凹凸棒制备Si@C复合材料及其用于锂离子电池负极材料的电化学性能

硅因其超高的理论比容量而被视为最具潜力的下一代锂离子电池（LIBs）负极材料。目前，硅负极材料的高成本和极其苛刻的合成条件严重阻碍了其在LIBs中的使用。以天然凹凸棒为原料，通过水热法提纯和镁热还原反应制备了硅纳米颗粒（MRR Si），并进一步采用化学气相沉积法以乙炔为碳源制备了MRR Si@C复合材料，系统研究了其作为LIBs负极材料的储锂性能。研究结果表明:通过镁热还原制备的硅纳米在0.2 A/g的电流密度下可展现出2 362 mAh/g的比容量，首次库伦效率（CE）为71.87%，100次（0.5 A/g）循环充放电测试后比容量为909 mAh/g。相比之下，在MRR Si纳米颗粒表面沉积碳层后制备的MRR Si@C复合材料可展现出2 494 mAh/g的放电容量和78.92 %的高CE值。循环性能显示，该复合材料在0.5 A/g的电流密度下充/放电100次后的比容量值可达到1 324mAh/g。同时，该复合材料还可在5 A/g的大电流密度下依然可展现出高达844 mAh/g的高比容量。该MRR Si@C复合材料显示了优异的倍率性能和良好的应用前景。      

UO2核芯还原炉设计模拟研究

以N-S方程和k-ε湍流模型为基础,针对UO₂核芯颗粒制备过程中的焙烧还原炉设备,采用计算流体力学方法模拟考察了南非和国内正在使用的两种还原炉体设计及入流速度对内部流场的影响。从模拟结果中可发现,两种炉体设计均无法实现气流在轴向上的均匀分布,而是呈现出炉体顶部气量大、底部气量小的分布状态,这是导致颗粒还原不均匀的原因之一,且这种不均匀性随气速增加变化不大。在分析轴向压力变化影响径向气流分布的基础上对还原炉体进行了改进,提出了一种新型设计,模拟结果证实改进后的炉体设计能够实现径向气流在轴向上更为均匀的分布,因而可推定该新型炉体设计可使炉内不同轴向高度处的颗粒还原更加均匀。     

过渡金属有机框架结构构件及电解水研究进展

金属有机框架(MOF)材料由于其比表面积大、孔隙率高、结构可调控和单分散的活性中心等特性, 在吸附分离、气体储存和电催化等领域具有巨大的应用前景, 其中, 在催化领域的应用尤为突出。目前, 利用传统方法所制备的MOF虽然含有具有催化活性的金属, 但是MOF中的金属位点通常和有机配体相结合, 无法很好的暴露出来, 导致在催化过程中表现出来的活性很低。因此大部分关于MOF催化性能的研究, 主要集中于MOF与纳米金属粒子相结合的方式。文中总结分析了近年来以不同合成方法制备的零维、一维和二维MOF结构, 并对基于过渡金属构建的MOFs材料在电催化水分解的应用进展和面临的挑战进行了分析讨论。      

精细电路连接用紫外光固化各向异性导电胶

为适应高密度超细线路连接的需要,研究了紫外光固化各向异性导电胶。得到了可以用UV(紫外光)有效固化的各向异性导电胶(ACA)。通过对固化过程和应用于氧化铟锡连接实验的分析,研究了各组分在体系中的作用和添加量对导电胶的连接性能和导电性能的影响。结果表明,紫外光固化各向异性导电胶为液晶显示(LCD)和电致发光显示(ELD)技术提供了一种新的连接方式。     

碳纳米管承载氧化锆纳米粒子的研究

在液相沉淀法制备超细粉的工艺中引入碳纳米管，作为ZrO2的承载体。TEM观察发现添加表面活性剂可以实现碳纳米管对ZrO2的有效承载，未加表面活性剂出现了两者的分离。液相中Zeta电位分布的变化表明表面活性剂的添加有利于碳纳米管在水相中的分散，对工艺机理的研究揭示了表面活性剂其疏水基吸附在碳纳米管表面，而其亲水基与ZrO2水合物结合，在碳纳米管承载氧化锆纳米粒子复合材料制备中起到了桥接作用。     

热处理对两种铜膜结合强度的影响

采用PVD和CVD技术制备Cu/TiN/PI试样，研究表明，TiN薄膜可以有效地阻挡Cu向PI基板内部扩散，CVD工艺制备的Cu膜内部残余应力很小，Cu膜有相对高的结合强度；而PVD制备的Cu膜，在有TiN阻挡层存在的情况下，Cu膜内存在拉应力，拉应力降低了Cu膜结合强度，300℃退火可以消除膜内残余应力，结合强度提高。     

硫化镉纳米粒子的制备

探索纳米硫化镉的制备方法,对纳米晶体形成机理、结构性能进行基础研究;分析了影响溶胶团簇性质的因素,包括体系温度、稳定剂比例、pH值和反应物用量.结果显示利用六偏磷酸钠为稳定剂,氯化镉和硫化钠为反应物在水相中反应可以制得稳定的硫化镉纳米溶胶团簇.     

SiO2纳米粒子对铜导电胶连接强度的影响

以环氧树脂为基体，间苯二胺和二氨基二苯甲烷的低融点混合物为固化荆，铜粉为导电填料，制备了热固化各向同性导电胶。研究了固化温度、固化时间及固化荆、纳米SiO2粒子添加量对连接性能的影响。在固化温度为145℃．固化时间为2h时．导电胶连接强度达到20MPa。体系中添加适量的纳米SiO2粒子，连接强度提高到25MPa。SiO2粒子均匀地分散在环氧树脂基体的三维立体网状大分子链中，起到分散应力，吸收冲击能．阻止裂纹扩展的作用。     

倒装片可修复底部填充材料的研究现状及发展

有机基板上的倒装芯片一般采用底部填充技术以提高其封装的可靠性.有缺陷的芯片在倒装后难以进行返工替换,使得倒装芯片技术成本提高,限制了此技术的应用.提出新型可修复底部填充材料的开发成为解决这一问题的有效途径.介绍了倒装芯片的可修复底部填充技术和可应用于可修复底部填充材料的技术要求,并综述了国内外对于可修复底部填充材料的研究现状.