)异质结材料

利用MOCVD在Si(111)衬底上生长了无裂纹的GaN外延薄膜和AlGaN/GaN异质结构。通过优化Si衬底的浸润处理时间、AlN层厚度等参数获得了无裂纹的GaN外延薄膜,研究了SiN缓冲层和插入层厚度对AlGaN/GaN异质结电学性质的影响,2DEG的迁移率和面密度分别达到1410cm2/V.s和1.16×1013cm-2。     

OTFTs结构与器件性能

在重掺杂的Si衬底上分别制备了底电极（Bottom—contact organic thin—film transistors，BCOTFYs）和顶电极（Top—contact organic thin—film transistors，TC—OTFYs）有机薄膜场效应晶体管，探讨了源、漏电极位置对器件性能的影响。结果表明，顶电极可以形成良好的欧姆接触，其器件的迁移率和开关电流比均高出BC—OTFYs器件三个数量级。研究了栅绝缘层的薄膜厚度对器件的电性能的影响。结果表明，在相同电压下，薄的绝缘层增大了沟道区域的电场，可积累更多的电荷，以填充更多的陷阱，使器件的场效应迁移率和工作电流得到了明显的提高。     

MSM型氮化镓紫外探测器研究

以宽禁带半导体氮化镓材料制备了金属一半导体一金属型的紫外光电探测器.材料生长是以MOCVD设备完成的,为非故意掺杂的n型材料.器件在362 nm处具有陡峭的截止边,表现出可见盲特性,在1.5 V偏压下响应度为0.71 A/W,紫外/可见抑制比接近103.通过击穿单侧肖特基结对另一侧的肖特基结进行测试,结果表明肖特基结具有较理想的特性,并以此对器件的工作方式和设计优化进行了讨论分析.     

紫外光电阴极研究进展

本文对传统的紫外光电阴极以及新型的宽禁带半导体光电阴极进行了总结和分析,并介绍了它们目前的研究现状.同时,针对紫外探测的需求,提出了它们目前还存在的一些问题,并对未来改进紫外光电阴极性能提出了一些设想和方法.     

Mg掺杂Al_(0.5)Ga_(0.5)N薄膜的发光性质研究

利用MOCVD技术在c面蓝宝石衬底上采用AlN缓冲层制备了Mg掺杂Al0.5Ga0.5N薄膜。采用CL测试方法研究了Mg掺杂对Al0.5Ga0.5N薄膜光学特性的影响。测量表明,Mg掺杂导致在Al0.5Ga0.5N薄膜的发光谱中出现了3.9eV的发光带,其发光机理为束缚的施主-受主对(DAP)间的辐射复合跃迁。     

浅析智能化高层建筑的接地系统

近年来,随着经济的快速发展,建筑行业的发展速度不断的加快,在建筑物建筑过程中,其供配电设计是其中极为重要的一部分,而供配电设计中的接地系统设计其重要性更为重要,接地系统设计的好坏直接关系到供电系统的安全性和可靠性。接地系统是建筑物供电设计中不可或缺的重要部分。目前建筑物的要求及各类设施的功能都具有较大的差异性,这就对接地系统提出了更高的要求。特别是近几上大量智能化高层建筑的兴起,更增加了接地系统设计的难度。文章中对智能化高层建筑中的各种接地系统进行了具体的阐述。     

企业统计工作的几点思考

统计工作是对企业实行科学管理,监督整个企业活动的重要手段,是企业制定政策和计划的主要依据。在当前企业统计工作中却存在一些问题,随着现代企业制度的建立和现代化管理的发展,我们必须加强统计队伍建设,提高统计人员素质,进一步改进工作方法,健全统计法制,形成一套合理有效的统计管理模式,真正体现统计的"信息"、"咨询"、"监督"三大职能。     

GaN薄膜表面形貌与AlN成核层生长参数的关系

采用金属有机物化学气相淀积技术生长了以AlN为成核层的GaN薄膜,研究了成核层生长时三甲基铝(TMAl)流量对最终GaN薄膜表面形貌的影响.研究结果表明,高质量GaN薄膜只能在高TMAl流量下获得,采用充足的TMAl源才能形成满足需要的AlN成核点,这是生长高质量GaN薄膜的一个先决条件.