Cd_(1-x)Mn_xS高压吸收光谱

采用流体静压力,在室温和低温下测量了三元混晶半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xS的吸收光谱.室温下获得了Cd_(1-x)Mn_xS光吸收边的一阶和二阶压力系数,并且在吸收边尾部发现一个大的吸收带尾,随着组分x增加,压力系数下降,带尾增强,同时在高压下观察了Cd_(1-x)Mn_xS的压力相变过程.在77K下,高组分混晶Cd_0.67Mn_0.33S吸收光谱中出现两个Mn~(2+)吸收峰,测量了它们的压力系数,并用晶体场理论讨论了实验结果.     

一种稳定调制磁场幅度的电路

在研究半导体电磁性质以及与磁场有关的物理实验中,例如磁声子效应、舒布尼柯夫-德哈斯效应等,磁阻振荡分量通常远小于磁阻缓慢变化的分量,为了更精确地测量出微弱的磁阻随磁场变化的振荡分量,常常采用调制磁场和锁相检测技术测量磁阻的一次微分信号和二次微分信号.对于铁芯电磁铁,当直流磁场增加时,由于直流磁场对调制磁场有影响,使得调制磁场的幅度下降,从而在不同直流磁场下,引起了微分磁阻幅度测量的不准确.所以,必须稳定调制磁场幅度,使之不随直流磁场的改变而改变.     

流体静压力下Hg_(1-x)Cd_xTe p-n结的伏安特性

在77K和室温下,研究了Hg_(1-x)Cd_xTe(x=0.5)p—n结伏安特性随流体静压力的变化,从中得到了禁带宽度E_g的压力系数。结果表明,在低压范围(01.4GPa),E_g～P关系明显偏离线性。实验还观察到,在正、反向小偏压区域,I—V特性随压力的变化呈现“反常”行为。