GaNAs／GaAs中的激子局域化和发光特性

通过多种光谱手段研究了GaNAs量子阱和体材料中的局域态和非局域态的不同光学特性．在超短激光脉冲激发下，第一次在GaNAs／GaAs量子阱发光光谱中，观察到非局域激子发光．选择激发光谱表明，局域中心主要聚集在GaNAs、GaAs异质结界面．在低N含量的GaNAs体材料发光光谱中，除了与N相关的局域态发光外，也发现发光特性完全不同的GaNAs合金态发光．这些结果为理解Ⅲ-Ⅴ-N族半导体的异常能带特性具有十分重要的意义．     

三势垒共振隧穿结构中极大增强的光生空穴共振隧穿

研究了电子隧穿出射端嵌入1.2 μm厚n型弱掺杂GaAs层的三势垒双阱隧穿结构,观察到了隧穿峰谷比高达36的光生空穴共振隧穿峰.研究证实1.2 μm厚n型弱掺杂GaAs层在光照下产生的大量光生空穴以及空穴隧穿出射端的23 nm宽的量子阱中量子化的空穴能级对空穴隧穿谷电流的限制作用,是导致高峰谷比的光生空穴隧穿现象的主要原因.     

低N含量GaAsN材料的共振喇曼散射及其带边以上的光致发光光谱

利用显微光致发光技术,观测到了N含量为0.1%,0.22%,0.36%和0.62%的GaAsN合金的E0,E0+△0和E+能级的光致发光峰.共振喇曼散射谱进一步证实了这些发光峰来源于所研究材料的本征能级,而不是来源于GaAsN合金中的一些局域激子发射.随着N组分的增加,E0+△0和E+能级分别向低能和高能方向移动并在N组分为0.16%时发生交错.文中提出了一种少量等电子掺杂和显微光致发光谱相结合的方法来直接观测半导体材料带边以上的跃迁能级,尽管光致发光谱通常没有用来观测这些能级位置.     

内嵌自组装InAs量子点调制掺杂场效应管的光电特性

研究了阱中生长自组装InAs量子点的光谱特性，获得了室温1.265μm近红外荧光发光，探讨了与量子点尺寸分布相关的发光峰随温度的超常红移现象. 制备了内嵌InAs量子点的异质结调制掺杂场效应晶体管，获得了高耐压的场效应器件电学特性，并有望制成新型红外光电探测场效应管.     

Application of Wet Chemical Etching in Fabrication Process of GaAs/AlGaAs Quantum Dot Arrays

Ｌｏｗｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ,ｓｕｃｈａｓｑｕａｎｔｕｍｗｅｌｌ（ＱＷ）,ｑｕａｎｔｕｍｗｉｒｅ（ＱＷＲ）ａｎｄｑｕａｎｔｕｍｄｏｔ（ＱＤ）ｈａｖｅａｔｔｒａｃｔｅｄｍｏｒｅａｎｄｍｏｒｅａｔｔｅｎｔｉ...     

内嵌自组装InAs量子点调制掺杂场效应管的光电特性

研究了阱中生长自组装InAs量子点的光谱特性,获得了室温1.265μm近红外荧光发光,探讨了与量子点尺寸分布相关的发光峰随温度的超常红移现象.制备了内嵌InAs量子点的异质结调制掺杂场效应晶体管,获得了高耐压的场效应器件电学特性,并有望制成新型红外光电探测场效应管.     

内嵌自组装InAs量子点调制掺杂场效应管的光电特性

研究了阱中生长自组装InAs量子点的光谱特性,获得了室温1.265μm近红外荧光发光,探讨了与量子点尺寸分布相关的发光峰随温度的超常红移现象.制备了内嵌InAs量子点的异质结调制掺杂场效应晶体管,获得了高耐压的场效应器件电学特性,并有望制成新型红外光电探测场效应管.     

Application of Wet Chemical Etching in Fabrication Process of GaAs/AlGaAs Quantum Dot Arrays

Two types of GaAs/AlGaAs quantum dot arrays with different dot size are fabricated by dry etching and dry-wet etching. PL spectra of the quantum dot arrays at low temperature show the blue shifts due to the quantization confinement effects, and the blue-shift increases with the decrease of the dot size. It is also found that wet chemical etching can reduce the surface damage caused by high-energy ion etching and improve the optical characteristics of the quantum dot arrays.