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研究了MESFET的源漏电压对旁栅阈值电压的影响和旁栅间距与旁栅阈值电压的关系。结果表明源漏电压的大小对旁栅阈值电压有一定的影响,旁栅阈值电压的大小与旁栅间距大致成正比。 相似文献
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介绍了砷化镓阈值电压的测试原理和测试方法,并完成了φ3”砷化镓阈值电压自动测试系统的设计与研制。该系统包括自动探针台、测量设备和相应的软件。自动探针台的定位精度为10μm,分辨率为2.4μm,速度为251mm/s。阈值电压测量精度为1mV。该系统可进行φ3”砷化镓圆片的MESFET器件参数的自动测量、存储和运算,能给出圆片的阈值电压分布图。该系统还可用于大圆片的电阻率、欧姆接触电阻、背栅电压和光敏特性等的测量。 相似文献
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